一种倒装深紫外LED芯片及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种倒装深紫外led芯片，其特征在于，包括增透层、蓝宝石衬底层、n型algan层、多层量子阱有源层、p型algan层以及p型gan接触层；所述蓝宝石衬底层一侧依次层叠设置所述n型algan层、多层量子阱有源层、p型algan层以及p型gan接触层，所述蓝宝石衬底层另一侧设置所述增透层；所述蓝宝石衬底层远离所述n型algan层一侧经过粗化刻蚀后，沉积所述增透层。2.根据权利要求1中所述的倒装深紫外led芯片，其特征在于，所述粗化刻蚀的具体步骤包括：在所述蓝宝石衬底层远离所述n型algan层一侧蒸镀一层金属层；在900～1000℃下对所述金属层退火1～2min，升温速率为15～25℃,得到自组装金属层；对沉积有所述自组装金属层的所述蓝宝石衬底层进行刻蚀，刻蚀完成后用溶液除去所述自组装金属层，得到粗化衬底面。3.根据权利要求2中所述的倒装深紫外led芯片，其特征在于，对沉积有所述自组装金属层的所述蓝宝石衬底层进行刻蚀的步骤具体为：采用等离子刻蚀工艺，以bcl3为刻蚀气体，对所述蓝宝石衬底层表面未被所述自组装金属层覆盖的区域进行刻蚀。4.根据权利要求2中所述的倒装深紫外led芯片，其特征在于，除去所述自组装金属层的所述溶液由浓硫酸、双氧水以及水按体积比5:1:1混合配成。5.根据权利要求2中所述的倒装深紫外led芯片，其特征在于，所述金属层的厚度为5～20nm。6.根据权利要求2中所述的倒装深紫外led芯片，其特征在于，所述金属层为镍金属层。7.根据权利要求1中所述的倒装深紫外led芯片，其特征在于，所述增透层的材质为sio2，厚度为(2n 1)a，其中n为大于1的整数，44.2nm≤a≤48.5nm。8.根据权利要求1中所述的倒装深紫外led芯片，其特征在于，所述增透层的材质为mgf2，厚度为(2n 1)b，其中n为大于1的整数，47.1nm≤b≤51.6nm。9.一种如权利要求1～8中任一所述倒装深紫外led芯片的制作方法，其特征在于，具体步骤包括：在蓝宝石衬底层一侧依次沉积n型algan层、多层量子阱有源层、p型algan层以及p型gan接触层；所述蓝宝石衬底层远离所述n型algan层一侧蒸镀一层金属层；在900～1000℃下对所述金属层退火1～2min，升温速率为15～25℃,得到自组装金属层；对沉积有所述自组装金属层的所述蓝宝石衬底层进行刻蚀，刻蚀完成后用溶液除去所述自组装金属层，得到粗化衬底面；在所述粗化衬底面上沉积增透层，得到所述倒装深紫外led芯片。10.根据权利要求9中所述倒装深紫外led芯片的制作方法，其特征在于，所述增透层的材质为sio2或mgf2。

技术总结
本发明公开了一种倒装深紫外LED芯片及其制作方法，该倒装深紫外LED芯片包括增透层、蓝宝石衬底层、n型AlGaN层、多层量子阱有源层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层；所述蓝宝石衬底层一侧依次层叠设置所述n型AlGaN层、多层量子阱有源层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层，所述蓝宝石衬底层另一侧设置所述增透层；所述蓝宝石衬底层远离所述n型AlGaN层一侧经过粗化刻蚀后，沉积所述增透层。本发明通过对蓝宝石衬底层远离n型AlGaN层一侧进行粗化并沉积增透层，增加了光子逃逸几率，降低了界面全反射，从而实现了芯片光提取效率的提高。而实现了芯片光提取效率的提高。而实现了芯片光提取效率的提高。


技术研发人员：梁仁瓅
受保护的技术使用者：苏州紫灿科技有限公司
技术研发日：2021.06.22
技术公布日：2021/10/23