半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤s1，提供一透明衬底；步骤s2，形成对准标记于所述透明衬底上，所述对准标记的材质为非透明和/或半透明材料；步骤s3，形成器件膜层覆盖于所述透明衬底上，所述器件膜层掩埋所述对准标记；步骤s4，形成光刻胶层覆盖于所述器件膜层上；以及，步骤s5，将光信号穿透所述光刻胶层和所述器件膜层，以所述对准标记进行对准，对所述光刻胶层进行光刻，以形成图案化的光刻胶层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括步骤s6：以所述图案化的光刻胶层为掩模，对所述器件膜层进行刻蚀。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述透明衬底包括器件区和非器件区，所述对准标记位于所述非器件区。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述对准标记于所述透明衬底上的步骤包括：沉积非透明和/或半透明材料于所述透明衬底上，以形成对准膜层；刻蚀所述对准膜层，保留用于作为所述对准标记的部分，或者，保留用于作为所述对准标记的部分和所述对准膜层中的其他部分。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对准标记的形状包括条形、十字形和米字形中的至少一种。6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述透明衬底的材质包括玻璃、蓝宝石、氮化铝和碳化硅中的至少一种。7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对准标记的非透明材料包括无定型碳、金属和金属氧化物中的至少一种；所述对准标记的半透明材料包括金属氮化物。8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述器件膜层的材质为非透明材料和/或半透明材料，且所述器件膜层的厚度薄至使得所述光信号穿透；或者，所述器件膜层的材质为透明材料。9.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法还包括：重复循环执行所述步骤s3至所述步骤s6。10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件的制造方法制造，包含在透明衬底上的对准标记。

技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一透明衬底；形成对准标记于所述透明衬底上，所述对准标记的材质为非透明和/或半透明材料；形成器件膜层覆盖于所述透明衬底上，所述器件膜层掩埋所述对准标记；形成光刻胶层覆盖于所述器件膜层上；以及，将光信号穿透所述光刻胶层和所述器件膜层，以所述对准标记进行对准，对所述光刻胶层进行光刻，以形成图案化的光刻胶层。本发明能够避免在透明衬底上制作不同器件结构时，不同器件结构对应的光刻胶层之间无法光刻对准，进而避免导致各层器件结构制作异常。常。常。


技术研发人员：李乐
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2021.07.12
技术公布日：2021/10/23