一种反射发光源的结构的制作方法

技术特征：
1.一种反射发光源结构，其特征在于，包括基板(1)、至少两组qd
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led发光单元和控制qd
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led发光单元的芯片，所述芯片倒装于基板(1)上，所述qd
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led发光单元包括并列排布设置于基板(1)上的第一qd
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led发光源(2)和第二qd
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led发光源(3)，所述基板(1)上设置有负极(11)和正极(12)，所述正极(12)包括第一正极(121)和第二正极(122)，所述第一qd
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led发光源(2)和第二qd
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led发光源(3)的负电极端与基板(1)上的同一个负极(11)电连接，所述第一qd
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led发光源(2)和第二qd
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led发光源(3)的正电极端分别与第一正极(121)和第二正极(122)电连接，所述基板(1)的表面印刷有第三发光源(4)，所述第一qd
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led发光源(2)具有红光量子点或者蓝光量子点中的一者，所述第二qd
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led发光源(3)具有红光量子点或者蓝光量子点中的另一者，所述第三发光源(4)具有绿光量子点；所述第一qd
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led发光源(2)和第二qd
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led发光源(3)均为micro
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qd
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led或mini
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qd
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led。2.根据权利要求1所述的一种反射发光源结构，其特征在于，所述第三发光源(4)为印刷于基板(1)上的qd粉末油墨，所述qd粉末油墨的厚度为20～150微米。3.根据权利要求1所述的一种反射发光源结构，其特征在于，所述基板(1)的上表面电镀有镜面导电层，所述负极(11)、第一正极(121)和第二正极(122)相互隔离地设置于镜面导电层中。4.根据权利要求3所述的一种反射发光源结构，其特征在于，所述镜面导电层的厚度为100微米。5.根据权利要求1所述的一种反射发光源结构，其特征在于，所述红光量子点峰值波长为610～640nm，半波宽小于25nm。6.根据权利要求1所述的一种反射发光源结构，其特征在于，所述蓝光量子点峰值波长为475～490nm，半波宽小于20nm。7.根据权利要求1所述的一种反射发光源结构，其特征在于，所述绿光量子点峰值波长为520～545nm，半波宽小于30nm。

技术总结
本实用新型公开了一种反射发光源结构，包括基板、至少两组QD


技术研发人员：王晓 谢婷 张子宾
受保护的技术使用者：青岛国骐光电科技有限公司
技术研发日：2021.02.03
技术公布日：2021/10/23