光刻版及集成电路的制造方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光刻版一种集成电路的制造方法。


背景技术：

2.光刻曝光前需首先进行晶圆(wafer)的对位，光刻晶圆对位的精度直接影响到后续电路与前层电路之间的导通。lsa(laser step alignment，激光步进对准方式)因其对位精度高，成为nikon光刻机对位的首选方式。然而，发明人发现实际生产中使用lsa进行对位会出现对位错误的情况。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对上述问题，提供一种光刻版及一种集成电路的制造方法。
4.一种光刻版，包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，所述光栅图形单元包括：
5.多个膜层保留区域图形，所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域，至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同；多个间隙区域图形，所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域，所述间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和。
6.在其中一个实施例中，所述光栅图形单元包括3个所述膜层保留区域图形，且有两个所述膜层保留区域图形的宽度相同。
7.在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中存在大于等于一个所述膜层保留区域图形的宽度与相邻一侧的所述间隙区域图形的宽度相同。
8.在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中所述膜层保留区域图形的宽度均与相邻的所述间隙区域图形的宽度不相同。
9.在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元包括4个所述膜层保留区域图形，且至少有两个所述膜层保留区域图形的宽度不相同。
10.在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中所述膜层保留区域图形和/或所述间隙区域图形的宽度大于等于0.5微米且小于等于2微米。
11.在其中一个实施例中，所述光栅图形单元的宽度等于8微米。
12.在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中所述膜层保留区域图形的宽度之和与所述间隙区域图形的宽度之和之间的差值大于等于0微米且小于等于1微米。
13.上述光刻版，包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，所述光栅图形单元包括多个膜层保留区域图形，所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域，至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同；多个间隙区域图形，所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域，所述间隙区域图
形与所述膜层保留区域图形间隔排列，所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和。与传统的光刻版上的光栅图形单元相比，本技术中光刻版上的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上光栅图形单元形貌的影响较小，光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在后续工艺完成后不易生成填充不足的光栅图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
14.一种光刻版，包括用于光刻对位的标记图形单元,所述标记图形单元包括x行、y列光栅图形单元，所述光栅图形单元为上述任一项所述的光栅图形单元，x为大于等于2的奇数，y为大于等于2的整数。
15.在其中一个实施例中，所述光刻版上的标记图形单元包括5行、7列光栅图形单元或7行、7列光栅图形单元，相邻两列光栅图形单元的同一侧边之间的间距为20微米。
16.上述光刻版，包括用于光刻对位的标记图形单元,所述标记图形单元包括x行、y列光栅图形单元，所述光栅图形单元为上述任一项所述的光栅图形单元，x为大于等于2的奇数，y为大于等于2的整数。与传统的光刻版上的标记图形单元相比，本技术中光刻版上构成标记图形单元的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上标记图形单元中的光栅图形单元形貌的影响较小，标记图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在后续工艺完成后不易生成填充不足的光刻对位的标记图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
17.一种集成电路的制造方法，包括：
18.获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜。
19.使用上述任一项所述的包括光刻对位的标记图形单元的光刻版对第一薄膜上形成的光刻胶进行光刻，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜。
20.刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜，得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元，且刻蚀后得到的膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差。
21.在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第一薄膜的膜层保留区域图形和间隙区域图形上的第二薄膜受所述高度差影响使得第二薄膜上表面形成衍射光栅。
22.通过所述衍射光栅进行光刻对位，对所述第二薄膜上形成的光刻胶进行光刻并对所述第二薄膜进行刻蚀。
23.在其中一个实施例中，通过所述衍射光栅进行光刻对位的步骤之前，还包括对所述第二薄膜上表面进行化学机械抛光平坦化处理的步骤。
24.在其中一个实施例中，通过所述衍射光栅进行光刻对位的步骤是通过lsa系统进行的；所述得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元的步骤是在划片道形成所述光栅图形单元。
25.在其中一个实施例中，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上的步骤还包括：
26.光刻完成后的光刻胶覆盖在相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜上。
27.在其中一个实施例中，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜的步骤还包括：
28.光刻完成后的光刻胶露出相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜；
29.刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜的步骤还包括：
30.刻蚀光刻胶露出的相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜。
31.在其中一个实施例中，所述第一薄膜至少包括半导体薄膜、绝缘薄膜、金属薄膜、抗反射层薄膜中的一种。
32.一种集成电路的制造方法，包括：获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜。使用上述任一项所述的包括光刻对位的标记图形单元的光刻版对第一薄膜上形成的光刻胶进行光刻，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜。刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜，得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元，且刻蚀后得到的膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差。在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第一薄膜的膜层保留区域图形和间隙区域图形上的第二薄膜受所述高度差影响使得第二薄膜上表面形成衍射光栅。通过所述衍射光栅进行光刻对位，对所述第二薄膜上形成的光刻胶进行光刻并对所述第二薄膜进行刻蚀。本技术中使用任一项包括光刻对位的标记图形单元的光刻版，且标记图形单元包括x行、y列光栅图形单元，使得刻蚀第一薄膜形成的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差；形成高度差；所述膜层保留区域图形和间隙区域图形的数量相同，且大于等于2，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上光栅图形单元形貌的影响较小，光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在形成第二薄膜后不易生成填充不足的光栅图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
附图说明
33.图1为典型的lsa光刻对位的标记图形单元100的俯视图；
34.图2为图1中的部分光栅图形单元沿虚线a的剖面图；
35.图3为一个实施例中一种光刻版的平面图；
36.图4为另一个实施例中一种光刻版的平面图；
37.图5为一个实施例中集成电路的制造方法的流程图；
38.图6为一实施例中晶圆表面的标记图形单元的俯视图；
39.图7为另一实施例中晶圆表面的标记图形单元的俯视图；
40.图8为图6或图7中的部分光栅图形单元沿虚线b或b’的剖面图。
具体实施方式
41.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
42.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
43.应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
44.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
45.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
46.这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。
47.本文所使用的半导体领域词汇为本领域技术人员常用的技术词汇，例如对于p型
filled mark)，该类型的标记图形单元具有不可预测的形貌，稳定性较差。
54.在一个实施例中，提供一种光刻版，包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，所述光栅图形单元包括：
55.多个膜层保留区域图形，所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域，至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同；多个间隙区域图形，所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域，所述间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和。
56.在一个实施例中，所述间隙区域图形的最大宽度小于4微米。
57.在一个实施例中，所述膜层保留区域图形的最大宽度小于4微米。
58.在一个实施例中，光刻版上的光栅图形单元的数量为1。
59.如图3所示，在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中存在大于等于一个膜层保留区域图形204的宽度与相邻一侧的间隙区域图形206的宽度相同。
60.光刻版200上的光栅图形单元202中有大于等于2个膜层保留区域图形204和大于等于2个间隙区域图形206，并且膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的数量相同。当光刻版200上的光栅图单元形202中有一个膜层保留区域图形204的宽度与相邻一侧的间隙区域图形206的宽度相同时，若该膜层保留区域图形204有两个相邻的间隙区域图形206，则该膜层保留区域图形204的宽度与其中一个间隙区域图形206的宽度相同，且该膜层保留区域图形204的宽度与另一个间隙区域图形206的宽度相同或者不相同。若该膜层保留区域图形204仅有1个相邻的间隙区域图形206，则该膜层保留区域图形204的宽度与相邻的间隙区域图形206的宽度相同。
61.如图3所示，在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202包括3个膜层保留区域图形204，且有两个膜层保留区域图形204的宽度相同。
62.如图3所示，在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206沿光刻版200的宽度方向间隔排列。
63.在另一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206沿光刻版200的长度方向间隔排列。
64.在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度均与相邻的间隙区域图形206的宽度不相同。例如，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度为数值a和数值a’，间隙区域图形206的宽度为数值b和数值b’；或光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度和间隙区域图形206的宽度均为不相同的同一组数值c、d、e，并且满足所有膜层保留区域图形204的宽度与相邻的间隙区域图形206的宽度不相同,例如，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度和间隙区域图形206的宽度依次为c、e、d、c、e、d；或光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度为不相同的一组数值，间隙区域图形206的宽度为至少有不同于膜层保留区域图形204的宽度的不相同的另一组数值，并且满足所有膜层保留区域图形204的宽度与相邻的间隙区域图形206的宽度不相同，例如，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度和间隙区域图形206的宽度依次
为f、h、g、f、h、i,或f、h、g、i、h、k；或膜层保留区域图形204的宽度和膜层保留区域图形204的宽度，为其他满足光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度均与相邻的间隙区域图形206的宽度不相同的数值。
65.在一个实施例中，所述光刻版200上的光栅图形单元202包括4个膜层保留区域图形204，且至少有两个所述膜层保留区域图形的宽度不相同。
66.在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和/或间隙区域图形206的宽度大于等于0.5微米且小于等于2微米，例如1微米，1.5微米等。
67.在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和/或间隙区域图形206的宽度为大于等于0.5微米且小于等于2微米的不同数值，例如膜层保留区域图形204和/或间隙区域图形206的宽度包括1.2微米、1.3微米、1.5微米；或包括1微米、1.2微米、1.3微米、1.5微米；或包括1微米、1.1微米、1.3微米、1.5微米等。
68.在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和/或间隙区域图形206的宽度为大于等于0.5微米且小于等于2微米的同一个数值，例如膜层保留区域图形204和/或间隙区域图形206的宽度包括1微米、1.1微米、1.2微米、1.3微米、1.4微米、1.5微米、1.6微米等。
69.如图3所示，在一个实施例中，光刻版200上的光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的宽度之和与间隙区域图形206的宽度之和之间的差值大于等于0微米且小于等于1微米。
70.如图3所示，在一个实施例中，膜层保留区域图形204的宽度之和与间隙区域图形206的宽度之和相加等于8微米，即光栅图形单元的宽度t1＝8微米。膜层保留区域图形204的宽度之和与间隙区域图形206的宽度之和(即光栅图形单元的周期)与1阶衍射光的反射方向有关，因此光栅图形单元的周期由lsa对位系统的衍射光传感器的位置决定。
71.在一个实施例中，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204的总宽度与间隙区域图形206的总宽度相等，均为4微米。
72.在一个实施例中光栅图单元形202中膜层保留区域图形204的总宽度与间隙区域图形206的总宽度相差1微米，例如膜层保留区域图形204的总宽度为5微米、间隙区域图形206的总宽度为3微米，或者膜层保留区域图形204的总宽度为3微米、间隙区域图形206的总宽度为5微米。
73.在一个实施例中，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204与间隙区域图形206的总宽度均为4微米，间隙区域图形量与所述膜层保留区域图形的数量均为3，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的宽度依次为1微米、1微米、2微米、1微米、1微米、2微米；或者光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的宽度依次为2微米、1微米、1微米、2微米、1微米、1微米；或者光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的宽度依次为1.5微米、1.5微米、1微米、1.5微米、1.5微米、1微米；或者光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的宽度依次为1微米、1.5微米、1.5微米、1微米、1.5微米、1.5微米。
74.在一个实施例中，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204与间隙区域图形206的总宽度均为4微米，间隙区域图形量与所述膜层保留区域图形的数量均为4，光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的宽度依次为1微米、1微米、0.5微米、1
微米、0.5微米、1微米、2微米、1微米；或者光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的宽度依次为1微米、2微米、25微米、0.5微米、1微米、0.5微米、1微米、1微米；或者光栅图形单元202中膜层保留区域图形204和间隙区域图形206的宽度依次为1微米、1微米、1微米、1微米、1微米、1微米、1微米、1微米。
75.上述光刻版，包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，所述光栅图形单元包括多个膜层保留区域图形，所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域，至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同；多个间隙区域图形，所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域，所述间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和。与传统的光刻版上的光栅图形单元相比，本技术中光刻版上的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上光栅图形单元形貌的影响较小，光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在后续工艺完成后不易生成填充不足的光栅图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
76.如图4所示，在一个实施例中，提供一种光刻版，包括用于光刻对位的标记图形单元302,标记图形单元302包括x行、y列光栅图形单元，所述光栅图形单元为上述任一项所述的光栅图形单元202，x为大于等于2的奇数，y为大于等于2的整数。
77.在一个实施例中，所述光刻版上的标记图形单元302包括5行、7列光栅图形单元，相邻两列光栅图形单元304的同一侧边之间的间距d1为20微米。
78.在一个实施例中，所述光刻版上的标记图形单元302包括7行、7列光栅图形单元，相邻两列光栅图形单元304的同一侧边之间的间距d1为20微米。在其他实施例中，根据需要设置光刻版上的光栅图形单元的行数和列数，只要满足x为大于等于2的奇数，y为大于等于2的整数即可。
79.如图4所示，在一个实施例中，光刻版300上的标记图形单元302中x行、y列光栅图形单元沿光刻版300的宽度方向间隔排列。
80.在另一个实施例中，光刻版300上的标记图形单元302中x行、y列光栅图形单元沿光刻版300的长度方向间隔排列。
81.上述光刻版，包括用于光刻对位的标记图形单元,所述标记图形单元包括x行、y列光栅图形单元，所述光栅图形单元为上述任一项所述的光栅图形单元，x为大于等于2的奇数，y为大于等于2的整数。与传统的光刻版上的标记图形单元相比，本技术中光刻版上构成标记图形单元的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上标记图形单元中的光栅图形单元形貌的影响较小，标记图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在后续工艺完成后不易生成填
充不足的光刻对位的标记图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
82.如图5所示，在一个实施例中，提供一种集成电路的制造方法，包括：
83.s102，获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜。
84.在一个实施例中，所述第一薄膜至少包括半导体薄膜、绝缘薄膜、金属薄膜、抗反射层薄膜中的一种。
85.在一个实施例中，所述衬底为半导体元素形成的衬底，例如单晶、多晶或是非晶体结构的硅衬底或硅锗衬底。
86.在一个实施例中，所述衬底为混合的半导体结构衬底，例如碳化硅衬底、锑化铟衬底、砷化铟衬底、磷化铟衬底、砷化镓衬底、锑化镓衬底、合金半导体结构衬底或其组合衬底。
87.在一个实施例中，所述衬底包括绝缘体上硅衬底(soi衬底)。
88.在一个实施例中，所述衬底上还形成有外延层薄膜、掩埋层的单层或多层结构薄膜。
89.在一个实施例中，所述绝缘薄膜包括多种形式生长的绝缘的二氧化硅薄膜，例如bpsg，psg，fsg，usg，teos，热氧化二氧化硅薄膜，湿氧化二氧化硅薄膜，富硅二氧化硅(sro)薄膜，其它多层膜组合薄膜、例如usg与bpsg的组合薄膜、usg与psg的组合薄膜等。
90.在一个实施例中，所述半导体薄膜包括半导体元素形成的薄膜，例如多晶硅薄膜。
91.在一个实施例中，所述绝缘薄膜包括氮化硅薄膜、碳化硅薄膜。
92.在一个实施例中，所述第一薄膜包括外延层薄膜、掩埋层的多层结构薄膜。
93.在一个实施例中，所述第一薄膜包括由抗反射层和硬掩模层构成的复合结构薄膜。
94.s104，在第一薄膜上形成光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜的光刻图形单元。
95.使用上述任一项所述的包括光刻对位的标记图形单元的光刻版对第一薄膜上形成的光刻胶进行光刻，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜。
96.s106，刻蚀得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的光栅图形单元。
97.刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜，得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元，且刻蚀后得到的膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差。
98.在一个实施例中，步骤s106是在晶圆划片道形成由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元。
99.s108，在第一薄膜上生长形成衍射光栅的第二薄膜。
100.在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第一薄膜的膜层保留区域图形和间隙区域图形上的第二薄膜受所述高度差影响使得第二薄膜上表面形成衍射光栅。
101.在一个实施例中，第二薄膜包括化学气相沉积形成的氧化层薄膜、钨金属薄膜；物理气相沉积形成的金属薄膜，例如钨金属薄膜、铝金属薄膜；外延薄膜；复合结构的薄膜，例如钛氮化钛薄膜、氧化层钛氮化钛薄膜等。
102.s110，通过所述衍射光栅进行光刻对位，对所述第二薄膜上形成的光刻胶进行光刻并对所述第二薄膜进行刻蚀。
103.在一个实施例中，通过所述衍射光栅进行光刻对位的步骤之前，还包括对所述第二薄膜上表面进行化学机械抛光平坦化处理的步骤。通过化学机械抛光平坦化处理使得第二薄膜的形貌变得光滑稳定，增加了对位的稳定性。
104.在一个实施例中，通过所述衍射光栅进行光刻对位的步骤是通过lsa系统进行的。
105.如图6所示，在一个实施例中，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上的步骤还包括：光刻完成后的光刻胶覆盖在相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜上，即光刻完成后的光刻胶覆盖在相邻两列光栅图形单元之间的区域402的第一薄膜上。通过步骤s106刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜，得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元，且刻蚀后得到的膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差，同时相邻两列光栅图形单元之间区域402的第一薄膜得以保留，相邻两列光栅图形单元之间区域402的第一薄膜与高于间隙区域图形的膜层保留区域图形的第一薄膜一起构成标记图形单元，图6为一实施例中晶圆表面的标记图形单元的俯视图。
106.如图7所示，为晶圆表面的标记图形单元的俯视图，在一个实施例中，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜的步骤还包括：光刻完成后的光刻胶露出相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜，即光刻完成后的光刻胶露出相邻两列光栅图形单元之间的区域502的第一薄膜。刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜的步骤还包括：刻蚀光刻胶露出的相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜。通过步骤s106刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜，得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元，且刻蚀后得到的膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差，同时相邻两列光栅图形单元之间区域502的第一薄膜被刻蚀掉，相邻两列光栅图形单元之间区域502与间隙区域图形一起构成标记图形单元，如图7为一实施例中晶圆表面的标记图形单元的俯视图。
107.图6或图7中的部分光栅图形单元沿虚线b或b’的剖面图如图8所示。一个光栅图形单元包括多个膜层保留区域图形204(line)和多个间隙区域图形206(space)，一个光栅中膜层保留区域图形204(line)和间隙区域图形206(space)的数量相同。
108.一种集成电路的制造方法，包括：获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜。使用上述任一项所述的包括光刻对位的标记图形单元的光刻版对第一薄膜上形成的光刻胶进行光刻，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜。刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜，得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元，且刻蚀后得到的膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差。在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第一薄膜的膜层保留区域图形和间隙区域图形上的第二薄膜受所述高度差影响使得第二薄膜上表面形成衍射光栅。通过所述衍射光栅进行光刻对位，对所述第二薄膜上形成的光刻胶进行光刻并对所述第二薄膜进行刻蚀。本技术中使用任一项包括光刻对位的标记图形单元的光刻版，且标记图形单元包括x行、y列光栅图形单元，使得刻蚀第
一薄膜形成的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差；形成高度差；所述膜层保留区域图形和间隙区域图形的数量相同，且大于等于2，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上光栅图形单元的形貌的影响较小，光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在形成第二薄膜后不易生成填充不足的光栅图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
109.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
110.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。