一种新的超级结器件及其制备方法与流程

1.本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种新的超级结器件及其制备方法。


背景技术：

2.高压和大功率器件常用于电力集成电路(integrated circuit，简称ic)的功率转换装置和电力控制系统。平面栅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，简称mosfet)作为一种高压器件被广泛应用。
3.在平面栅mosfet中，为了保持其外延区的电场分布，需要在外延区保持一定的最小厚度，外延区需要有一定的最小掺杂浓度。因此，由于电场分布与厚度和掺杂浓度之间的关系，很难获得小于一定电阻分量的mosfet。为了解决这一限制，提出了一种超结结构。传统的超结半导体器件包括与一般mosfet的栅极和p型井结构有些相似的元件。然而，在p型体区下端的n型柱区形成了获得超结特征的p型柱区。在一般mosfet中，当电压施加到其漏极时，耗尽层只向垂直方向延伸，而在传统的超结半导体器件中，当电压施加到其漏极时，耗尽层在垂直方向和水平方向上都延伸。在这种传统超结半导体器件中，当n型和p型区的电荷量相同，且n型和p型区耗尽时，可以获得较高的击穿电压，且由于电荷不存在于垂直方向，理论上垂直方向上的电场不断产生。
4.但是，传统的超结半导体器件对漏极加正电压时，由于漏极区附近n型柱区的电阻相对高于n 源区附近n型柱区的电阻，在n型柱区产生点位梯度，因此，扩展到n
‑
漂移区的耗尽区，由于电场减小而减小，使靠近漏区的电子通道变得非常窄。当电子从源极向漏极移动时，由于电子通过非常窄的通道，因此需要更高的漏极电压，当漏极电压较高时，水平方向的耗尽区扩展到n型柱区，n型柱区可能几乎成为耗尽区，导致夹断，使得在开启时不能获得高电流密度。


技术实现要素：

5.为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种新的超级结器件及其制备方法。
6.本发明的一个实施例提供了一种新的超级结器件，包括：
7.n 衬底；
8.n
‑
漂移区，设置于所述n 衬底上表面；
9.至少两个p型柱区，间隔设置于所述n
‑
漂移区内，其中，在所述n
‑
漂移区内形成有与所述p型柱区相邻分布的若干n型柱区，每个所述p型柱区包括若干平行于所述n 衬底且垂直连续排列分布的p型柱子区，对应的每个所述n型柱区包括若干n型柱子区，与所述p型柱子区相邻分布，每个所述p型柱区中最底端的所述p型柱子区、每个所述n型柱区中最底端的所述n型柱子区均掺杂有n型离子；
10.若干p 体区，分别设置于所述p型柱区中最顶端的p型柱子区；
11.若干n 源区，分别设置于所述p 体区内，且每个p 体区内设置有两个n 源区；
12.若干栅绝缘层，分别设置于所述n型柱区中最顶端的n型柱子区、部分所述p 体区、部分所述n 源区上；
13.若干栅极，分别设置于所述p 体区上方的所述栅绝缘层内；
14.源极，设置于若干所述栅绝缘层、部分所述n 源区、部分所述p 体区上；
15.漏极，设置于所述n 衬底下表面，以构成新的超级结器件。
16.在本发明的一个实施例中，每个所述n型柱区中除最底端的n型柱子区外的所有n型柱子区的掺杂浓度均为预设固定值，且小于最底端的n型柱子区的掺杂浓度。
17.在本发明的一个实施例中，每个所述p型柱区中每个p型柱子区的掺杂浓度小于除最底端的n型柱子区外的所有n型柱子区的掺杂浓度。
18.在本发明的一个实施例中，每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区的掺杂浓度最低。
19.在本发明的一个实施例中，每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区的掺杂浓度为1
×
102cm
‑3～1
×
103cm
‑3。
20.在本发明的一个实施例中，每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区的面积小于与之相邻的上端p型柱子区的面积，除最底端的p型柱子区外的所有p型柱子区的形状、面积相同。
21.在本发明的一个实施例中，每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区高度为所述p型柱区总高度的10％～40％。
22.在本发明的一个实施例中，每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区宽度为与之相邻的上端p型柱子区宽度的10％～30％。
23.在本发明的一个实施例中，每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区到所述n 衬底距离至少为5μm。
24.本发明的另一个实施例提供了一种新的超级结器件的制备方法，包括以下步骤：
25.步骤1、选取n 衬底；
26.步骤2、在所述n 衬底上表面生长第一n
‑
漂移区；
27.步骤3、确定每个p型柱区中每个p型柱子区的高度、宽度，以及相邻所述p型柱子区之间的间距；
28.步骤4、根据每个p型柱区中最底端的p型柱子区的宽度和相邻p型柱子区之间的间距，在所述第一n
‑
漂移区上形成第一硬掩模介质层，利用所述第一硬掩模介质层对所述第一n
‑
漂移区进行p型离子注入，形成每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区；
29.步骤5、根据每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区的高度，对每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区进行n型离子注入，同时对所述第一n
‑
漂移区进行n型离子注入，形成超结jfet离子注入区；
30.步骤6、在所述第一n
‑
漂移区上生长第二n
‑
漂移区；
31.步骤7、根据每个p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的p型柱子区的宽度，以及相邻p型柱子区之间的间距，在所述第二n
‑
漂移区形成第二硬掩模介质层，根据每个所述p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的p型柱子区的高度，利用所述第二硬掩模介质层对所述第二n
‑
漂移区进行p型离子注入，形成每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区相邻的p型
柱子区；
32.步骤8、重复步骤6、步骤7，形成每个p型柱区中若干平行于所述n 衬底且垂直连续排列分布的p型柱子区，对应的形成若干n型柱区，每个所述n型柱区包括若干n型柱子区，与所述p型柱子区相邻分布；
33.步骤9、在每个所述p型柱区中最顶端的p型柱子区上方形成p 体区；
34.步骤10、在所述p 体区内形成n 源区；
35.步骤11、在部分所述p 体区、部分所述n 源区、所述n型柱区中最顶端的n型柱子区上生长第一sio2隔离介质；
36.步骤12、对所述p 体区上方的所述第一sio2隔离介质进行刻蚀形成若干沟槽，在每个所述沟槽内部分填充栅极材料形成栅极，再在每个所述沟槽内的栅极、所述第一sio2隔离介质上生长第二sio2隔离介质形成栅绝缘层；
37.步骤13、在所述n 衬底下表面沉积漏金属形成漏极，在所述栅绝缘层、所述n 源区、所述p 体区上沉积源金属形成源极，以完成新的超级结器件的制备。
38.与现有技术相比，本发明的有益效果：
39.本发明提供的新的超级结器件的制备方法，在p型柱区和n型柱区的底端进行n离子掺杂，使得水平方向的耗尽区很少扩散到n型柱区，n型柱区与p型柱区的电荷量平衡，因此，通过减少耗尽层来拓宽电流流动的路径，从而减小源漏电阻(rds/on)，且可以防止夹断，获得更高的电流密度。
40.以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
附图说明
41.图1是本发明实施例提供的一种新的超级结器件的结构示意图；
42.图2是本发明实施例提供的一种新的超级结器件的制备方法的流程示意图；
43.图3a～图3l是本发明实施例提供的一种新的超级结器件的制备方法的工艺结构示意图。
44.附图标记说明：
[0045]1‑
n 衬底；2
‑
n
‑
漂移区；2a
‑
第一n
‑
漂移区；2b
‑
第二n
‑
漂移区；3a
‑
p型柱区中最底端的p型柱子区；3b
‑
p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区；4
‑
超结jfet离子注入区；5
‑
p 体区；6
‑
n 源区；7
‑
第一sio2隔离介质；8
‑
栅极；9
‑
源极；10
‑
漏极。
具体实施方式
[0046]
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
[0047]
实施例一
[0048]
请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种新的超级结器件的结构示意图。本实施例提出了一种新的超级结器件，该新的超级结器件包括：
[0049]
n 衬底1；
[0050]
n
‑
漂移区2，设置于n 衬底1上表面；
[0051]
至少两个p型柱区，间隔设置于n
‑
漂移区2内，其中，在n
‑
漂移区2内形成有与p型柱
区相邻分布的若干n型柱区，每个p型柱区包括若干平行于n 衬底1且垂直连续排列分布的p型柱子区，对应的每个n型柱区包括若干n型柱子区，与p型柱子区相邻分布，每个p型柱区中最底端的p型柱子区、每个n型柱区中最底端的n型柱子区均掺杂有n型离子；
[0052]
若干p 体区5，分别设置于p型柱区中最顶端的p型柱子区；
[0053]
若干n 源区6，分别设置于p 体区5内，且每个p 体区5内设置有两个n 源区6；
[0054]
若干栅绝缘层，分别设置于n型柱区中最顶端的n型柱子区、部分p 体区5、部分n 源区6上；
[0055]
若干栅极，分别设置于p 体区5上方的栅绝缘层内；
[0056]
源极9，设置于若干栅绝缘层、部分n 源区6、部分p 体区5上；
[0057]
漏极10，设置于n 衬底1下表面，以构成新的超级结器件。
[0058]
优选地，n 衬底1为高掺杂的n 型碳衬底，n 衬底1的掺杂浓度至少为5
×
10
18
cm
‑3。
[0059]
优选地，n
‑
漂移区2的材料包括硅si、碳化硅sic、锗ge、硅锗晶体sige、氮化镓gan、砷化镓gaas，n
‑
漂移区2的厚度为不超过170μm。
[0060]
本实施例每个n型柱区中除最底端的n型柱子区外的所有n型柱子区的掺杂浓度均为预设固定值，且小于每个n型柱区中最底端的n型柱子区的掺杂浓度；每个p型柱区中每个p型柱子区的掺杂浓度小于除最底端的n型柱子区外的所有n型柱子区的掺杂浓度，每个p型柱区中最底端的p型柱子区的掺杂浓度最低。例如本实施例与n 衬底1相邻的n型柱区的掺杂浓度高于与n 源区6相邻的n型柱区的掺杂浓度；与n 衬底1相邻的p型柱区的掺杂浓度低于与n 源区6相邻的n型柱区的掺杂浓度。
[0061]
优选地，每个n型柱区中最底端的n型柱子区的掺杂浓度均为5
×
10
15
cm
‑3～6
×
10
15
cm
‑3；每个n型柱区中除最底端的n型柱子区外的所有n型柱子区的掺杂浓度均为2
×
10
15
cm
‑3～3
×
10
15
cm
‑3；每个p型柱区中除最底端的p型柱子区外的所有p型柱子区的掺杂浓度均为4
×
10
15
cm
‑3～5
×
10
15
cm
‑3；在垂直方向上，每个p型柱区中最底端的p型柱子区的掺杂浓度为1
×
102cm
‑3～1
×
103cm
‑3。
[0062]
进一步地，本实施例每个p型柱区中最底端的p型柱子区的面积小于与之相邻的上端p型柱子区的面积，除最底端的p型柱子区外的所有p型柱子区的形状、面积相同，具体地：每个p型柱区中最底端的p型柱子区高度为p型柱区总高度的10％～40％；每个p型柱区中最底端的p型柱子区宽度为与之相邻的上端p型柱子区宽度的10％～30％。其中，每个p型柱区中最底端的p型柱子区的宽度、高度根据该超级结器件导通电流的要求来确定，除最底端的p型柱子区外的所有p型柱子区的宽度、高度根据该超级结器件的导通电阻和反向击穿电压的要求来确定。
[0063]
进一步地，本实施例每个p型柱区中最底端的p型柱子区、每个n型柱区中最底端的n型柱子区均还额外掺杂有n型离子，形成jfet离子注入区，该n型掺杂局部降低了最底端的p型柱子区的p型掺杂浓度，局部增加了最底端的n型柱子区的n型掺杂浓度。通过该额外n型掺杂控制使得每个p型柱区中最底端的p型柱子区的掺杂浓度为最低，且可以达到1
×
102cm
‑3～1
×
103cm
‑3。
[0064]
优选地，每个p型柱区中最底端的p型柱子区到n 衬底1距离至少为5μm。
[0065]
优选地，p 体区5的深度为4μm～5μm，掺杂浓度为3
×
10
18
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3。
[0066]
优选地，n 源区6的深度为2μm～3μm，掺杂浓度为3
×
10
18
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3。
[0067]
优选地，栅绝缘层包括厚度为6μm～8μm的sio2隔离介质、厚度为2μm～3μm的栅极8。
[0068]
优选地，栅极材料为磷离子掺杂多晶硅栅，掺杂浓度为5
×
10
19
cm
‑3～1
×
10
20
cm
‑3。
[0069]
优选地，源金属包括al、cu或al/cu合金，源极9的厚度为10μm～15μm。
[0070]
优选地，漏金属包括al、cu或al/cu合金，漏极10的厚度为10μm～15μm。
[0071]
综上所述，本实施例提出的新的超级结器件，在p型柱区和n型柱区的底端进行n离子掺杂，使得水平方向的耗尽区很少扩散到n型柱区，n型柱区与p型柱区的电荷量平衡，因此，通过减少耗尽层来拓宽电流流动的路径，从而减小源漏电阻(rds/on)，且可以防止夹断，获得更高的电流密度；本实施例由于将p型柱区底端变窄，则n型柱区底端变宽，使得即使水平方向的耗尽层延伸到n型柱区，也可以确保n型柱底端的电流流动路径类似于n型柱上端的电流流动路径，从而进一步地获得更高的电流密度。
[0072]
实施例二
[0073]
在上述实施例一的基础上，请参见图2、图3a～图3l，图2是本发明实施例提供的一种新的超级结器件的制备方法的流程示意图，图3a～图3l是本发明实施例提供的一种新的超级结器件的制备方法的工艺结构示意图，本实施例提出了一种新的超级结器件的制备方法，该新的超级结器件的制备方法包括以下步骤：
[0074]
步骤1、选取n 衬底1。
[0075]
具体而言，本实施例n 衬底1选取高掺杂的n 型衬底，掺杂浓度要求较高，并对n 型碳衬底采用rca清洗标准进行清洗。
[0076]
优选地，n 衬底1为碳衬底，n 衬底1的掺杂浓度至少为5
×
10
18
cm
‑3。
[0077]
步骤2、在n 衬底1上表面生长第一n
‑
漂移区2a。
[0078]
具体而言，请再参见图3a，本实施例在n 衬底1表面外延生长氮离子掺杂的第一n
‑
漂移区2a，其工艺条件是：外延温度为1570℃，压力为100mbar，反应气体采用硅烷和丙烷，载运气体采用纯氢气，杂质源采用液态氮气。
[0079]
优选地，第一n
‑
漂移区2a的材料包括硅si、碳化硅sic、锗ge、硅锗晶体sige、氮化镓gan、砷化镓gaas，第一n
‑
漂移区2a的厚度为25μm～35μm、掺杂浓度为5
×
10
15
cm
‑3～6
×
10
15
cm
‑3。
[0080]
步骤3、确定每个p型柱区中每个p型柱子区的高度、宽度，以及相邻p型柱子区之间的间距。
[0081]
具体而言，本实施例第一n
‑
漂移区2a内至少形成有两个p型柱区，每个p型柱区包括若干p型柱子区，每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a的高度、宽度，以及相邻最底端的p型柱子区3a之间的间距根据该超级结器件导通电流的要求来确定,每个p型柱区中除最底端的p型柱子区3a外的p型柱子区的高度、宽度，以及每个p型柱区中除最底端的p型柱子区3a外的p型柱子区之间的间距根据该超级结器件的导通电阻和反向击穿电压的要求来确定，具体根据实际设计需要确定宽度、高度，以及相邻p型柱子区之间的间距。
[0082]
步骤4、根据每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a的宽度和相邻p型柱子区之间的间距，在第一n
‑
漂移区2a上形成第一硬掩模介质层，利用第一硬掩模介质层对第一n
‑
漂移区2a进行p型离子注入，形成每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a。
[0083]
具体而言，请再参见图3b，在第一n
‑
漂移区2a中使用掩膜，确定每个p型柱区中最
底端的p型柱子区3a，具体根据步骤3确定的每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a的宽度，和相邻p型柱子区之间的间距，此时相邻p型柱子区指的是每个p型柱区中最底端的两个相邻p型柱子区，在第一n
‑
漂移区2a上淀积第一硬掩模介质层，确定每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a，在该p型柱子区进行离子注入形成每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a，例如注入离子可以为al。其中，当使用第一硬掩模介质层注入离子时，需要定义每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a的大小和面积，使该区的大小和面积小于与之相邻的上端p型柱子区的大小和面积，第一n
‑
漂移区2a和最底端的p型柱子区3a形成交替排列的底层超级结结构。
[0084]
优选地，每个p型柱区中最底端的注入离子浓度为1
×
10
15
cm
‑3～2
×
10
15
cm
‑3、厚度为20μm～30μm。
[0085]
优选地，每个所述p型柱区中最底端的p型柱子区3a到所述n 衬底1距离至少为5μm。
[0086]
步骤5、根据每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a的高度，对每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a进行n型离子注入，同时对第一n
‑
漂移区2a进行n型离子注入，形成超结jfet离子注入区4。
[0087]
具体而言，请再参见图3c，首先去除第一硬掩模介质层，在第一硬掩模介质层去除后，根据每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a的高度，在每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a、第一n
‑
漂移区2a形成的整个表面进行n型离子注入形成超结jfet离子注入区4，然后在1700～1750℃氩气氛围中进行离子激活退火10min，以扩散n型注入离子。
[0088]
优选地，在每个p型柱区中最底端的p型柱子区3a、第一n
‑
漂移区2a注入离子包括砷as、磷p，注入离子浓度为1
×
10
15
cm
‑3～2
×
10
15
cm
‑3。
[0089]
步骤6、在第一n
‑
漂移区2a上生长第二n
‑
漂移区2b。
[0090]
具体而言，请再参见图3d，在第一n
‑
漂移区2a上外延生长氮离子掺杂的第二n
‑
漂移区2b，其工艺条件是：外延温度为1570℃，压力为100mbar，反应气体采用硅烷和丙烷，载运气体采用纯氢气，杂质源采用液态氮气。
[0091]
优选地，第二n
‑
漂移区2b的材料包括硅si、碳化硅sic、锗ge、硅锗晶体sige、氮化镓gan、砷化镓gaas，第二n
‑
漂移区2b的厚度为20μm～30μm、掺杂浓度为2
×
10
15
cm
‑3～3
×
10
15
cm
‑3。
[0092]
步骤7、根据每个p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b的宽度，以及相邻p型柱子区之间的间距，在第二n
‑
漂移区2b形成第二硬掩模介质层，根据每个p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b的高度，利用第二硬掩模介质层对第二n
‑
漂移区2b进行p型离子注入，形成每个p型柱区中最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b。
[0093]
具体而言，请再参见图3e，每个p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b的宽度，以及相邻p型柱子区之间的间距，此时相邻p型柱子区指的是每个p型柱区中最底端的p型柱子区上端的两个相邻p型柱子区，在第二n
‑
漂移区2b上淀积第二硬掩模介质层，确定每个p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b，在该p型柱子区进行离子注入形成每个p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b，例如注入离子可以为al。其中，每个p型柱区中最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b的大小和面积，大于与之相邻的最底端p型柱子区3a的大小和面积，第二n
‑
漂移区2b和与最底端的p
型柱子区相邻的上端p型柱子区3b形成交替排列的超级结结构。
[0094]
优选地，每个p型柱区中与最底端的p型柱子区相邻的上端p型柱子区3b厚度为20μm～30μm、注入离子浓度为1
×
10
15
cm
‑3～2
×
10
15
cm
‑3。
[0095]
步骤8、重复步骤6、步骤7，形成每个p型柱区中若干平行于n 衬底1且垂直连续排列分布的p型柱子区，对应的形成若干n型柱区，每个n型柱区包括若干n型柱子区，与p型柱子区相邻分布。
[0096]
具体而言，请再参见图3f，重复步骤6、步骤7，在第二n
‑
漂移区2b继续生长第三n
‑
漂移区，在第三n
‑
漂移区掩膜p型离子注入形成p型子柱区，依次类推，比如形成第四n
‑
漂移区、第五漂移区，对应的分布在第四n
‑
漂移区、第五漂移区掩膜离子注入形成p型子柱区、p型子柱区。然后在1700～1750℃氩气氛围中进行离子激活退火10min，以扩散p型离子注入。其中，整个n
‑
漂移区的厚度为不超过170μm，即垂直分布的若干n型柱区的厚度为不超过170μm。
[0097]
步骤9、在每个p型柱区中最顶端的p型柱子区上方形成p 体区5。
[0098]
具体而言，请再参见图3g，在每个p型柱区中最顶端的p型柱子区上方淀积一层sio2层，然后淀积一层al作为p 体区5离子注入的阻挡层，通过光刻和刻蚀形成p 体区5，具体工艺包括：在650℃的环境温度下对p 体区5进行al离子注入，然后采用rca清洗标准对硅表面进行清洗及烘干；然后在1700～1750℃氩气氛围中进行离子激活退火10min。
[0099]
优选地，p 体区5的深度为4μm～5μm，掺杂浓度为3
×
10
18
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3。
[0100]
步骤10、在p 体区5内形成n 源区6。
[0101]
具体而言，请再参见图3h，在p 体区5上淀积一层sio2层，然后淀积al作为n 源区6离子注入的阻挡层，通过光刻和刻蚀形成n 源区6，具体工艺包括：在650℃的环境温度下对n 源区6进行两次氮离子注入；然后采用rca清洗标准对硅表面进行清洗及烘干；然后在1700～1750℃氩气氛围中进行离子激活退火10min。
[0102]
优选地，n 源区6地深度为2μm～3μm，掺杂浓度为3
×
10
18
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3。
[0103]
步骤11、在部分p 体区5、部分n 源区6、n型柱区中最顶端的n型柱子区上生长第一sio2隔离介质7。
[0104]
具体而言，请再参见图3i，在部分p 体区5、部分n 源区6、n型柱区中最顶端的n型柱子区上生长第一n 纳米薄层，外延温度为1570℃，之后先在1200℃下干氧氧化一小时，干氧氧化一小时之后，再在950℃下湿氧氧化一小时形成sio2氧化膜，通过光刻和刻蚀形成第一sio2隔离介质7。
[0105]
优选地，第一n 纳米薄层的厚度为1μm～1.5μm，掺杂浓度为1
×
10
18
cm
‑3～1
×
10
19
cm
‑3，第一sio2隔离介质7的厚度为4μm～5μm。
[0106]
步骤12、对p 体区5上方的第一sio2隔离介质7进行刻蚀形成若干沟槽，在每个沟槽内部分填充栅极材料形成栅极8，再在每个沟槽内栅极、第一sio2隔离介质上生长第二sio2隔离介质形成栅绝缘层。
[0107]
具体而言，请再参见图3j，通过光刻和刻蚀p 体区5上方的第一sio2隔离介质7形成若干沟槽，请再参见图3k，在每个沟槽内部分沉积填充栅极材料形成栅极8，沉积温度为600～650℃，沉积的栅极材料可以为磷离子掺杂多晶硅栅，再在每个沟槽内填充的栅极8和第一sio2隔离介质7上生长第二n 纳米薄层，并进行干氧氧化，即si原子层被氧化，形成第
二sio2隔离介质，由栅极8、第一sio2隔离介质7、第二sio2隔离介质形成栅绝缘层。
[0108]
优选地，沟槽的深度为4μm～6μm，栅极材料的掺杂浓度为5
×
10
19
cm
‑3～1
×
10
20
cm
‑3，栅极8的厚度为2μm～3μm，第一sio2隔离介质7处第二n 纳米薄层的厚度为2μm～3μm，栅极8处第二n 纳米薄层的厚度为0.5μm～1μm，栅绝缘层厚度为6μm～8μm。
[0109]
步骤13、在n 衬底1下表面沉积漏金属形成漏极10，在栅绝缘层、n 源区6、p 体区5上沉积源金属形成源极9，以完成新的超级结器件的制备。
[0110]
具体而言，请再参见图3l，在n 衬底1下表面沉积漏金属作为漏极10，在栅绝缘层、n 源区6、p 体区5上沉积源金属作为源极9，并分别在1100
±
50℃温度下的氮气气氛中退火3分钟形成欧姆接触。
[0111]
优选地，漏金属包括al、cu、al/cu合金，漏极10的厚度为10μm～15μm，源金属包括al、cu、al/cu合金，源极9的厚度为10μm～15μm。
[0112]
本实施例提出的新的超级结器件的制备方法，可以执行上述实施例一所述的新的超级结器件实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。
[0113]
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。