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一种显示面板及其制备方法和显示装置与流程

2021-10-24 08:02:00 来源:中国专利 TAG:显示 制备方法 装置 面板

技术特征:
1.一种显示面板,包括基板,设置于所述基板上的不同颜色的发光二极管,其特征在于,还包括光线分散结构,位于所述发光二极管的背离所述基板的一侧,且所述光线分散结构包覆所述发光二极管,能对所述发光二极管发出的光线进行散射。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光线分散结构包括基体和散射粒子,所述散射粒子分散于所述基体中;所述基体能透光;所述散射粒子能够对照射至其上的光线进行散射和反射;和/或,所述散射粒子能够对照射至其上的光线进行散射和透射。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述基体采用光学透明胶材;所述散射粒子采用纳米或微米级的氧化镁粒子;和/或,所述散射粒子采用纳米或微米级的二氧化钛粒子;和/或,所述散射粒子采用纳米或微米级的二氧化硅粒子。4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述基体的厚度范围为10~200μm。5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述散射粒子在所述基体中的质量百分比范围为0.1%~20%。6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述基体在所述基板上的正投影形状包括圆形、椭圆形、长方形或正方形;所述基体沿垂直于所述基板的截面的边缘轮廓为弧线形或者靠近所述基板侧开口的矩形框形。7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述发光二极管包括多个红色发光二极管、多个绿色发光二极管和多个蓝色发光二极管,所述多个红色发光二极管、所述多个绿色发光二极管和所述多个蓝色发光二极管呈阵列排布;所述光线分散结构的数量为多个,多个所述光线分散结构与多个不同颜色的发光二极管一一对应分布;且任意相邻两所述光线分散结构之间相互间隔;或者,任意相邻两所述光线分散结构之间相互连接。8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,对应包覆所述红色发光二极管的所述光线分散结构中所述散射粒子在所述基体中的质量百分比大于对应包覆所述绿色发光二极管和所述蓝色发光二极管的所述光线分散结构中所述散射粒子在所述基体中的质量百分比。9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,对应包覆所述红色发光二极管的所述光线分散结构中所述基体的厚度大于或等于对应包覆所述绿色发光二极管和所述蓝色发光二极管的所述光线分散结构中所述基体的厚度。10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,对应包覆所述红色发光二极管的所述光线分散结构中所述基体的形状与对应包覆所述绿色发光二极管和所述蓝色发光二极管的所述光线分散结构中所述基体的形状不同。11.根据权利要求7

10任意一项所述的显示面板,其特征在于,还包括反射抑制层和保护层;所述反射抑制层和所述保护层设置于所述光线分散结构的背离所述发光二极管的一侧,且所述反射抑制层和所述保护层依次远离所述光线分散结构分布;所述反射抑制层的光线透过率范围为1%~10%,所述反射抑制层能抑制照射至其上
的光线发生反射。12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述反射抑制层的靠近所述光线分散结构的一侧表面与所述光线分散结构的背离所述基板的一侧表面形状相适配;所述反射抑制层的背离所述光线分散结构的一侧表面为平面;所述反射抑制层的与所述基板相接触的部分的厚度大于所述反射抑制层的与所述光线分散结构相接触的部分的厚度。13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述反射抑制层的形状与所述光线分散结构的背离所述基板的一侧表面形状相适配;所述反射抑制层的厚度均匀。14.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,还包括透明胶层,位于所述反射抑制层与所述光线分散结构之间,所述反射抑制层的靠近所述透明胶层的一侧表面和背离所述透明胶层的一侧表面均为平面,且所述反射抑制层的厚度均匀。15.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述反射抑制层采用添加有炭黑的光学透明胶材;所述保护层采用pet、pi或pc材料。16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1

15任意一项所述的显示面板。17.一种如权利要求1

15任意一项所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括:将制备完成的不同颜色的发光二极管转移到基板上;采用喷墨打印工艺在完成上述步骤的所述基板上制备光线分散结构。

技术总结
本发明提供一种显示面板及其制备方法和显示装置。该显示面板包括基板,设置于基板上的不同颜色的发光二极管,还包括光线分散结构,位于发光二极管的背离基板的一侧,且光线分散结构包覆发光二极管,能对发光二极管发出的光线进行散射。该显示面板通过设置光线分散结构,能够改善不同颜色的发光二极管视角空间亮度分布不一致的问题,从而改善该显示面板的视角色偏现象,进而提升该显示面板的显示效果。果。果。


技术研发人员:金亮亮 杨泽洲 马若玉 田超
受保护的技术使用者:京东方晶芯科技有限公司
技术研发日:2021.07.20
技术公布日:2021/10/23
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