一种提升NorFlash存储器存储性能的方法及装置与流程

一种提升nor flash存储器存储性能的方法及装置
技术领域
1.本发明涉及存储器术领域，具体涉及一种提升nor flash存储器存储性能的方法及装置。


背景技术：

2.如附图1，对于nor flash芯片来说，擦除过程是一个降低存储单元阈值电压的过程，将擦除成后存储单元内的数据视为“1”，而写编程过程是一个提高存储单元阈值电压的过程，将编程成功后的存储单元内的数据视为“0”。可见存储数据为“0”的单元所对应的阈值电压
△
vt0要高于存储数据为“1”的单元所对应的阈值电压
△
vt1。
3.在执行擦除操作时对于存储单元来说，通过字线(word line)对与其相连接的存储单元控制栅极施加负高压，对p
‑
型衬底施加正高压，即可使得浮栅层中的电子在内电场的作用下通过隧道氧化层穿到衬底中，最终存储单元的阈值电压大幅降低，这个过程称为擦除过程，反之即为编程过程。举例假设未被擦除的单元阈值电压
△
vt0＝7v，存储单元在经过擦除擦除过程后，假设对应的阈值电压降为
△
vt1＝2v，即可实现从“0”擦除成“1”。
4.但是在实际操作中由于工艺缺陷、修复操作不适配等原因使得存储数据为“1”的单元阈值电压值会出现低于安全电压的现象，即出现异常漏电的问题存储单元，此外在擦除过程中因存储器芯片异常断电掉电、强制进行复位等违规操作导致过度擦除的单元的阈值电压也异常降低，从而导致的大面积漏电，这些问题的出现使得错读误读的现象增加，严重影响了存储器的存储稳定性和可靠性，急需解决。


技术实现要素：

5.针对现有技术的不足，本发明提供一种提升nor flash存储器存储性能的方法及装置，能够快速检测出问题存储单元，并有效改善提高问题存储单元阈值电压，达到了在提升存储器整体存储数据稳定性的同时又能兼顾存储器综合性能的效果。
6.本发明解决技术问题采用如下技术方案：
7.本发明提供一种提升nor flash存储器存储性能的方法，所述方法包括：
8.在nor flash存储器接收上电操作命令后，即对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压
△
vt；
9.记录存储阵列中电压
△
vt低于验证电压的区域地址，并对其按照电压
△
vt大小反序进行修复等级认定；
10.执行nor flash存储器上电操作并同步对最高修复等级的区域交替进行阈值电压修复操作和修复验证操作，其中按照交替次数每重复预设次、字线加压值递增
△
v，顺次执行阈值电压修复操作直至修复验证通过；
11.待下一次上电操作命令送达时，重复执行上述步骤；
12.若nor flash存储器执行擦除操作时出现断电或违规复位操作，则记录此时擦除操作目标区域地址，待下一次上电操作命令送达时，直接认定该区域为最高修复等级并执
行后续修复步骤。
13.优选地，所述对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压
△
vt具体包括：
14.对存储阵列进行区域划分；
15.对划分后的区域依次执行：
16.将该区域部内所有字线电压设置为预设检测电压；
17.依次读取选中的位线上的电流并将其转换该位线上存储单元所对应的阈值电压
△
vt。
18.优选地，所述对存储阵列进行区域划分具体按照存储阵列内部物理走线进行划分；
19.对划分后的区域还执行以下操作：
20.依次将读取选中的位线上的电流与预设的基准电流进行比较；
21.若二者差值未超过预定值则继续检测该区域内的其余位线，
22.否则判断此区域为异常区域，并对该区域按页执行详细检测，包括对页内部以一个字节为单位进行顺序检测，定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址。
23.优选地，所述阈值电压修复操作包括根据阈值电压异常过低的存储单元数量及分布情况选择执行顺次修复、局部修复或精确修复中的一种，具体包括：
24.若待修复区域内每根位线上都存在需要修复的存储单元，则先将待修复区域所有字线加压至预设修复电压，基于地址自增，顺次对所有页完成以字节为单位进行位线选通的修复操作；
25.若待修复区域内阈值电压异常过低的存储单元数量超过预设值，则将异常存储单元所在页的字线加压至预设修复电压，，并按页执行局部修复，包括对页内部以字节为单位进行位线选通；
26.否则将待修复区域单根字线加压至预设修复电压，并根据定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址选通对应位线进行精确修复。
27.优选地，所述直接认定该区域为最高修复等级并执行后续步骤中的阈值电压修复操作修复操作为顺次修复。
28.优选地，所述预设检测电压和验证电压的数值按照使得阈值电压降低至安全电压以下的存储单元均被检测判断为阈值电压异常过低的存储单元进行配置；
29.所述预设修复电压的数值按照使得修复验证通过后的存储单元的阈值电压达到正常存储“1”数据的阈值电压进行配置。
30.本发明还提供一种提升nor flash存储器存储性能的装置，包括检测模块、地址缓存模块、修复数据存储模块、计数器模块和修复控制模块，其中，
31.检测模块，配置成用于在nor flash存储器接收上电操作命令后，即对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压
△
vt，并将存储阵列中电压
△
vt低于验证电压的异常区域地址送入地址缓存模块存储，并对异常区域按照电压
△
vt大小反序进行修复等级认定；
32.地址缓存模块，配置成用于存储存储阵列中各异常区域地址，并在上电操作完成
后清除地址数据；
33.修复数据存储模块，配置成用于动态实时存储最高修复等级或者断电或违规复位操作时正在操作的的区域地址、预设次数值、单次加压递增至
△
v和预设修复电压；
34.计数器模块，配置成用于实时对阈值电压修复操作和修复验证操作次数进行计数；
35.修复控制模块，配置成读取修复数据存储模块中的存储数据，在nor flash存储器执行上电操作时同步对最高修复等级的区域交替进行阈值电压修复操作和修复验证操作，其中按照交替次数每重复预设次、字线加压值递增
△
v，顺次执行阈值电压修复操作直至修复验证通过。
36.优选地，所述检测模块还配置对存储阵列中的各区域内所有位线电压设置为预设检测电压，依次读取选中的位线上的电流并将其转换该位线上存储单元所对应的阈值电压
△
vt；
37.通过将内部设定好的基准电流与选中的位上的电流进行比较，若二者差值未超过预定值则继续检测该区域内的其余位线，否则判断此区域为异常区域，并对该区域按页执行详细检测，包括对页内部以一个字节为单位进行顺序检测，定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址。
38.优选地，所述修复控制模块还配置为根据阈值电压异常过低的存储单元数量及分布情况选择执行顺次修复、局部修复或精确修复中的一种，具体包括：
39.若待修复区域内每根位线上都存在需要修复的存储单元，则先将待修复区域所有字线加压至预设修复电压，基于地址自增，顺次对所有页完成以字节为单位进行位线选通的修复操作；
40.若待修复区域内阈值电压异常过低的存储单元数量超过预设值，则将异常存储单元所在页的字线加压至预设修复电压，，并按页执行局部修复，包括对页内部以字节为单位进行位线选通；
41.否则将待修复区域单根字线加压至预设修复电压，并根据定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址选通对应位线进行精确修复；
42.所述修复验证操作具体为控制检测模块重复执行各存储单元阈值电压检测动作，并将检测的阈值电压与安全电压的数值进行比较，判断修复验证是否通过。
43.本发明还提供一种nor flash存储器，包含如前述的提升nor flash存储器存储性能的装置。
44.与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
45.本发明提出一种提升nor flash存储器存储性能方法，不仅修复提高了正常擦除操作引起的存储数据为“1”的单元
△
vt1值过低的问题，还修复提高了在擦除过程中(对wl施加负高压well施加正高压)期间因存储器芯片异常断电掉电、强制进行复位等违规操作导致过度擦除的单元的阈值电压
△
vt1值，有效防止和解决了因过度擦除而导致的大面积漏电问题，大大减少了错读误读的可能性，同时本发明创造性的将修复过程和上电操作过程匹配设置，使得对部分阵列区域储数据为“1”的单元进行修“1”的操作，不仅可以改善提高存储数据为“1”的单元的阈值电压，而且还不会造成过度浪费上电时间，避免了盲目修复所带来的大量增加芯片功耗的问题，达到了在提升芯片整体存储数据稳定性的同时又能兼
顾芯片综合性能的效果；
46.本发明以略微增加存储器芯片面积为代价，在芯片内部设计出了提升nor flash存储器存储性能的装置，实现了在nor flash存储器上电过程中，修复了由于正常擦除操作导致存储数据为“1”的单元阈值电压
△
vt1值过低的现象，还解决了擦除过程期间由于存储器芯片异常断电掉电、强制进行复位等违规操作导致阈值电压过低的单元，从而达到提升nor flash芯片存储数据稳定性与可靠性，延长了nor flash芯片的使用寿命。
47.关于本发明相对于现有技术，其他突出的实质性特点和显著的进步在实施例部分进一步详细介绍。
附图说明
48.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
49.图1为nor flash擦除、编程阈值电压变化示意图；
50.图2为nor flash存储单元结构示意图；
51.图3为nor flash存储阵列示意图；
52.图4为实施例1中一种提升nor flash存储器存储性能的方法流程图；
53.图5为实施例2中一种提升nor flash存储器存储性能的装置结构示意图；
54.图6为实施例3中一种提升nor flash存储器结构示意图。
具体实施方式
55.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
56.需要说明的是，在说明书及权利要求书当中使用了某些名称来指称特定组件。应当理解，本领域普通技术人员可能会用不同名称来指称同一个组件。本技术说明书及权利要求书并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的实质性差异作为区分组件的准则。如在本技术说明书和权利要求书中所使用的“包含”或“包括”为一开放式用语，其应解释为“包含但不限定于”或“包括但不限定于”。具体实施方式部分所描述的实施例为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围。
57.实施例1
58.在介绍本实施例之前，需要对现有存储阵列异常漏电读取数据异常等问题进行进一步的详细说明，请参照图2为主流的nor flash存储单元具体结构，主要包含了控制栅(control gate)，浮栅(floating gate)，源端(source)，漏端(drain)。而存储在其中的数据是“0”还是“1”取决与浮栅中是否有电子。例如对flash存储阵列擦除数据后，电子会从浮栅中逸出，若擦除成功浮栅内将会失去大量电子，也就成功擦除储存单元了。
59.如图3为主流nor flash芯片闪存阵列结构示意图，示意图中主要包含了横向连接控制栅的字线(word line，以下简称wl)，和纵向贯通连接存储单元漏端的位线(bit line，以下简称bl)，以及连接源端的地线和p
‑
型衬底。
60.阵列中每列纵向存储单元被连接至同一根bl，假设某一bl上的存储单因擦除操作导致阈值电压过低
△
vt1＝
‑
1v，出现了异常漏电的现象，那么受其影响在读取与其相邻区域(若进行过扇区擦除则相邻区域为扇区，若进行过块擦除则相邻区域为块区)的存储单元内的数据时，很有可能就会出现错读误读的问题。
61.假设，图3中wl512和bl1所连接的存储单元在执行扇区擦除操作时，由于芯片异常断电掉电或进行违规复位造成了无法完成擦除后的修复工作，最终出现了过度擦除的现象，那么该扇区区域及其附近扇区区域将很有可能出现异常漏电的现象，最终导致在读取bl1上与漏电单元相邻扇区内的单元的数据时，发生误读错读等不利于数据稳定等问题。
62.该问题产生的原因是，对存储阵列进行擦除操作时，横向wl被导通至同一负高压，芯片将会给擦除区域在p
‑
衬底施加正电压，负压作用于与wl连接的的控制栅极，存储单元浮栅中的电子将逸出浮栅，最终被擦除的存储单元的阈值电压降低以此实现擦除功能。一方面在正常操作过程中，由于在一个阵列内部存储单元共用well的特点，在执行擦除过程时由于整个well被施加正高压，导致了与擦除区域相邻区域(例如相邻扇区、块区)即使没有对其进行擦除操作也会受到一定成度的影响，使相邻区域内存储数据为“0”的单元对的
△
vt0值出现降低的现象，而这些单元在今后执行擦除操作时，就有可能出现过擦除现象，但相较于周围存储单元来说，当前操作单元更有可能出现过擦除问题，即修“1”的优先级高于修“0”。
63.另一方面在非正常擦除操作中，进行至擦除过程(对wl施加负高压well施加正压)期间芯片异常断电掉电或进行违规复位，导致无法完成后续漏电修复工作，也可能导致部分存储单元出现过度擦除的现象。相较于周围存储单元来说，当前操作单元更有可能出现过擦除问题，即修“1”的优先级高于修“0”。
64.有鉴于此，请参照图4本实施例提供了一种提升nor flash存储器存储性能的方法，该方法包括：
65.在nor flash存储器接收上电操作命令后，即对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压
△
vt；在这里对存储阵列进行区域划分具体按照存储阵列内部物理走线进行划分，然后将该区域部内所有字线电压设置为预设检测电压；
66.依次读取选中的位线上的电流并将其转换该位线上存储单元所对应的阈值电压
△
vt
67.记录存储阵列中电压
△
vt低于验证电压的区域地址，并对其按照电压
△
vt大小反序进行修复等级认定，具体为依次将读取选中的位线上的电流与预设的基准电流进行比较；
68.若二者差值未超过预定值则继续检测该区域内的其余位线，
69.否则判断此区域为异常区域，并对该区域按页执行详细检测，包括对页内部以一个字节为单位进行顺序检测，定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址；
70.其中
△
vt越低的区域修复等级越高；
71.进一步举例说明：
72.假设图3为一个区域a的内部连接关系，例如图3中bl0至bln共连接8个page，即横向8个page为一排。现将该区域内所有wl的电压将被统一置为一个电压，一般在0
‑
1v内取
值，比较典型的是0.5v，该区域的衬底接0，然后利用存储阵列内部bl纵向贯通连接所有存储单元的特点，逐个选中区域a内每一根bl进行检测比较，这里位线接入比较模块，其电压在0.5
‑
1v内取值，通过将内部设定好的基准电流与选中的bl上的电流进行比较，判断所检测的bl上电流是否与基准电流差值过大，即可判断出该区域内部是否存在大面积漏电的现象，并通过比较模块内部将bl电流转换得出该bl上存储单元所对应的阈值电压，判断该bl所连接的存储单元是否需要进行修“1”。若差值很小说明无漏电现象，即存储单元无异常，将依次检测其储阵列区域a内的其余bl，假设若存在异常，将对该区域进行以page为单位的详细检测，page内部则以一个字节(byte)为单位进行检测，因此只需要检测异常bl所在page即可得出区域a内漏电范围，最终得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址；
73.经过上述步骤，即可检测并找出在存储阵列中由于过度擦除，出现漏电问题的存储单元，还可以通过比较阈值电压来找出那些由于电子从浮栅逃逸、工艺缺陷、磁场、温度湿度等原因导致的阈值电压降低至安全范围以下的存储单元。
74.进一步举例说明假设存储单元中有n个块区，将每16个块区化为一个区域。当芯片执行擦除操作时检测模块开始对存储阵列进行检测，经过检测得出，区域a(0—15)块区中存储数据为“1”的单元的阈值电压为
△
vta，其最低值为0.3v。区域b(16—31)块区中存储数据为“1”的单元的阈值电压为
△
vtb，其最低值为1.6v。区域c(32—47)块区中存储数据为“1”的单元的阈值电压为
△
vtc，其最低值为2.0v。区域d(48—63)块区中存储数据为“1”的单元的阈值电压为
△
vtd，其最低值为2.0v。以此类推，经过上述检测，最终将块区[n(
‑
15)
‑
n]标记为z区域，并得到z区域的阈值电压
△
vtz以及其最低值；
[0075]
在这些区域中区域a的阈值电压最低，由此可以判断出该区域出现异常掉电漏电的可能性比其他区域更大，需要优先进行修“1”操作，记录该存储区域对应的地址范围，即可知道对应映射在芯片内部的物理区域，为本次上电操作是针对该区域修复做准备，在对a区域修复完成后，等到下一次存储器进行软件复硬件复位或重新上电时，将会根据下次检测出的最新阈值电压，优先选择修复所有区域内最需要修“1”的区域。
[0076]
执行nor flash存储器上电操作并同步对最高修复等级的区域交替进行阈值电压修复操作和修复验证操作，其中按照交替次数每重复预设次、字线加压值递增
△
v，顺次执行阈值电压修复操作直至修复验证通过；
[0077]
在这里所述阈值电压修复操作包括根据阈值电压异常过低的存储单元数量及分布情况选择执行顺次修复、局部修复或精确修复中的一种，具体包括：
[0078]
若待修复区域内每根位线上都存在需要修复的存储单元，则先将待修复区域所有字线加压至预设修复电压，基于地址自增，顺次对所有页完成以字节为单位进行位线选通的修复操作；
[0079]
若待修复区域内阈值电压异常过低的存储单元数量超过预设值，则将异常存储单元所在页的字线加压至预设修复电压，，并按页执行局部修复，包括对页内部以字节为单位进行位线选通；
[0080]
否则将待修复区域单根字线加压至预设修复电压，并根据定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址选通对应位线进行精确修复。
[0081]
进一步举例说明：
[0082]
基于上述举例中的内容，在上电操作过程中，根据定位给出的地址数据，针对性的选择a区域内所有的问题单元进行修复。
[0083]
在进行修复操作时，因已知修复操作的具体区域对应的地址，故先将待修复区域所对应wl被导通至预设电压，例如0.1v，衬底电压还是置0，再选通与地址所对应的page内的bl，一般此时bl接入电压值典型为3v,即可进行对阈值电压为负值的存储数据为“1”的单元进行修复。
[0084]
若整个区域内每根bl上都存在需要修复的单元，则可利用纵向bl导通阵列内所有存储单元的特点，在修“1”时选中所有bl即可一次性修复整个区域，达到修“1”的目的。
[0085]
假设图3为区域a内连接关系，例如图3中bl0至bln假设共连接8个page，即横向8个page为一横排，而由于过擦除导致区域a内出现大量阈值电压为负值的存储单元，需对区域a进行修“1”。则在修复时区域a内全部wl都接至预设修复电压，例如预设修复电压值为0.1v，当然也可以在0.1
‑
1v内根据情况进行选定，在这里不做赘述，然后利用bl纵向贯通的特点，仅需修复8个page所对应的地址即可完成对整个区域a的修复工作。
[0086]
对于上述page而言，每个page包含256字节(byte)，修“1”过程将在page内以字节(byte)为单位进行逐个进行修复，每个字节(byte)则包含8位(bit)数据对应8个存储单元(存储单元内的数据是随机的，可为全“0”，可为全“1”，也可有“0”有“1”)，假设1字节(byte)中有1位(bit)数据需要修复(即有1个存储数据为“1”的单元需要进行修“1”操作)，则选中漏电单元所在字节(byte)对应的bl进行修复操作，即可对上述这1个问题单元进行修复。以此类推当修复完第256个字节(byte)后，即修复完成当前page内所有漏电单元。之后再对下一个page进行修复即可，以此类推最终对横向8个page都进行了修复，即完成了对整个区域a的漏电修复工作。整个修复过程仅需要对区域a内所有wl同一进行一次加压操作，相较于传统方案省略了大量对wl选中再进行升压降压的操作时间。
[0087]
因此本设计方案节省了大量修复时间，不会在上电过程增加过多无用时间，平衡了修复时间与上电总时长的关系，最终达到提高问题单元阈值电压的目的，并有效防止存储单元出现漏电的问题，保证了存储器内部数据的稳定性。相较与传统对存储器的修复方案来说，节省了大量时间和功耗。
[0088]
在初次修复过程结束后，会对修复后的区域a再次进行阈值电压判断，若检测后依旧存在异常漏电，即表明初次阈值电压修复失败，将会再次进行阈值电压修复，并判断修复结果，同时也将会统计修复的次数。假设当修复次数达到设计的最大修复次数16次后，仍然能够检测出该区域阈值电压修复失败，存在异常漏电时，芯片内部将会以每16次为单位进行线性提高对应wl的电压，例如将wl的电压提高0.1v，以增强阈值电压修复的能力，最终达到成功修复的目的。最终上电结束后，芯片将进入正常的待机(stand by)状态，用户即可进行正常操作，可以看出整个修复过程无需增加任何额外操作。实现了在达到了修复目的的同时也考虑到用户群体的实际操作体验的效果。
[0089]
待下一次上电操作命令送达时，重复执行上述步骤；
[0090]
随着存储器内部不断进行上电，修复步骤也会如此往复，经过多次上电修复后，整个flash存储器内部可能存在异常漏电的存储阵列单元将会的得到有效修复，整体存储数据为“1”的单元的阈值电压将进入安全范围。进而提高存储器整体保存数据的完整性与稳定性，有效降低出现误读错读现象的几率，增强了存储器芯片的性能的同时也延长了芯片
的使用寿命。
[0091]
若nor flash存储器执行擦除操作时出现断电或违规复位操作，则记录此时擦除操作目标区域地址，待下一次上电操作命令送达时，直接认定该区域为最高修复等级并执行后续修复步骤，在这里后续步骤中的阈值电压修复操作修复操作为顺次修复。
[0092]
进一步举例说明：
[0093]
假设当存储器内部对存储阵列区域a进行擦除过程中(对wl施加负高压well施加正高压)期间，出现异常断电、违规复位的操作，导致存储器无法完成原定的擦除完成后漏电的修复程序步骤。此时计数模块将在芯片检测到异常掉电或复位时，就会记录此次擦除操作的所储阵列区域a对应的地址，在存储器进行下一次上电操作时，直接对该地址所对应的存储阵列区域进行上电修复的操作。这个方案步骤有解决了由于类似非法断电、复位操作而导致的过度擦除、异常漏电等问题。
[0094]
在本实施例中预设检测电压和验证电压的数值按照使得阈值电压降低至安全电压以下的存储单元均被检测判断为阈值电压异常过低的存储单元进行配置；
[0095]
所述预设修复电压的数值按照使得修复验证通过后的存储单元的阈值电压达到正常存储“1”数据的阈值电压进行配置。
[0096]
实施例2
[0097]
请参照图5和图6，本实施例一种提升nor flash存储器存储性能的装置，包括检测模块、地址缓存模块、修复数据存储模块、计数器模块和修复控制模块，其中，
[0098]
检测模块，配置成用于在nor flash存储器接收上电操作命令后，即对存储阵列分区域检测读取位线上的电流并转换为电压
△
vt，并将存储阵列中电压
△
vt低于验证电压的异常区域地址送入地址缓存模块存储，并对异常区域按照电压
△
vt大小反序进行修复等级认定；
[0099]
地址缓存模块，配置成用于存储存储阵列中各异常区域地址，并在上电操作完成后清除地址数据；
[0100]
修复数据存储模块，配置成用于动态实时存储最高修复等级或者断电或违规复位操作时正在操作的的区域地址、预设次数值、单次加压递增
△
v和预设修复电压；
[0101]
计数器模块，配置成用于实时对阈值电压修复操作和修复验证操作次数进行计数；
[0102]
修复控制模块，配置成读取修复数据存储模块中的存储数据，在nor flash存储器执行上电操作时同步对最高修复等级的区域交替进行阈值电压修复操作和修复验证操作，其中按照交替次数每重复预设次、字线加压值递增
△
v，顺次执行阈值电压修复操作直至修复验证通过。
[0103]
本实施例中的检测模块还配置对存储阵列中的各区域内所有位线电压设置为预设检测电压，依次读取选中的位线上的电流并将其转换该位线上存储单元所对应的阈值电压
△
vt；
[0104]
通过将内部设定好的基准电流与选中的位上的电流进行比较，若二者差值未超过预定值则继续检测该区域内的其余位线，否则判断此区域为异常区域，并对该区域按页执行详细检测，包括对页内部以一个字节为单位进行顺序检测，定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址。
[0105]
本实施例中的修复控制模块还配置为根据阈值电压异常过低的存储单元数量及分布情况选择执行顺次修复、局部修复或精确修复中的一种，具体包括：
[0106]
若待修复区域内每根位线上都存在需要修复的存储单元，则先将待修复区域所有字线加压至预设修复电压，基于地址自增，顺次对所有页完成以字节为单位进行位线选通的修复操作；
[0107]
若待修复区域内阈值电压异常过低的存储单元数量超过预设值，则将异常存储单元所在页的字线加压至预设修复电压，，并按页执行局部修复，包括对页内部以字节为单位进行位线选通；
[0108]
否则将待修复区域单根字线加压至预设修复电压，并根据定位得到阈值电压异常过低的存储单元所对应的具体的地址选通对应位线进行精确修复；
[0109]
所述修复验证操作具体为控制检测模块重复执行各存储单元阈值电压检测动作，并将检测的阈值电压与安全电压的数值进行比较，判断修复验证是否通过。
[0110]
实施例3
[0111]
请参照图6本实施例提供一种nor flash存储器，包含如实施例2所述的提升nor flash存储器存储性能的装置。
[0112]
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0113]
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。