存储器系统及其操作方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年2月11日提交的申请号为10-2020-0016611的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文。

本公开的各个实施例总体涉及一种存储器系统和操作该存储器系统的方法，并且更特别地，涉及一种具有增强的可靠性的存储器系统以及操作该存储器系统的方法。

背景技术：

近来，计算机环境的范例已转变为可以随时随地使用计算机系统的普适计算。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本电脑的便携式电子装置的使用已经迅速增加。通常，这样的便携式电子装置使用采用存储器装置的存储器系统，换言之，使用数据存储装置。数据存储装置被用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。

数据存储装置提供的优点在于，因为不存在机械驱动部件，所以稳定性和耐久性优异、信息访问速度相对较高并且功耗相对较低。具有这种优点的数据存储装置的示例包括通用串行总线(usb)存储器装置、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(ssd)。

技术实现要素：

本公开的各个实施例涉及一种能够提高存储块的可靠性的存储器系统以及该存储器系统的方法。

本公开的实施例可以提供一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置，包括多个存储块；以及存储器控制器，被配置为：管理多个存储块中的每个存储块的累积擦除计数值和开放块擦除计数值，并且基于多个存储块中的每个存储块的累积擦除计数值和开放块擦除计数值，选择待执行编程操作的目标存储块。

本公开的实施例可以提供一种操作存储器系统的方法，该方法包括：对多个存储块之中的所选择的存储块执行擦除操作；增加所选择的存储块的累积擦除计数值；当执行擦除操作时，当所选择的存储块处于开放块状态时，增加所选择的存储块的开放块擦除计数值；并且更新所选择的存储块的累积擦除计数值和开放块擦除计数值。

本公开的实施例可以提供一种操作存储器系统的方法，该方法包括：基于多个存储块的优先级顺序选择目标存储块；并且对目标存储块执行编程操作。可以基于多个存储块的各个累积擦除计数值和各个开放块擦除计数值来确定多个存储块的优先级顺序。

本公开的实施例可以提供一种控制器的操作方法，该操作方法包括：在对存储块的每次擦除操作时，增加每个存储块的第一擦除计数和第二擦除计数；在以第一擦除计数的升序选择的多个空闲块之中，以第二擦除计数的降序选择空闲块；控制存储器装置对所选择的块执行写入操作，其中第一擦除计数表示已执行擦除操作的总次数，其中第二擦除计数表示当相应存储块处于开放块状态时执行擦除操作的次数。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。

图2是示出诸如图1的擦除计数(ec)管理器的示图。

图3是示出诸如图1的半导体存储器的示图。

图4是示出诸如图3的存储块的示图。

图5是示出根据本公开的实施例的具有三维结构的存储块的示图。

图6是根据本公开的实施例的执行存储器系统的擦除操作的方法的流程图。

图7是根据本公开的实施例的执行存储器系统的编程操作的方法的流程图。

图8是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。

图9是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。

图10是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。

图11是示出根据本公开的实施例的存储器系统的示图。

具体实施方式

本文提供的具体结构和功能描述涉及本公开的实施例。然而，可以以各种其它方式来配置和实施本发明。因此，本发明不受所公开的实施例或其具体细节的限制或限于所公开的实施例或其具体细节。在整个说明书中，对“实施例”、“另一实施例”等的参考不一定仅针对一个实施例，并且对任何这种短语的不同参考不一定针对相同的实施例。

下面参照附图更全面地描述本公开的各个实施例，在附图中示出了本公开的优选实施例，使得本领域的普通技术人员可以容易地实施和实践本发明。

图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统1000的示图。

参照图1，存储器系统1000可以包括存储器装置1100和存储器控制器1200。存储器系统1000可以进一步包括缓冲存储器(未示出)。存储器装置1100可以包括多个半导体存储器1110。多个半导体存储器1110可以被划分为多个存储器组gr1至gri。多个半导体存储器1110中的每一个例如可以由存储器芯片形成。

图1示出多个存储器组gr1至gri分别通过第一至第i通道ch1至chi与存储器控制器1200通信。下面参照图3详细描述代表性的半导体存储器1110。

多个半导体存储器1110中的每一个可以包括多个存储块。多个存储块可以执行存储数据的编程操作、读取所存储的数据的读取操作、擦除所存储的数据的擦除操作等。

存储器控制器1200连接在主机2000和存储器装置1100之间。存储器控制器1200可以响应于来自主机2000的请求来访问存储器装置1100。例如，存储器控制器1200可以响应于从主机2000接收到的请求来控制存储器装置1100的读取操作、编程操作、擦除操作和诸如读取回收操作的后台操作。存储器控制器1200可以提供存储器装置1100和主机2000之间的接口。存储器控制器1200可以驱动用于控制存储器装置1100的固件。

存储器控制器1200可以包括处理器1210、存储块管理器1220和擦除计数(ec)管理器1230。

处理器1210可以控制存储器控制器1200的全部操作，并且可以执行逻辑操作。处理器1210可以与主机2000和存储器装置1100两者通信。处理器1210可以根据优先级顺序重新排列从主机2000接收的多个主机命令并生成命令队列，并且可以根据命令队列生成用于控制存储器装置1100的命令并将该命令传输到存储器装置1100。处理器1210可以包括闪存转换层。闪存转换层可以在编程操作期间映射与从主机2000输入的地址(例如，逻辑地址)相对应的物理地址。此外，在读取操作期间，闪存转换层可以检查映射到从主机2000输入的逻辑地址的物理地址。

存储块管理器1220可以管理存储器装置1100中包括的多个存储块。例如，存储块管理器1220可以控制存储器装置1100在存储器装置1100中的多个存储块之中选择处于擦除状态的存储块，并且对所选择的存储块执行编程操作。当选择待执行编程操作的存储块时，存储块管理器1220可以优先选择处于擦除状态的存储块之中具有最低累积擦除计数的存储块。处于擦除状态的存储块可以被定义为空闲块。在具有最低累积擦除计数的空闲块的数量大于待选择的存储块的数量的情况下，存储块管理器1220可以在具有最低累积擦除计数的空闲块之中优先选择处于开放块状态的具有最高擦除计数的存储块。开放块状态可以指示存储块中包括的多个页面之中的至少一个页面中没有存储数据，从而可以对该存储块执行附加编程操作。封闭块状态可以指示在存储块的所有页面中都存储了数据，因此无法对该存储块执行附加编程操作。处于开放块状态的存储块(开放存储块)可以包括未编程页面。在擦除操作期间，施加到未编程页面的应力(stress)值小于施加到已编程页面的应力值。因此，施加到开放存储块的擦除应力值小于施加到处于封闭块状态的存储块(封闭存储块)的擦除应力值。存储块管理器1220可以优先选择具有最小累积擦除计数的空闲块，使得多个存储块的编程擦除计数将存储块的损耗程度控制为彼此均匀。此外，存储块管理器1220可以在具有相同累积擦除计数的空闲块之中优先选择处于开放块状态的具有相对较高擦除计数的空闲块，使得当执行编程操作时，可以优先选择擦除应力相对较低的空闲块。从而，可以将存储器装置1100中的多个存储块的损耗程度控制为彼此更均匀。因此，可以提高存储块的可靠性。

ec管理器1230可以管理存储器装置1100中的多个存储块中的每一个的累积ec值和开放块ec值。对于给定的存储块，累积ec值可以是处于开放块状态的存储块的擦除计数值和处于封闭块状态的存储块的擦除计数值之和。在擦除操作完成之后，ec管理器1230可以增加执行擦除操作的存储块的累积ec值，然后更新该累积ec值。如果对处于开放块状态的存储块执行擦除操作，则增加和更新已经执行擦除操作的存储块的累积ec值和开放块ec值中的每一个。

存储器控制器1200和存储器装置1100可以被集成到单个半导体装置中。在实施例中，存储器控制器1200和存储器装置1100可以被集成到单个半导体装置中以形成诸如以下的存储卡：个人计算机存储卡国际协会(pcmcia)、紧凑型闪存卡(cf)、智能媒体卡(sm或smc)、记忆棒多媒体卡(mmc、rs-mmc或mmcmicro)、sd卡(sd、迷你sd、微型sd或sdhc)，或通用闪存(ufs)等。

存储器控制器1200和存储器装置1100可以被集成到单个半导体装置中以形成固态驱动器(ssd)。ssd可以包括被配置为将数据存储在半导体存储器中的存储装置。当存储器系统1000用作ssd时，可以显著提高联接到存储器系统1000的主机2000的操作速度。

在实施例中，存储器系统1000可以被设置为诸如以下的电子装置的各种元件之一：计算机、超移动pc(umpc)、工作站、上网本、个人数字助理(pda)、便携式计算机、网络平板、无线电话、移动电话、智能电话、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、游戏机、导航装置、黑匣子、数码相机、三维电视、数字音频记录器、数字音频播放器、数字图片记录器、数字图片播放器、数字视频记录器、数字视频播放器、能够在无线环境中传送/接收信息的装置、用于形成家庭网络的各种装置之一、用于形成计算机网络的各种电子装置之一、用于形成远程信息处理网络的各种电子装置之一、rfid装置、用于形成计算系统的各种元件之一等。

在实施例中，存储器装置1100或存储器系统1000可以嵌入在各种类型的封装中任一种。例如，存储器装置1100或存储器系统1000可以以诸如以下的形式被封装：堆叠封装(pop)、球栅阵列(bga)、芯片级封装(csp)、塑料引线芯片载体(plcc)、塑料双列直插式封装(pdip)、窝伏尔组件中的管芯(dieinwafflepack)、晶圆形式管芯(dieinwaferform)、板上芯片(cob)、陶瓷双列直插式封装(cerdip)、塑料公制四方扁平封装(mqfp)、薄型四方扁平封装(tqfp)、小外形(soic)、收缩型小外形封装(ssop)、薄型小外形(tsop)、系统级封装(sip)、多芯片封装(mcp)、晶圆级制造封装(wfp)或晶圆级处理堆叠封装(wsp)。

图2是示出图1的ec管理器1230的示图。

参照图2，ec管理器1230可以包括累积ec计数器1231和开放块ec计数器1232。

累积ec计数器1231可以对图1的存储器装置1100中的多个存储块中的每一个的累积ec值进行计数和管理。累积ec值可以是相应存储块的开放块ec值和封闭块ec值之和。

开放块ec计数器1232可以对存储器装置1100中的多个存储块中的每一个的开放块ec值进行计数和管理。开放块ec值可以对应于相应存储块处于开放块状态时已经执行擦除操作的次数。

图3是示出图1的半导体存储器的示图。

参照图3，半导体存储器1110可以包括被配置为存储数据的存储器单元阵列100。半导体存储器1110可以包括外围电路200，该外围电路200被配置为执行用于在存储器单元阵列100中存储数据的编程操作，用于输出所存储的数据的读取操作，以及用于擦除所存储的数据的擦除操作。半导体存储器1110可以包括被配置为在存储器控制器1200(图1所示)的控制下控制外围电路200的控制逻辑300。

存储器单元阵列100可以包括多个存储块mb1至mbk(110)；k是正整数。局部线ll和位线bl1至blm(m是正整数)可以联接到存储块mb1至mbk中的每一个。例如，局部线ll可以包括第一选择线、第二选择线和布置在第一选择线和第二选择线之间的多个字线。此外，局部线ll可以包括布置在第一选择线和字线之间以及第二选择线和字线之间的虚设线。此处，第一选择线可以是源极选择线，第二选择线可以是漏极选择线。例如，局部线ll可以包括字线、漏极和源极选择线以及源极线。例如，局部线ll可以进一步包括虚设线。例如，局部线ll可以进一步包括管线。局部线ll可以联接到存储块mb1至mbk中的每一个。位线bl1至blm可以共同联接到存储块mb1至mbk。存储块mb1至mbk可以以二维或三维结构实现。例如，在具有二维结构的存储块110中，可以在平行于衬底的方向上布置存储器单元。例如，在具有三维结构的存储块110中，可以在垂直于衬底的方向上堆叠存储器单元。

外围电路200可以在控制逻辑300的控制下对所选择的存储块110执行编程操作、读取操作或擦除操作。

例如，外围电路200可以包括电压生成电路210、行解码器220、页面缓冲器组230、列解码器240、输入/输出电路250、通过/失败确定器260和源极线驱动器270。

电压生成电路210可以响应于操作信号op_cmd，生成待用于编程操作、读取操作和擦除操作的各个操作电压vop。例如，电压生成电路210可以在控制逻辑300的控制下生成编程电压、验证电压、通过电压、读取电压、源极线电压等。

行解码器220可以响应于行地址radd而将操作电压vop传输至联接到所选择的存储块110的局部线wl。

页面缓冲器组230可以包括联接到位线bl1至blm的多个页面缓冲器pb1至pbm(231)。页面缓冲器pb1至pbm(231)可以响应于页面缓冲器控制信号pbsignals而操作。例如，在编程操作期间，页面缓冲器pb1至pbm(231)可以临时存储通过数据线dl接收到的数据，然后基于临时存储的数据控制位线bl1至blm的电压电平。在读取或验证操作期间，页面缓冲器pb1至pbm(231)可以感测位线bl1至blm的电压或电流。

列解码器240可以响应于列地址cadd在输入/输出电路250和页面缓冲器组230之间传送数据。例如，列解码器240可以通过数据线dl与页面缓冲器231交换数据或者通过列线cl与输入/输出电路250交换数据。

输入/输出电路250可以将从存储器控制器(图1的1200)接收到的内部命令cmd或地址add传输到控制逻辑300，或者与列解码器240交换数据。

在读取操作或验证操作期间，通过/失败确定器260可以响应于使能位vry_bit<#>而生成参考电流，并且可以将从页面缓冲器组230接收到的感测电压vpb与由参考电流生成的参考电压进行比较，并输出通过信号pass或失败信号fail。

源极线驱动器270可以通过源极线sl与存储器单元阵列100中的存储器单元联接并且控制源极节点的电压。例如，源极线驱动器270可以在读取或验证操作期间将存储器单元的源极节点电联接到接地节点。此外，在编程操作期间，源极线驱动器270可以将接地电压施加到存储器单元的源极节点。此外，源极线驱动器270可以在擦除操作期间向存储器单元的源极节点施加擦除电压。源极线驱动器270可以从控制逻辑300接收源极线控制信号ctrl_sl，并且基于源极线控制信号ctrl_sl来控制源极节点的电压。

控制逻辑300可以响应于内部命令cmd和地址add而输出操作信号op_cmd、行地址radd、页面缓冲器控制信号pbsignals以及使能位vry_bit<#>，以控制外围电路200。另外，控制逻辑300可以响应于通过信号pass或失败信号fail确定目标存储器单元在验证操作期间是否通过了验证。

图4是示出图3的代表性存储块110的示图。

参照图4，在存储块110中，彼此平行布置的多个字线可以联接在第一选择线和第二选择线之间。此处，第一选择线可以是源极选择线ssl，并且第二选择线可以是漏极选择线dsl。更详细地，存储块110可以包括联接在位线bl1至blm与源极线sl之间的多个串st。位线bl1至blm可以分别联接到串st，并且源极线sl可以共同联接到串st。串st中的每一个可以具有相同的构造；因此，以示例的方式详细描述联接到第一位线bl1的串st。

串st可以包括在源极线sl和第一位线bl1之间彼此串联联接的源极选择晶体管sst、多个存储器单元mc1至mc16以及漏极选择晶体管dst。在每个串st中可以包括至少一个源极选择晶体管sst和至少一个漏极选择晶体管dst，并且每个串st可以包括比图4所示的16个存储器单元(mc1至mc16)更多的存储器单元。

源极选择晶体管sst的源极可以联接到源极线sl，并且漏极选择晶体管dst的漏极可以联接到第一位线bl1。存储器单元mc1至mc16可以串联联接在源极选择晶体管sst和漏极选择晶体管dst之间。不同串st中包括的源极选择晶体管sst的栅极可以联接到源极选择线ssl，漏极选择晶体管dst的栅极可以联接到漏极选择线dsl，并且存储器单元mc1至mc16的栅极可以联接到多个字线wl1至wl16。在不同串st中包括的存储器单元之中，联接到每个字线的一组存储器单元可以被称为物理页面ppg。因此，存储块110中包括的物理页面ppg的数量可以对应于字线wl1至wl16的数量。

图5是示出根据本公开的实施例的具有三维结构的存储块的示图。

参照图5，存储器单元阵列100可以包括多个存储块mb1至mbk。每个存储块110可以包括多个串st11至st1m和st21至st2m。串st11至st1m和st21至st2m中的每一个可以在垂直方向上(即，在z方向上)延伸。在每个存储块110中，m个串可以在行方向上(即，在x方向上)布置。图5示出了在列方向(即，y方向)上布置两个串，但这仅是为了清楚。例如，可以在列方向(y方向)上布置三个或更多个串。

串st11至st1m和st21至st2m中的每一个可以包括至少一个源极选择晶体管sst、第一至第n存储器单元mc1至mcn以及至少一个漏极选择晶体管dst。

每个串的源极选择晶体管sst可以联接在源极线sl和存储器单元mc1至mcn之间。布置在相同行中的串的源极选择晶体管可联接到相同的源极选择线。布置在第一行中的串st11至st1m的源极选择晶体管可以联接到第一源极选择线ssl1。布置在第二行中的串st21至st2m的源极选择晶体管可以联接到第二源极选择线ssl2。在实施例中，串st11至st1m和st21至st2m的源极选择晶体管可以共同联接到单个源极选择线。

每个串中的第一至第n存储器单元mc1至mcn可以串联联接在源极选择晶体管sst和漏极选择晶体管dst之间。第一至第n存储器单元mc1至mcn的栅极可以分别联接到第一至第n字线wl1至wln。

在实施例中，第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn中的至少一个可以用作虚设存储器单元。当提供虚设存储器单元时，可以稳定地控制相应串的电压或电流。从而，可以提高每个存储块110中存储的数据的可靠性。

每个串的漏极选择晶体管dst可联接在相应位线和存储器单元mc1至mcn之间。在行方向上布置的串的漏极选择晶体管dst可以联接到在行方向上延伸的相应漏极选择线。第一行中的串st11至st1m的漏极选择晶体管dst可以联接到第一漏极选择线dsl1。第二行中的串st21至st2m的漏极选择晶体管dst可以联接到第二漏极选择线dsl2。

第一至第n字线wl1至wln中的每一个可以对应于至少一个页面。例如，第二字线wl2可以对应于包括第一行中的串st11至st1m中包括的第二存储器单元mc2的第一页面page_1以及包括第二行中的串st21至st1m中包括的第二存储器单元mc2的第二页面page_2。

图6是用于描述根据本公开的实施例的执行存储器系统的擦除操作的方法的流程图。

参照图1至图6描述擦除操作方法。

当从主机2000接收到与擦除操作相对应的请求(主机命令)(在步骤s610)时，存储器控制器1200的处理器1210可以通过将从主机2000接收到的主机命令进行排队来生成命令队列。处理器1210可以根据命令队列生成用于控制存储器装置1100的擦除操作的命令cmd，并将所生成的命令cmd和与待执行擦除操作的存储块相对应的地址add传输到存储器装置1100中的多个半导体存储器1110中的所选择的半导体存储器。

已经从存储器控制器1200接收到与擦除操作相对应的命令cmd和地址add的所选择的半导体存储器可以响应于命令cmd和地址add对多个存储块mb1至mbk中的至少一个所选择的存储块(例如，mb1)执行擦除操作(在步骤s620)。可以通过以下方式执行擦除操作：通过向源极线施加预擦除电压将栅极感应的漏极泄漏(gidl)电流引入串的通道中，此后通过向源极线施加擦除电压来擦除串中的存储器单元中存储的数据。

当完成对所选择的存储块mb1的擦除操作时，存储器控制器1200的ec管理器1230可以更新已经执行擦除操作的存储块mb1的累积ec值和开放块ec值(在步骤s630)。例如，ec管理器1230的累积ec计数器1231可以将已经执行擦除操作的存储块mb1的累积ec值增加1，并且管理累积ec值。当已经对处于开放块状态的存储块mb1执行擦除操作时，ec管理器1230的开放块ec计数器1232可以将已经执行擦除操作的存储块mb1的累积ec值和开放块ec值中的每一个增加1，并管理累积ec值和开放块ec值。当对处于封闭块状态的存储块mb1执行擦除操作时，开放块ec计数器1232可以将已经执行擦除操作的存储块mb1的累积ec值增加1，并将开放块ec值保持为其现有值。

如上所述，在根据本公开的实施例的存储器系统1000的擦除操作期间，可以将已经执行擦除操作的存储块的累积ec值增加1并进行管理。当已经对处于开放状态的存储块执行擦除操作时，可以将执行擦除操作的存储块的开放块ec值增加1并进行管理。因此，存储器控制器1200可以管理存储器装置1100中的多个存储块中的每一个的累积ec值和开放块ec值。

图7是根据本公开的实施例的执行存储器系统的编程操作的方法的流程图。

当从主机2000接收到与编程操作相对应的请求(主机命令)(在步骤s710)时，存储器控制器1200的处理器1210可以通过将从主机2000接收到的主机命令进行排队来生成命令队列。

存储器控制器1200的存储块管理器1220可以在存储器装置1100中的空闲块之中选择待执行编程操作的目标存储块，该空闲块中的每一个处于擦除状态。例如，当选择用于编程操作的目标存储块时，存储块管理器1220可以在空闲块之中选择具有最低累积ec值的存储块(在步骤s720)。换言之，在选择过程中，存储块管理器1220可以使具有较低累积ec值的存储块优先，将最高优先级给予具有最低累积ec值的存储块。

当存在至少两个具有相同累积ec值且其累积ec值为最低累积ec值的空闲块时，存储块管理器1220可以从这些空闲块中选择具有最高开放块ec值的存储块作为目标存储块(在步骤s730)。换言之，存储块管理器1220可以进行处理使得具有相同累积ec值的空闲块之中具有更大开放块ec值的存储块具有较高优先级顺序。存储块管理器1220可以参考由ec管理器1230管理的存储块的累积ec值和开放块ec值，来选择待执行编程操作的空闲块。

处理器1210可以根据命令队列来生成用于控制存储器装置1100的编程操作的命令cmd。存储块管理器1220可以生成与待执行编程操作的所选择的存储块相对应的地址add。存储器控制器1200可以将命令cmd、地址add和待编程数据传输到包括所选择的存储块的半导体存储器1110。

已经从存储器控制器1200接收到命令cmd、地址add和待编程数据的半导体存储器1110可以执行编程操作(在步骤s740)。例如，控制逻辑300可以响应于命令cmd和地址add来控制外围电路200对所选择的存储块(例如，mb1)执行编程操作。页面缓冲器组230可以临时存储通过输入/输出电路250和列解码器240从存储器控制器1200接收到的数据，并且根据临时存储的数据来调整位线bl1至blm的电位电平。电压生成电路210可以生成包括编程电压和通过电压的操作电压vop。行解码器220可以将操作电压vop施加到所选择的存储块mb1的局部线ll。例如，行解码器220可以将编程电压施加到所选择的存储块mb1的所选择的字线以执行编程操作，并且将通过电压施加到其它字线。

如上所述，根据本公开的实施例，在编程操作期间，存储块管理器1220可以优先选择具有最低累积擦除计数的空闲块，以便使存储器装置1100中的多个存储块的编程擦除计数更均匀，由此可以将存储块的损耗程度控制为彼此均匀。此外，当存在具有相同(最低)累积擦除计数的多个空闲块时，存储块管理器1220可以从多个空闲块中优先选择处于开放块状态的具有最高擦除计数的空闲块，使得当执行编程操作时可以优先选择擦除应力相对较低的空闲块。从而，可以将存储器装置1100中的多个存储块的损耗程度控制为彼此更均匀。因此，可以提高存储块的可靠性。

图8是示出根据本公开的实施例的存储器系统30000的示图。

参照图8，存储器系统30000可以被实现在移动电话、智能电话、平板pc、个人数字助理(pda)或无线通信装置中。存储器系统30000可以包括存储器装置1100和存储器控制器1200，存储器控制器2100被配置为控制存储器装置1100的操作。存储器控制器1200可以在处理器3100的控制下控制存储器装置1100的数据访问操作，例如编程操作、擦除操作或读取操作。

被编程在存储器装置1100中的数据可以在存储器控制器1200的控制下通过显示器3200输出。存储器装置1100可以与图1的存储器装置1100相同地配置和操作。存储器控制器1200可以与图1的存储器控制器1200相同地配置和操作。

无线电收发器3300可以通过天线ant发送和接收无线电信号。例如，无线电收发器3300可以将通过天线ant接收到的无线电信号转换为能够在处理器3100中处理的信号。因此，处理器3100可以处理从无线电收发器3300输出的信号，并且可以将处理后的信号传输到存储器控制器1200或显示器3200中。存储器控制器1200可以将由处理器3100处理的信号编程到存储器装置1100。此外，无线电收发器3300可以将从处理器3100输出的信号改变为无线电信号，并且通过天线ant将所改变的无线电信号输出到外部装置。输入装置3400可用于输入用于控制处理器3100的操作的控制信号或待由处理器3100处理的数据。输入装置3400可以以诸如触摸板和计算机鼠标的定点装置、小键盘或键盘实现。处理器3100可以控制显示器3200的操作，使得从存储器控制器1200输出的数据、从无线电收发器3300输出的数据或从输入装置3400输出的数据通过显示器3200输出。

在实施例中，能够控制存储器装置1100的操作的存储器控制器1200可以被实现为处理器3100的一部分或被实现为与处理器3100分开提供的芯片。

图9是示出根据本公开的实施例的存储器系统40000的示图。

参照图9，存储器系统40000可以被实现在个人计算机(pc)、平板pc、上网本、电子阅读器、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、mp3播放器或mp4播放器中。

存储器系统40000可以包括存储器装置1100，以及被配置为控制存储器装置1100的数据处理操作的存储器控制器1200。存储器装置1100可以与图1的存储器装置1100相同地配置和操作。存储器控制器1200可以与图1的存储器控制器1200相同地配置和操作。

处理器4100可以根据从输入装置4200输入的数据，通过显示器4300输出存储器装置1100中存储的数据。例如，输入装置4200可以以诸如触摸板或计算机鼠标的定点装置、小键盘或键盘实现。

处理器4100可以控制存储器系统40000的整体操作，并控制存储器控制器1200的操作。在实施例中，能够控制存储器装置1100的操作的存储器控制器1200可以实现为处理器4100的一部分或实现为与处理器4100分开提供的芯片。

图10是示出根据本公开的实施例的存储器系统50000的示图。

参照图10，存储器系统50000可以被实现在图像处理装置中，例如数码相机、设置有数码相机的便携式电话、设置有数码相机的智能电话、或设置有数码相机的平板pc。

存储器系统50000可以包括存储器装置1100和存储器控制器1200，存储器控制器1200能够控制存储器装置1100的数据处理操作，例如编程操作、擦除操作或读取操作。存储器装置1100可以与图1的存储器装置1100相同地配置和操作。存储器控制器1200可以与图1的存储器控制器1200相同地配置和操作。

存储器系统50000的图像传感器5200可以将光学图像转换为数字信号。该数字信号可以被传输到处理器5100或存储器控制器1200。在处理器5100的控制下，该数字信号可以通过显示器5300输出或通过存储器控制器1200存储在存储器装置1100中。存储器装置1100中存储的数据可以在处理器5100或存储器控制器1200的控制下通过显示器5300输出。

在实施例中，能够控制存储器装置1100的操作的存储器控制器1200可以被实现为处理器5100的一部分或被实现为与处理器5100分开提供的芯片。

图11是示出根据本公开的实施例的存储器系统70000的示图。

参照图11，存储器系统70000可以被实现为存储卡或智能卡。存储器系统70000可以包括存储器装置1100、存储器控制器1200和卡接口7100。存储器装置1100可以与图1的存储器装置1100相同地配置和操作。存储器控制器1200可以与图1的存储器控制器1200相同地配置和操作。

控制器1200可以控制存储器装置1100和卡接口7100之间的数据交换。在实施例中，卡接口7100可以是安全数字(sd)卡接口或多媒体卡(mmc)接口，但是不限于此。

卡接口7100可以根据主机60000的协议来接口连接主机60000和存储器控制器1200之间的数据交换。在实施例中，卡接口7100可以支持通用串行总线(usb)协议和芯片间(ic)-usb协议。此处，卡接口可以指能够支持由主机60000使用的协议的硬件、安装在硬件中的软件或信号传输方案。

当存储器系统70000连接到诸如pc、平板pc、数码相机、数字音频播放器、移动电话、控制台视频游戏硬件或数字机顶盒的主机60000的主机接口6200时，主机接口6200可以在微处理器6100的控制下通过卡接口7100和存储器控制器1200与存储器装置1100进行数据通信。

在本公开的实施例中，可以基于累积擦除计数值和开放块擦除计数值来选择待执行编程操作的存储块。因此，可以提高存储块的可靠性。

本文已经公开了各个实施例，并且虽然采用了特定术语，但是它们仅以一般性和描述性意义来使用并且进行解释，而不是出于限制的目的。在某些情况下，对于提交本申请的本领域普通技术人员显而易见的是，除非另有明确说明，否则结合特定实施例描述的特征、特点、和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特点和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。