存储器的检测方法及检测装置与流程

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种存储器的检测方法及检测装置。

背景技术：

动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

随着dram的制程工艺越来越先进、存储密度越来越高，dram制程工艺中也出现了越来越多的问题，比如：副产物掉落引发的短路、位线漏电流、电容的倒塌、金属线的断裂，关键尺寸不合格造成的结构问题等，这些制程工艺中出现的问题需要在良率测试过程中筛选出来，但是现有的良率测试方法不能准确的检测出漏电流的位线，导致产品良率较低。

如何在良率测试过程中准确的检测出漏电流的位线，是本领域技术人员亟须解决的问题。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种存储器的检测方法及检测装置，解决检测存储器的漏电的位线准确度不高的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种存储器的检测方法，用于检测漏电的位线，包括：所述存储器包括多个存储单元、多条相互分立的位线以及多条相互分立的字线，每条所述位线连接若干个所述存储单元，每条所述字线连接若干个所述存储单元，且每一所述存储单元与相应的一所述位线以及一所述字线连接，所述存储器还具有多条互补位线，每一所述互补位线与相应的一所述位线的电平相位相反；所述存储器还包括多个感测放大器，每一所述感测放大器与一所述位线以及一所述互补位线电耦合，且所述感测放大器包括提供低电位电压的电源线以及提供高电位电压的电源线；向每一所述存储单元写入第一存储数据；在写入所述第一存储数据之后，进行读取操作，所述读取操作包括：依次选通所有所述字线进行读取，以通过所述位线以及所述感测放大器读取每一所述存储单元内的第一真实数据，且在进行读取之前，先选通与所述位线对应的所述提供低电位电压的电源线，以使所述位线的电平下降，在选通所述提供低电位电压的电源线后，在等待预设时间后，选通与所述位线对应的所述提供高电位电压的电源线，以使所述位线和所述互补位线中电平更高的一者的电平升高；基于所述第一真实数据与所述第一存储数据的差异，获取第一测试结果；向每一所述存储单元写入第二存储数据，且针对同一所述存储单元，所述第二存储数据与所述第一存储数据不同；在写入所述第二存储数据之后，再次进行所述读取操作，以读取每一所述存储单元内的第二真实数据；基于所述第二真实数据与所述第二存储数据的差异，获取第二测试结果；基于所述第二测试结果以及所述第一测试结果，获取漏电的所述位线的具体位置。

另外，所述预设时间为90纳秒～120纳秒。

另外，向所述存储单元写入所述第一存储数据的方式包括：向所有所述存储单元写入相同的所述第一存储数据。

另外，向所述存储单元写入所述第二存储数据的方式包括：向所有所述存储单元写入相同的所述第二存储数据。

另外，向所述存储单元写入所述第一存储数据的方式包括：向与同一所述字线连接的若干所述存储单元写入相同的所述第一存储数据。

另外，向所述存储单元写入所述第二存储数据的方式包括：向与同一所述字线连接的若干所述存储单元写入相同的所述第二存储数据。

另外，向所述存储单元写入所述第一存储数据以及所述第二存储数据的方式还包括：向与相邻的所述字线连接的若干所述存储单元写入不同的所述第一存储数据，且向与相邻的所述字线连接的若干所述存储单元写入不同的所述第二存储数据。

另外，在选通所述提供低电位电压的电源线之前，还包括：对所述提供低电位电压的电源线和所述提供高电位电压的电源线进行预充电处理，所述预充电处理之后，所述提供低电位电压的电源线的电平和所述提供高电位电压的电源线的电平相同。

另外，在选通一所述字线之后，还包括：对所述位线和对应的所述互补位线进行预充电，所述预充电后的所述位线和对应的所述互补位线电平相同。

另外，在进行所述读取操作之前，还包括：对所有所述存储单元进行自动刷新操作。

另外，在选通所述提供高电位电压的电源线之后，读取所述第一真实数据或所述第二真实数据之前，还包括：对所有所述存储单元进行自动刷新操作。

本发明实施例还提供一种存储器的检测装置，用以检测漏电的位线，包括：存储器，所述存储器包括多个存储单元、多条相互分立的位线以及多条相互分立的字线，每条所述位线连接若干个所述存储单元，每条所述字线连接若干个所述存储单元，且每一所述存储单元与相应的一所述位线以及一所述字线连接，所述存储器还具有多条互补位线，每一所述互补位线与相应的一所述位线的电平相位相反；所述存储器还包括多个感测放大器，每一所述感测放大器与一所述位线以及以所述互补位线电耦合，且所述感测放大器包括提供低电位电压的电源线以及提供高电位电压的电源线；写入装置，用于向所述存储单元写入存储数据；读取装置，所述读取装置用于依次选通所有所述字线进行读取，以通过所述位线以及所述感测放大器读取每一所述存储单元内的真实数据；指令装置，用于控制选通与所述位线对应的所述提供低电位电压的电源线，以使所述位线的电平下降，在选通所述提供低电位电压的电源线后等待预设时间之后，等待预设时间选通所述提供高电位电压的电源线，以使所述位线和所述互补位线中电平更高的一者的电平升高；报错装置，所述报错装置基于所述真实数据与所述存储数据的差异，获取测试结果，并基于所述测试结果，获取漏电的所述位线的具体位置。

另外，还包括：指令译码器，用于根据所述指令装置发出的指令选通所述提供低电位电压的电源线和所述提供高电压电位的电源线。

另外，所述指令装置包括时间控制装置，所述时间控制装置用于控制所述预设时间的时长。

另外，还包括：预充电装置，所述预充电装置用于对所述位线和对应的所述互补位线进行预充电，使得在选通一所述字线之后，所述位线的电平与对应的所述互补位线的电平相同。

另外，还包括：自动刷新装置，用于定时对所述存储单元进行自动刷新操作。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的存储器的检测方法，在进行读取之前，先选通与位线对应的提供低电位电压的电源线，以使位线的电平下降，在选通提供低电位电压的电源线后，在等待预设时间后，选通与位线对应的提供高电位电压的电源线，以使位线和互补位线中电平更高的一者的电平升高；在选通提供低电位电压的电源线和提供高电位电压的电源线之间增加预设时间，在预设时间段内，由于提供低电位电压的电源线已经被选通，如果选通的位线为高电平且漏电流，则该位线的电平是可降的，那么在预设时间段内，漏电流的位线会从高电平降至低电平，这样经感测放大器放大后读出的第一真实数据与第一存储数据不同，则可确定漏电流位线的确切位置；采用如此方法依次选通所有字线和位线，且分别在存储单元中写入与第一存储数据不同的第二存储数据，读取第二真实数据，根据两次对比结果可以无遗漏的得到漏电流的位线的准确位置，提高了存储器检测方法的准确率，改善产品良率。

另外，对位线和对应的互补位线进行预充电，预充电后的位线和对应的互补位线电平相同，这样避免了其余因素对感测放大器挑选位线与对应的互补位线两者之间电平更大者的影响，保证了检测出的电位情况完全反应存储器本身的状况，有利于提高检测的准确性。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为一种存储器的检测方法中位线的电平变化示意图；

图2为本发明实施例中存储器的结构示意图；

图3为本发明第一实施例中一种位线的电平变化示意图；

图4为本发明第一实施例中另一种位线的电平变化示意图；

图5为本发明实施例中存储器的检测方法效果图；

图6为本发明第二实施例中存储器的检测装置的模块示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有技术的存储器检测方法准确度不高。

现结合一种存储器的检测方法进行分析。检测方法包括：存储器包括若干个存储单元，向每一存储单元写入第一存储数据；在写入第一存储数据之后，进行读取操作，读取操作包括：依次选通所有字线进行读取，以通过位线以及感测放大器读取每一存储单元内的第一真实数据，且在进行读取之前，同时选通与位线对应的提供低电位电压的电源线ncs，和与位线对应的提供高电位电压的电源线pcs，以使位线和互补位线中电平更高的一者的电平升高；基于第一真实数据与第一存储数据的差异，获取第一测试结果；向每一存储单元写入第二存储数据，且针对同一存储单元，第二存储数据与第一存储数据不同；在写入第二存储数据之后，再次进行读取操作，以读取每一存储单元内的第二真实数据；基于第二真实数据与第二存储数据的差异，获取第二测试结果；基于第二测试结果以及第一测试结果，获取漏电的位线的具体位置。

当位线与字线短路时，检测时会出现如下四种情况：第一种情况，位线为低电平，当位线短接选通的字线时，位线变为高电平，读出结果为位线高电平，与实际情况不符，确认缺陷，从而检测出漏电位线的具体位置；第二种情况，位线为高电平，当位线短接选通的字线时，位线还是高电平，读出结果为位线高电平，与实际情况相符，不能得到缺陷，不能检测出漏电位线的具体位置；第三种情况，位线为低电平，当位线与未选通的字线短接时，位线还是低电平，读出结果为位线低电平，与实际情况相符，不能得到缺陷，检测不出漏电位线的具体位置；第四种情况，位线为高电平，当位线与未选通的字线短接时，位线变为低电平，读出结果为位线低电平，与实际情况不符，确认缺陷，从而检测出漏电流位线的具体位置。

其中，第二种情况和第三种情况不能得出缺陷，但是通过依次选通所有字线的方式，就可以将第二种情况变为第四种情况，第三种情况变为第一种情况，这样对于位线与字线短路导致的位线漏电流情况，都可以准确检测出来，但是对于位线和字线不完全短接导致位线漏电流的情况，则无法检测出来。

图1为一种存储器的检测方法中位线的电平变化示意图。

参考图1，位线为高电平，当位线与选通的字线不完全短接时，在t0时间节点进行激活操作act，激活操作act之后，对提供低电位电压的电源线ncs和提供高电位电压的电源线pcs进行预充电处理，预充电处理之后，提供低电位电压的电源线ncs的电平和提供高电位电压的电源线pcs的电平相同；选通的位线和对应的互补位线进入电荷分享阶段，对位线和对应的互补位线进行预充电，预充电后的位线和对应的互补位线电平相同；在t1时间节点选通字线；在t1～t2时间段内，互补位线的电平不发生变化，但由于位线为高电平，所以位线的电平缓慢升高；t2时间节点，打开感测放大器，同时选通与位线对应的提供低电位电压的电源线ncs和提供高电位电压的电源线pcs，位线还是高电平，读出结果为位线高电平，与实际情况相符，不能得到缺陷，检测不出漏电位线的具体位置；选通其他字线，则该位线为高电平，位线与未选通的字线不完全短接，位线还是高电平，读出结果为位线高电平，与实际情况相符，不能得到缺陷，检测不出漏电位线的具体位置。可以得到，这种存储器的检测方法不能检测出位线与字线不完全短接导致位线漏电流的情况，造成对位线漏电流检测不完全，影响产品良率。

为解决上述问题，本发明实施提供一种存储器的检测方法，在选通提供低电位电压的电源线和提供高电位电压的电源线之间增加预设时间，在预设时间段内，由于提供低电位电压的电源线已经被选通，如果选通的位线为高电平且漏电流，则该位线的电平是可降的，那么在预设时间段内，漏电流的位线会从高电平降至低电平，这样经感测放大器放大后读出的第一真实数据与第一存储数据不同，则可确定漏电流位线的确切位置；采用如此方法依次选通所有字线和位线，且分别在存储单元中写入与第一存储数据不同的第二存储数据，读取第二真实数据，根据两次对比结果可以无遗漏的得到漏电流的位线的准确位置，提高了存储器检测方法的准确率，改善产品良率。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

图2为本发明实施例中存储器的结构示意图。

本实施例提供用于检测漏电的位线的存储器检测的方法，包括：参考图2，存储器100包括多个存储单元101、多条相互分立的位线102以及多条相互分立的字线103，每条位线102连接若干个存储单元101，每条字线103连接若干个存储单元101，且每一存储单元101与相应的一位线102以及一字线103连接，存储器100还具有多条互补位线(未标示)，每一互补位线与相应的一位线102的电平相位相反；存储器100还包括多个感测放大器104，每一感测放大器104与一位线102以及一互补位线电耦合，且感测放大器104包括提供低电位电压的电源线ncs以及提供高电位电压的电源线pcs。

首先对存储单元101进行初始化操作，以激活存储单元101；在初始化操作之后，进行写入操作，向每一存储单元101写入第一存储数据，其中，本实施例中向多个存储单元101写入第一存储数据的方式为，向所有的存储单元101写入的第一存储数据都相同。

在其他实施例中，向存储单元写入第一存储数据的方式包括：向与同一字线连接的若干存储单元写入相同的第一存储数据，同时，向与相邻的字线连接的若干存储单元写入不同的第一存储数据。

在其他实施例中，向存储单元写入第一存储数据的方式还包括：每相邻的两条字线为一组，向与同一组字线连接的若干存储单元写入相同的第一存储数据，同时，向与相邻的一组字线连接的若干存储单元写入不同的第一存储数据。

本实施例中，在向存储单元101写入第一存储数据之后，还可以对所有存储单元101进行自动刷新操作；然后进行读取操作，读取操作包括：依次选通所有字线103进行读取，以通过位线102以及感测放大器读取每一存储单元101内的第一真实数据；基于第一真实数据与第一存储数据的差异，获取第一测试结果；然后向每一存储单元101写入第二存储数据，且针对同一存储单元101，第二存储数据与第一存储数据不同；在写入第二存储数据之后，再次进行读取操作，以读取每一存储单元101内的第二真实数据；基于第二真实数据与第二存储数据的差异，获取第二测试结果；基于第二测试结果以及第一测试结果，获取漏电的位线102的具体位置。

本实施例中向多个存储单元101写入第二存储数据的方式为，向所有的存储单元101写入的第二存储数据都相同。

在其他实施例中，向存储单元写入第二存储数据的方式包括：向与同一字线连接的若干存储单元写入相同的第二存储数据，同时，向与相邻的字线连接的若干存储单元写入不同的第二存储数据。

在其他实施例中，向存储单元写入第二存储数据的方式还包括：每相邻的两条字线为一组，向与同一组字线连接的若干存储单元写入相同的第二存储数据，同时，向与相邻的一组字线连接的若干存储单元写入不同的第二存储数据。

本实施例中，在进行读取之前，先选通与位线102对应的提供低电位电压的电源线ncs，以使位线102的电平下降，在选通提供低电位电压的电源线ncs后，在等待预设时间后，选通与位线102对应的提供高电位电压的电源线pcs，以使位线102和互补位线中电平更高的一者的电平升高；然后还可以对所有存储单元101进行自动刷新操作。以下将结合附图对检测过程中各种不同情况的位线102的电平变化情况进行详细说明。

图3为本发明第一实施例中一种位线的电平变化示意图。

参考图3，当选通的位线102为高电平且不漏电时，在t0时间节点进行激活操作act，激活操作act之后，对提供低电位电压的电源线ncs和提供高电位电压的电源线pcs进行预充电处理，预充电处理之后，提供低电位电压的电源线ncs的电平和提供高电位电压的电源线pcs的电平相同；选通的位线102和对应的互补位线进入电荷分享阶段，对位线102和对应的互补位线进行预充电，预充电后的位线102和对应的互补位线电平相同；在t1时间节点选通任一字线103；在t1～t2时间段内，互补位线的电平不发生变化，但由于位线102为高电平，所以位线102的电平缓慢升高；t2时间节点，打开感测放大器，选通与位线102对应的提供低电位电压的电源线ncs，这时位线102和互补位线的电平都下降；等待预设时间后，选通与位线102对应的提供高电位电压的电源线pcs，以使位线102和互补位线中电平更高的一者的电平升高，由于位线102为高电平，互补位线为低电平，在位线102和互补位线以相同的下降速率下降预设时间后，位线102的电平还是高于互补位线，所以在选通pcs电源线后，电平升高的是位线102。

这样，读出结果为位线高电平，与实际相符，本实施例的存储器的检测方法不会对不漏电的位线102误判。

以下将对位线102与字线103完全短路时的情况进行详细说明，与位线102不漏电时相同的部分，将不再赘述。

位线102为低电平，当位线102短接选通的字线103时，位线102变为高电平，在预设时间内，高电平的互补位线是可降的，高电平的位线102是不可降的，预设时间后，位线102电平高于互补位线电平，读出结果为位线102高电平，与实际情况不符，确认缺陷，检测出漏电位线102的具体位置；位线102为高电平，当位线102短接选通的字线103时，位线102还是高电平，在预设时间内，低电平的互补位线是可降的，高电平的位线102是不可降的，预设时间后，位线102电平高于互补位线电平，读出结果为位线102高电平，与实际情况相符，不能得到缺陷，不能检测出漏电位线102的具体位置；位线102为低电平，当位线102与未选通的字线103短接时，位线102还是低电平，在预设时间内，高电平的互补位线是可降的，低电平的位线102是可降的，预设时间后，位线102电平低于互补位线电平，读出结果为位线102低电平，与实际情况相符，不能得到缺陷，检测不出漏电位线102的具体位置；位线102为高电平，当位线102与未选通的字线103短接时，位线102变为低电平，在预设时间内，低电平的互补位线是可降的，低电平的位线102也是可降的，预设时间后，位线102电平低于互补位线电平，读出结果为位线102低电平，与实际情况不符，确认缺陷，检测出漏电流位线102的具体位置。

其中，高电平位线102短接选通的字线103和低电平位线102与未选通的字线103短接的两种情况，不能得出缺陷，但是通过依次选通所有字线的方式，就可以将高电平位线102短接选通的字线103变为高电平位线102与未选通的字线103短接的情况，低电平位线102与未选通的字线103短接变为低电平位线102短接选通的字线103的情况，这样对于位线102与字线103完全短路导致的位线102漏电流情况，都可以准确检测出来。

以下将结合附图对位线102和字线103不完全短接导致位线漏电流的情况进行详细说明，与位线102不漏电时相同的部分，将不再赘述。

图4为本发明第一实施例中另一种位线的电平变化示意图。

参考图4，位线102为高电平，当位线102与选通的字线103不完全短接时，在t0时间节点进行激活操作act，激活操作act之后，对提供低电位电压的电源线ncs和提供高电位电压的电源线pcs进行预充电处理，预充电处理之后，提供低电位电压的电源线ncs的电平和提供高电位电压的电源线pcs的电平相同；选通的位线102和对应的互补位线进入电荷分享阶段，对位线102和对应的互补位线进行预充电，预充电后的位线102和对应的互补位线电平相同；在t1时间节点选通字线103；在t1～t2时间段内，互补位线的电平不发生变化，但由于位线102为高电平，所以位线102的电平缓慢升高；t2时间节点，打开感测放大器，选通与位线102对应的提供低电位电压的电源线ncs，这时位线102和互补位线的电平都下降；等待预设时间后，选通与位线102对应的提供高电位电压的电源线pcs，以使位线102和互补位线中电平更高的一者的电平升高，虽然位线102为高电平，互补位线为低电平，但由于位线102漏电，且不完全短接的字线103不能给位线102提供电平，所以位线102的电平的下降速率高于互补位线电平的下降速率，在预设时间后，位线102的电平低于互补位线，所以在选通pcs电源线后，电平升高的是互补位线，读出结果为位线102低电平，与实际情况不符，能得到缺陷，检测出漏电位线102的具体位置。

对于低电平位线102与未选通的字线103不完全短接、高电平位线102与未选通的字线103不完全短接、低电平位线102不完全短接选通的字线103这三种情况，通过依次选通其他字线103和在第二次检测中向每一存储单元101写入与第一存储数据不同的第二存储数据，可以将这三种情况转化为高电平位线102与选通的字线103不完全短接导致漏电流的情况，从而可以更全面准确检测出漏电位线102的具体位置，提高存储器100的良率。

本实施例中，预设时间为90纳秒～120纳秒，具体可以为95纳秒、100纳秒或110纳秒，预设时间在此时间段内，可以保证更多的漏电位线102被检测出来。

图5为本发明实施例中存储器的检测方法效果图。

参考图5，第一种写入方式为：向所有的存储单元写入的存储数据都相同；第二种写入方式为：向与同一字线连接的若干存储单元写入相同的存储数据，同时，向与相邻的字线连接的若干存储单元写入不同的存储数据；第三种写入方式为：每相邻的两条字线为一组，向与同一组字线连接的若干存储单元写入相同的存储数据，同时，向与相邻的一组字线连接的若干存储单元写入不同的存储数据。

可以得到，采用第三种写入方式向存储单元101写入存储数据，检测的效果最好；预设时间越长，检测效果越好；对于第三种写入方式，预设时间大于90纳秒之后，检测效果不变。

本实施例提供的存储器的检测方法，在进行读取之前，先选通与位线102对应的提供低电位电压的电源线ncs，以使位线102的电平下降，在选通提供低电位电压的电源线ncs后，在等待预设时间后，选通与位线102对应的提供高电位电压的电源线pcs，以使位线102和互补位线中电平更高的一者的电平升高；在选通提供低电位电压的电源线ncs和提供高电位电压的电源线pcs之间增加预设时间，在预设时间段内，由于提供低电位电压的电源线ncs已经被选通，如果选通的位线102为高电平且漏电流，则该位线102的电平是可降的，那么在预设时间段内，漏电流的位线102会从高电平降至低电平，这样经感测放大器放大后读出的真实数据与存储数据不同，则可确定漏电流位线102的确切位置；采用如此方法依次选通所有字线103和位线102，且分别在存储单元101中写入两次不同的存储数据，分别读取两次真实数据，根据两次对比结果可以无遗漏的得到漏电流的位线102的准确位置，提高了存储器100检测方法的准确率，改善产品良率。

本发明第二实施例提供一种与第一实施例存储器的检测方法对应的存储器的检测装置，用以检测漏电的位线。以下将结合附图对本实施例的存储器的检测装置进行详细的说明。

参考图2，存储器100包括多个存储单元101、多条相互分立的位线102以及多条相互分立的字线103，每条位线102连接若干个存储单元101，每条字线103连接若干个存储单元101，且每一存储单元101与相应的一位线102以及一字线103连接，存储器100还具有多条互补位线(未标示)，每一互补位线与相应的一位线102的电平相位相反；存储器100还包括多个感测放大器104，每一感测放大器104与一位线102以及一互补位线电耦合，且感测放大器104包括提供低电位电压的电源线ncs以及提供高电位电压的电源线pcs。

图6为本发明第二实施例中存储器的检测装置的模块示意图。

写入装置110，用于向存储单元101写入存储数据；指令装置120包括电源线控制装置121，电源线控制装置121用于控制选通与位线对应的提供低电位电压的电源线ncs，以使位线102的电平下降，在选通提供低电位电压的电源线ncs后，等待预设时间选通提供高电位电压的电源线pcs，以使位线102和所补位线中电平更高的一者的电平升高；指令装置120还包括时间控制装置122，时间控制装置122用于控制预设时间的时长。

本实施例中，预设时间为90纳秒～120纳秒，具体可以为95纳秒、100纳秒或110纳秒，预设时间在此时间段内，可以保证更多的漏电位线102被检测出来。

本实施例中，还包括：预充电装置，预充电装置用于对位线102和对应的互补位线进行预充电，使得在选通一字线103之后，位线102的电平与对应的互补位线的电平相同；还包括：自动刷新装置，用于定时对存储单元101进行自动刷新操作。

本实施例中，还包括：指令译码器130，用于根据指令装置120发出的指令选通提供低电位电压的电源线ncs和提供高电压电位的电源线pcs。

本实施例中读取装置140用于依次选通所有字线103进行读取，以通过位线102以及感测放大器104读取每一存储单元101内的真实数据；报错装置150，报错装置150基于真实数据与存储数据的差异，获取测试结果，并基于测试结果，获取漏电的位线的具体位置。

本实施例提供的存储器的检测装置，在进行读取之前，指令装置120控制先选通与位线102对应的提供低电位电压的电源线ncs，以使位线102的电平下降，在选通提供低电位电压的电源线ncs后，时间控制装置122控制等待预设时间后，选通与位线102对应的提供高电位电压的电源线pcs，以使位线102和互补位线中电平更高的一者的电平升高；在预设时间段内，由于提供低电位电压的电源线ncs已经被选通，如果选通的位线102为高电平且漏电流，则该位线102的电平是可降的，那么在预设时间段内，漏电流的位线102会从高电平降至低电平，这样经感测放大器104放大后读出的真实数据与存储数据不同，则可确定漏电流位线102的确切位置，提高了存储器100检测方法的准确率，改善产品良率。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。