检测脉冲干扰的系统与方法与流程

1.本发明的实施例涉及用于检测脉冲干扰的系统及方法，且更具体来说，涉及对在离子植入系统中接近脉冲干扰而出现的信息进行存储。


背景技术：

2.半导体装置的制作涉及多个离散且复杂的工艺。一种这样的工艺可为其中从工件移除材料的刻蚀工艺。另一种工艺可为其中在工件上沉积材料的沉积工艺。又一种工艺可为其中将离子植入到工件中的离子植入工艺。
3.为沿着所需路径引导离子，使用具有被施加电偏压的构件(例如电极)的系统。这些电极中的一些电极被维持在相对高的电压下。这些电极可靠近可能处于极为不同的电压下的其他构件而设置。邻近的构件之间的此种电压差可能会使得在电源中发生电弧或脉冲干扰(glitch)。这些脉冲干扰可在正被加工的工件中造成缺陷或性能的降级。
4.理解这些脉冲干扰的原因对于校正系统性问题可为有用的。因此，记录紧接在脉冲干扰之前及之后的事件可有助于对系统进行诊断。
5.因此，如果存在一种用于监测脉冲干扰并记录紧接在脉冲干扰事件之前及之后出现的信息的系统及方法，则将为有益的。此外，如果可改变将要检测的脉冲干扰的振幅及持续时间，则将为有利的。另外，如果可将此信息提供到控制系统以分析所述信息，则将为有利的。


技术实现要素：

6.本发明公开一种脉冲干扰监测系统。脉冲干扰监测系统容许从一个或多个通道俘获电压及电流数据。另外，还可俘获在脉冲干扰之前出现的电压及电流数据以供进一步分析。数据量可为数千或数百万个字节。另外，可对脉冲干扰的包括上阈值、下阈值及持续时间在内的说明进行编程。这容许在需要时忽略电压或电流的虚假扰动。此外，在需要时，可在存储在存储器中之前对电压及电流数据进行滤波。此数据稍后可由主控制器检索并被分析，以确定脉冲干扰的潜在原因及潜在的补救动作。
7.根据一个实施例，公开一种脉冲干扰监测系统。所述脉冲干扰监测系统包括：模/数转换电路，用于将模拟电压及电流信号转换成数字值；触发逻辑电路，包括脉冲干扰窗寄存器及脉冲干扰持续时间寄存器，其中所述脉冲干扰窗寄存器确立所述数字值的上阈值及下阈值，使得当数字值大于所述上阈值或小于所述下阈值时，检测到脉冲干扰，且其中所述脉冲干扰持续时间寄存器确立为引起触发而连续发生的脉冲干扰的数目；存储器，其中存储所述数字值；以及地址逻辑电路，保存其中发生所述触发的存储器位置的地址。在某些实施例中，所述脉冲干扰监测系统包括触发后寄存器，所述触发后寄存器确立在所述触发发生之后将在所述存储器中存储的数据量。在某些实施例中，所述脉冲干扰监测系统包括数据逻辑电路，所述数据逻辑电路在将所述数字值存储在所述存储器中之前操纵所述数字值。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过低通滤波器。在某些
其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过高通滤波器。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过快速傅里叶变换。在一些实施例中，所述模/数转换电路包括采样率寄存器，所述采样率寄存器用以确定所述模拟电压及电流信号被转换成数字信号的频率。在某些实施例中，所述模/数转换电路包括采样类型寄存器，其中所述数字值可基于所述采样类型寄存器中所存储的信息而代表原始数据或平均数据。
8.根据另一实施例，公开一种脉冲干扰监测系统。所述脉冲干扰监测系统包括：模/数转换电路，用于将模拟电压及电流信号转换成数字值，其中所述模/数转换电路包括采样率寄存器及采样类型寄存器，所述采样率寄存器用以确定所述模拟电压及电流信号被转换成数字值的频率及周期，其中所述数字值可基于所述采样类型寄存器中所存储的信息而代表原始数据或平均数据，其中当使用平均数据时，所述模/数转换电路在每一周期期间执行多次测量且生成所述多次测量的平均值作为所述数字值；触发逻辑电路，用于确定触发；存储器，其中存储所述数字值；以及地址逻辑电路，保存其中发生所述触发的存储器位置的地址。在某些实施例中，所述脉冲干扰监测系统包括数据逻辑电路，所述数据逻辑电路在将所述数字值存储在所述存储器中之前操纵所述数字值。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过低通滤波器。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过高通滤波器。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过快速傅里叶变换。
9.根据另一实施例，公开一种脉冲干扰监测系统。所述脉冲干扰监测系统包括：模/数转换电路，用于将模拟电压及电流信号转换成数字值；触发逻辑电路，用于确定触发；存储器，其中存储所述数字值；数据逻辑电路，在将所述数字值存储在所述存储器中之前操纵所述数字值；以及地址逻辑电路，保存其中发生所述触发的存储器位置的地址。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过低通滤波器。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过高通滤波器。在某些其他实施例中，所述数字值在存储在所述存储器中之前经过快速傅里叶变换。
10.根据另一实施例，公开一种离子植入机。所述离子植入机包括：离子源；被施加电偏压的构件；电源，用以将电压及电流信号提供到所述被施加电偏压的构件；以及以上所述的脉冲干扰监测系统中的任一者，其中所述模拟电压及电流信号由所述脉冲干扰监测系统监测。
附图说明
11.为更好地理解本发明，参照并入本文中供参考的附图，附图中：
12.图1是根据一个实施例具有脉冲干扰监测系统的半导体系统的代表图。
13.图2是根据一个实施例用于监测脉冲干扰的系统的代表图。
14.图3示出根据一个实施例的模/数转换电路的代表性框图。
15.图4示出根据一个实施例的触发电路的代表性框图。
16.图5示出波形，其中示出上阈值及下阈值。
17.图6示出根据一个实施例的地址逻辑电路的代表性框图。
18.图7示出根据一个实施例的数据逻辑电路的代表性框图。
具体实施方式
19.图1示出可与本发明中所述的脉冲干扰监测系统一起使用的半导体加工系统的第一实施例。所述半导体加工系统包括离子源100，离子源100包括界定离子源腔室110的多个腔室壁111。在某些实施例中，离子源100可为射频(radio frequency，rf)离子源。在此实施例中，rf天线可抵靠介电窗而设置。此介电窗可构成腔室壁111中的一者的一部分或全部。rf天线可包含导电材料，例如铜。rf电源与rf天线进行电通信。rf电源可向rf天线供应rf电压。由rf电源供应的电力可介于0.1kw与10kw之间，且可为任何适合的频率，例如介于1mhz与15mhz之间。此外，由rf电源供应的电力可为脉冲式。
20.在另一实施例中，在离子源腔室110内设置有阴极。丝极(filament)设置在阴极后面且被激励以发射电子。这些电子被吸引到阴极，所述阴极又将电子发射到离子源腔室110中。此种阴极可被称为间热式阴极(indirectly heated cathode，ihc)，因为所述阴极是通过从丝极发射出的电子被间接地加热。
21.还可能存在其他实施例。举例来说，可以不同的方式(例如通过伯纳(bernas)离子源或电容性耦合等离子(capacitively coupled plasma，ccp)源)生成等离子。生成等离子的方式并不受本发明限制。
22.被称为抽取板112的一个腔室壁包括抽取开孔115。抽取开孔115可为抽取并朝工件10引导在离子源腔室110中生成的离子所经由的开口。抽取开孔115可为任何适合的形状。在某些实施例中，抽取开孔115可为卵形的或矩形的，从而使得其被称为长度的一个尺寸可比被称为高度的第二尺寸大得多。
23.在某些实施例中，所有的腔室壁111及抽取板112均为导电的。在其他实施例中，仅抽取板112为导电的且与偏压电源进行通信。其余的腔室壁111可由介电材料制成。
24.在抽取开孔115之外且靠近抽取开孔115设置有抽取光学器件170。在某些实施例中，抽取光学器件170包括一个或多个电极180。每一电极180可为其中设置有开孔185的单个导电构件。作为另外一种选择，每一电极180可由间隔开的两个导电构件构成，以在所述两个构件之间形成开孔185。电极180可为金属，例如钛。电极180中的一者或多者可电连接到地。在某些实施例中，可使用电极电源188对电极180中的一者或多者施加偏压。电极电源188可用于相对于离子源腔室110对电极180中的一者或多者施加偏压，以经由抽取开孔115吸引离子。抽取开孔115与开孔185对准。
25.尽管图1示出两个电极180，然而在其他实施例中，抽取光学器件170可为更复杂的。举例来说，抽取光学器件170可包括一个或多个额外电极。抽取光学器件170的配置可有所变化且不受本发明限制。此外，虽然示出了一个电极电源188，但应理解，也可采用多个电极电源188。
26.位于抽取光学器件170下游的可为质量分析仪200。所述质量分析仪使用磁场来导引所抽取离子的路径。质量分析仪200在其远端处包括分辨开孔。仅那些具有所选质量及电荷的离子才将被引导穿过所述分辨开孔。
27.离子植入系统还可包括第一加速级/减速级210。第一加速级/减速级210用于通过使离子束减速或使离子束加速来操纵离子束的能量。这可通过对构成第一加速级/减速级210的电极施加偏压电压来实现。级电源215可用于向第一加速级/减速级210供应偏压电压。
28.位于第一加速级/减速级210下游的可为第二加速级/减速级220。第二加速级/减速级220是被配置成独立地对离子束的偏转、减速及聚焦进行控制的束线透镜构件。举例来说，第二加速级/减速级220可为垂直静电能量过滤器(vertical electrostatic energy filter，veef)或静电过滤器(electrostatic filter，ef)。第二加速级/减速级220可包括电极配置，所述电极配置包括一个或多个电极221。所述一个或多个电极221可与各自的电源进行通信。为清晰起见，示出仅一个veef电源224。
29.在操作中，经由气体入口将来自气体存储容器的馈入气体引入到离子源腔室110。对所述馈入气体进行激励，从而使得形成等离子。所述等离子中的离子通常带正电荷。由于电极180相对于腔室壁111及抽取板112被施加偏压，因此离子以离子束1的形式从抽取开孔115射出。离子束1穿过抽取开孔115、开孔185、质量分析仪200、第一加速级/减速级210及第二加速级/减速级220并朝工件10行进。
30.还使用主控制器250来控制系统。主控制器250具有处理单元及相关联的存储器装置。此存储器装置含有指令，所述指令在由所述处理单元执行时使所述系统能够执行本文中所述的功能。此存储器装置可为非易失性存储器，例如闪存只读存储器(read only memory，rom)、电可擦除rom或其他适合的装置。在其他实施例中，所述存储器装置可为易失性存储器，例如随机存取存储器(random access memory，ram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)。在某些实施例中，主控制器250可为通用计算机、嵌入式处理器或经专门设计的微控制器。主控制器250的实际实施方案并不受本发明限制。
31.主控制器250可与电源中的每一者进行通信，且还可与被施加电偏压的构件中的每一者进行通信，以使得主控制器250可控制并监测对被施加电偏压的构件中的每一者施加的实际电压。被施加电偏压的构件包括电极180、第一加速级/减速级210及第二加速级/减速级220。举例来说，主控制器250可监测对抽取光学器件170中、第一加速级/减速级210中及第二加速级/减速级220中的电极180施加的实际电压。如果电压未处于可接受的范围之内，则主控制器250可确定已发生故障。
32.在许多离子植入系统中，可发生脉冲干扰。当高电压构件(例如被施加偏压的电极)向接地构件(例如接地电极、机械支撑构件或其他构件)放电时，可发生脉冲干扰。举例来说，抽取光学器件170可包括被接地的第一电极、以及以高电压被施加偏压的第二电极。如果在这些电极上形成粒子，则在这些电极之间可能会发生电弧。
33.因此，在某些实施例中，产生表明一个或多个被施加偏压的构件的电压及电流随时间而变的迹线可为有益的。此迹线可呈包含时间、电流及电压的表格的形式。此外，包含在脉冲干扰之前及脉冲干扰之后的信息可为有利的。
34.使用脉冲干扰监测系统300来记录与施加到一个或多个被施加电偏压的构件的电压及电流有关的信息。通道被定义为与一个被施加电偏压的构件相关联的电压及电流。脉冲干扰监测系统300可同时监测一个或多个通道。在一些实施例中，脉冲干扰监测系统300可同时监测四个或更多个通道。
35.图2示出根据一个实施例的脉冲干扰监测系统300。概念上，脉冲干扰监测系统300包括模/数(analog to digital，a/d)转换电路310、触发逻辑电路320、地址逻辑电路330、存储器340、数据逻辑电路350、网络接口360及局部控制器370。以下将更详细地阐述这些电路中的每一者。
36.图3示出模/数(a/d)转换电路310的代表性框图。模/数(a/d)转换电路310包括一个或多个模/数转换器(analog/digital converter，adc)311。在一些实施例中，在电源314(例如电极电源188、级电源215或veef电源224)与其相应的被施加电偏压的构件之间设置有电流电阻器312。跨越此电流电阻器312而测量的电压代表供应到被施加偏压的电阻器的电流。因此，在一些实施例中，差分放大器313与电流电阻器312的相对两端进行通信。差分放大器313的输出及电流电阻器312的输出可输入到adc 311。在另一实施例中，adc 311直接从电源314接收电压信号及电流信号。在此实施例中，不采用电流电阻器312及差分放大器313。adc 311将这些模拟电压转换成数字值。adc 311可以预定速率(被称为采样率)对这些模拟电压进行采样。在某一实施例中，采样率可由局部控制器370使用采样率寄存器315进行编程。举例来说，采样率可介于每1微秒一次与每8.192毫秒一次之间。当然，在其他实施例中，可使用其他采样率。因此，模/数(a/d)转换电路310的输出包括代表供应到被施加电偏压的构件的电流的数字值及代表供应到所述被施加电偏压的构件的电压的数字值。这两个值共同地可被称为通道。在某些实施例中，模/数(a/d)转换电路310可包括多个adc 311，或者可对单个adc 311进行多路复用以对多个通道执行转换。
37.在某些实施例中，模/数(a/d)转换电路310可包括采样类型寄存器316。采样类型寄存器316可在原始数据与平均数据之间进行选择。换句话说，如果采样率是每1微秒且采样类型寄存器316指示原始数据，则adc 311将每微秒执行一次转换。如果采样率是每1微秒且采样类型寄存器316指示平均数据，则adc 311将在所述1微秒持续时间期间执行多次转换且呈现平均值作为其输出。
38.来自模/数(a/d)转换电路310的输出可用作触发逻辑电路320及地址逻辑电路330的输入。图4示出触发逻辑电路320的代表性框图。模/数(a/d)转换电路310的输出可用作比较器321的输入。比较器321还与一个或多个脉冲干扰窗寄存器322进行通信。脉冲干扰窗寄存器322确立上阈值及下阈值，所述上阈值及下阈值定义电压、电流或其两者的脉冲干扰。举例来说，图5示出代表图，其示出电压波形500。由上阈值510来设定高于其便会检测到脉冲干扰的值。由下阈值520来设定低于其便会检测到脉冲干扰的值。只要电压波形500保持介于上阈值510与下阈值520之间，便不会检测到脉冲干扰。因此，比较器321在电压波形介于上阈值510与下阈值520之间时输出“0”，且在电压波形500处于这些阈值之外时输出“1”。图5中示出比较器的输出。这些上阈值及下阈值可由局部控制器370进行编程并存储在脉冲干扰窗寄存器322中。在一些实施例中，脉冲干扰窗寄存器322可用于为电压值及电流值保存单独的上阈值及下阈值。比较器321还可与触发使能寄存器323进行通信。触发使能寄存器323用于确定为判断是否发生脉冲干扰将监测哪些值(即，电压和/或电流)。换句话说，在一些情景中，比较器321可仅监测来自模/数(a/d)转换电路310的电压值以检测脉冲干扰。在某些情景中，比较器321可仅监测来自模/数(a/d)转换电路310的电流值以检测脉冲干扰。在又一些情景中，比较器321可监测来自模/数(a/d)转换电路310的电压值及电流值两者以检测脉冲干扰。因此，如果触发使能寄存器323指示将监测电压且电压值高于上阈值或低于下阈值，则比较器321将输出“1”。
39.在某些实施例中，比较器321的输出可用作计数器324的输入。在一个实施例中，计数器324每当来自比较器321的输出为“1”时进行递增，且每当来自比较器321的输出为“0”时进行复位。因此，在图5所示的实例中，计数器对于第一脉冲干扰及第二脉冲干扰将达到
值1，对于第三脉冲干扰将达到值7，且对于第四脉冲干扰将达到值3。在某些实施例中，使用脉冲干扰持续时间寄存器325。此脉冲干扰持续时间寄存器325指定脉冲干扰的最小持续时间。举例来说，如果脉冲干扰持续时间寄存器325被设定成值3，则第一脉冲干扰及第二脉冲干扰将不会引起触发。然而，第三脉冲干扰及第四脉冲干扰将会引起触发。为执行此种功能，将脉冲干扰持续时间寄存器325的内容与计数器324的值进行比较。如果计数器324的值等于或大于脉冲干扰持续时间寄存器325的内容，则比较器326的输出被置位(assert)，从而使触发发生。
40.所述触发用于控制被写入到存储器340中的数据。一旦局部控制器370将脉冲干扰监测系统300初始化，脉冲干扰监测系统300便开始将信息写入到存储器340中。图6示出地址逻辑电路330的代表性框图。
41.地址计数器331用于对存储器340加索引。每当将数据写入到存储器340中时，地址计数器331进行递增。应注意，甚至在触发发生之前便将数据写入到存储器340中，以容许存储在所述触发之前的数据。只要触发尚未发生，地址计数器331便继续进行递增。如果整个存储器340被填充，则地址计数器331复位到0且开始盖写先前所写入的数据。当触发发生时，将地址计数器331的当前值存储在触发地址寄存器332中。此触发地址寄存器332存储其中发生了触发的存储器地址。另外，地址逻辑电路330可包括触发后寄存器333，触发后寄存器333代表在触发发生之后将存储的数据量。此触发后寄存器333可代表在触发发生之后将存储的数据块的数目。可以任何所需大小(例如2048字节、4096字节、8192字节或任何其他适合的大小)来组织数据块。接着，使用加法器334将触发后寄存器333中的值加到触发地址寄存器332。此和代表应由存储器340存储的结束地址。因此，使用比较器335将地址计数器331的值与此和进行比较。如果这些值为相同的，则停止地址计数器331且不再将更多的数据存储在存储器340中。如果这些值为不同的，则地址计数器331继续进行递增并存储更多的数据。另外，地址逻辑电路330可包括触发前寄存器336，触发前寄存器336指示在触发之前将存储的数据量。使用减法器337从触发地址寄存器332减去触发前寄存器336中的值，以得到存储器中的起始地址。因此，由于触发事件而存储的数据以起始地址开始且以结束地址终止。因此，当局部控制器370从存储器340读取数据时，所述数据由这两个地址限界。
42.因此，地址逻辑电路330容许在触发事件发生之前及之后存储可编程或可配置的数据量。
43.在某些实施例中，脉冲干扰监测系统300可包括数据逻辑电路350，例如图7中所示的数据逻辑电路350。数据逻辑电路350负责在由模/数(a/d)转换电路310呈现的数据存储在存储器340中之前操纵所述数据。数据逻辑电路350可包括一个或多个滤波函数寄存器351。滤波函数寄存器351容许局部控制器370确定由模/数(a/d)转换电路310呈现的原始数据在存储在存储器340中之前应如何加以操纵。在某些实施例中，原始数据不被变更，且仅经过数据操纵电路352。在另一情况中，原始数据在呈现给存储器340之前经过设置在数据操纵电路352中的低通滤波器。在某些实施例中，低通滤波器的截止频率也可存储在滤波函数寄存器351中。在另一情况中，原始数据在呈现给存储器340之前经过设置在数据操纵电路352中的高通滤波器。在某些实施例中，高通滤波器的截止频率也可存储在滤波函数寄存器351中。在又一实施例中，可由数据操纵电路352执行快速傅里叶变换(fast fourier transform，fft)。fft的结果被呈现给存储器340。fft的结果可包括包含频率及振幅信息的
多个数据字节。所有此种信息均可存储在存储器340中。
44.数据逻辑电路350可包括俘获寄存器353，俘获寄存器353指示应将何种数据存储在存储器340中。在某些情况中，仅存储电压数据。在其他情况中，仅存储电流数据。在又一些情况中，存储电压数据及电流数据两者。概念上，选择器354与来自模/数(a/d)转换电路310及俘获寄存器353的数据进行通信。选择器354确定将何种数据呈现给存储器340。因此，数据逻辑电路350容许局部控制器370操纵实际的电压及电流数据。
45.在一个实施例中，选择器354可用于将电压值与电流值相乘，以便可将功率值存储在存储器340中。在另一实施例中，数据操纵电路352执行乘法运算以生成功率值。在这些实施例中，俘获寄存器353可包含表示应将所述功率值存储在存储器340中的位。
46.脉冲干扰监测系统300还可包括网络接口360。在某些实施例中，网络接口360可包括以太网控制自动化技术(ethercat)控制器。ethercat控制器可用于将数据(例如来自存储器340的所存储数据)传送到其他装置(例如主控制器250)。在其他实施例中，可采用不同的网络控制器，例如以太网(ethernet)控制器、无线保真(wifi)控制器、rs-232控制器或另一种控制器。
47.另外，脉冲干扰监测系统300包括局部控制器370。所述局部控制器具有处理单元及相关联的存储器装置。此存储器装置包含指令，所述指令在由所述处理单元执行时使所述脉冲干扰监测系统能够执行本文中所述的功能。此存储器装置可为非易失性存储器，例如闪存只读存储器(rom)、电可擦除rom或其他适合的装置。在其他实施例中，所述存储器装置可为易失性存储器，例如随机存取存储器(ram)或动态随机存取存储器(dram)。在某些实施例中，局部控制器370可为通用计算机、嵌入式处理器或经专门设计的微控制器。局部控制器370的实际实施方案并不受本发明限制。脉冲干扰监测系统300被设计成使得局部控制器370能够存取其他电路内的内部信号。举例来说，所述其他电路中的一者或多者已被阐述为具有可由局部控制器370存取的寄存器。在某些实施例中，所述寄存器中的至少一些寄存器为读/写的，此意味着局部控制器370能够读取寄存器的内容且也能够修改其内容。所述寄存器中的一些寄存器可为只读的，此指示局部控制器370可存取寄存器的内容，但不能修改寄存器的内容。其他寄存器可为只写的，此指示局部控制器370只能修改内容，但不能读取寄存器。
48.在操作中，局部控制器370可将脉冲干扰监测系统300初始化。这通过将值写入到以下寄存器中的至少一些寄存器中来执行：采样率寄存器315、采样类型寄存器316、脉冲干扰窗寄存器322、脉冲干扰持续时间寄存器325、触发使能寄存器323、触发后寄存器333、触发前寄存器336、滤波函数寄存器351及俘获寄存器353。在某些实施例中，触发使能寄存器323是最后被写入的，因为这起到使脉冲干扰监测系统300准备好的作用。在其他实施例中，可使用单独的寄存器或寄存器位来使系统准备好。一旦脉冲干扰监测系统300准备好，其便将开始存储数据，如上所述。一旦满足触发条件，地址逻辑电路330便继续使地址递增，直到已存储触发后寄存器333中所指示的数据量为止。
49.在已俘获数据之后，局部控制器370可读取所存储数据。在一个实施例中，局部控制器370可读取数据逻辑电路350内所包含的寄存器，以为局部控制器370提供存储器340中所存储的下一数据字。此数据可作为并行数据或串行数据而呈现。在另一实施例中，局部控制器370可能够直接存取存储器340。
50.本文中所述的系统及方法具有许多优点。所述脉冲干扰监测系统容许对包括脉冲干扰的上阈值及下阈值以及用于形成触发的脉冲干扰持续时间在内的许多参数进行定制。这容许对系统进行精确触发，以俘获所需数据。此外，所述脉冲干扰监测系统还容许对模拟信号的采样进行定制，包括对采样类型及采样率的变化。另外，所述脉冲干扰监测系统容许在数字值存储在存储器中之前操纵所述数字值。此种操纵可容许对数据进行进一步分析。有利地，此种脉冲干扰监测系统可与离子植入机一起使用，使得其能够在操作期间监测一个或多个电源。
51.本发明的范围不受本文所述的具体实施例限制。实际上，通过阅读以上说明及附图，对所属领域中的一般技术人员来说，除本文所述实施例及润饰以外，本发明的其他各种实施例及对本发明的各种润饰也将显而易见。因此，这些其他实施例及润饰都旨在落于本发明的范围内。此外，尽管已针对特定目的而在特定环境中在特定实施方案的上下文中阐述了本发明，然而所属领域中的一般技术人员将认识到，本发明的效用并非仅限于此且可针对任何数目的目的在任何数目的环境中有益地实施本发明。因此，应考虑到本文所述本发明的全部范围及精神来理解以上提出的权利要求。