用于实现3D铁电非易失性数据储存的3DFeFET的架构、结构、方法和存储阵列与流程

技术特征：
1.一种用于实施3d fefet存储阵列的交叉点架构，包括：包括垂直栅极全环绕fefet单元的多个单元堆栈，其中，所述多个单元堆栈被堆叠；其中，所述垂直栅极全环绕fefet单元实现交叉点阵列，并且提供每堆栈4f2的有效单元尺寸；其中，所述垂直栅极全环绕fefet实现4f2单元面积；并且其中，所述多个单元堆栈共享位线。2.根据权利要求1所述的交叉点架构，其中，所述垂直栅极全环绕fefet单元是1t/c单元。3.一种三维存储阵列，包括：交叉点阵列架构，其中，所述交叉点阵列架构包括：多个单元堆栈，所述多个单元堆栈包括字线和位线，所述多个单元堆栈的所述字线是平行的或垂直的，所述多个单元堆栈的所述位线垂直于所述字线，其中，所述多个单元堆栈还包括fefet单元。4.根据权利要求4所述的三维存储阵列，其中，所述fefet单元包括垂直fefet晶体管。5.根据权利要求5所述的三维存储阵列，其中，所述fefet单元通过所述垂直fefet晶体管被所述位线访问。6.一种三维feram存储单元，包括：垂直栅极全环绕fefet，其中，所述垂直栅极全环绕fefet包括凹陷的铁电栅极电介质和实心沟道或空心沟道。7.根据权利要求6所述的三维feram存储单元，其中，所述垂直栅极包括垂直fefet晶体管。8.根据权利要求6所述的三维feram存储单元，其中，所述垂直栅极通过所述垂直fefet晶体管被位线访问。9.一种制造三维存储阵列的方法，包括：形成用于第一堆栈的平行的多晶硅字线；在所述平行的多晶硅字线中形成垂直沟道孔的阵列；使所述垂直沟道孔的阵列中的一部分凹陷；将铁电栅极电介质材料沉积到凹陷中；以及将垂直晶体管插入到所述垂直沟道中，以在垂直晶体管上形成三维fefet存储单元；其中，所述垂直晶体管是实心或空心的。10.根据权利要求8所述的方法，还包括形成平行的位线以及将所述平行的位线垂直于所述平行的多晶硅字线进行放置。11.根据权利要求8所述的方法，其中，重复所述方法以形成第二堆栈。