一种高端无运放带隙基准源的制作方法

技术特征：
1.一种高端无运放带隙基准源，其特征在于，包括：ptat电流产生电路(1)、基准源输出电路(2)和启动电路(3)，其中，所述ptat电流产生电路(1)的输出端分别连接所述基准源输出电路(2)的输入端和所述启动电路(3)的输入端，所述ptat电流产生电路(1)用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流；所述基准源输出电路(2)用于产生和输出基准电压；所述启动电路(3)的输出端分别连接所述ptat电流产生电路(1)的输入端和所述基准源输出电路(2)的输入端，所述启动电路(3)用于确保所述高端无运放带隙基准源的启动和工作。2.根据权利要求1所述的高端无运放带隙基准源，其特征在于，所述ptat电流产生电路(1)包括第一三极管(q1)、第二三极管(q2)、第一电阻(r1)、第一mos管(m1)、第二mos管(m2)、第三mos管(m3)、第四mos管(m4)、第五mos管(m5)、第六mos管(m6)、第七mos管(m7)和第八mos管(m8)，其中，所述第一三极管(q1)的发射极和所述第二三极管(q2)的发射极均连接第一输入电源端(v
in
)，所述第一三极管(q1)的集电极连接其基极，基极连接所述第一mos管(m1)的源极，所述第二三极管(q2)的集电极连接其基极，基极连接所述第一电阻(r1)的第一端；所述第一mos管(m1)的栅极分别连接其漏极和所述第二mos管(m2)的栅极，所述第一mos管(m1)的漏极连接所述第三mos管(m3)的源极；所述第一电阻(r1)的第二端连接所述第二mos管(m2)的源极，所述二mos管(m2)的漏极连接所述第四mos管(m4)的源极；所述第三mos管(m3)的栅极分别连接其漏极和所述第四mos管(m4)的栅极，所述第三mos管(m3)的漏极连接所述第五mos管(m5)的漏极；所述第四mos管(m4)的漏极分别连接所述第六mos管(m6)的漏极、所述第六mos管(m6)的栅极、所述基准源输出电路(2)和所述启动电路(3)；所述第五mos管(m5)的栅极连接所述第六mos管(m6)的栅极，源极连接所述第七mos管(m7)的漏极；所述第六mos管(m6)的源极分别连接所述第八mos管(m8)的漏极、所述第八mos管(m8)的栅极、所述基准源输出电路(2)和所述启动电路(3)；所述第七mos管(m7)的栅极连接所述第八mos管(m8)的栅极，所述第七mos管(m7)的源极和所述第八mos管(m8)的源极均连接接地端。3.根据权利要求2所述的高端无运放带隙基准源，其特征在于，所述基准源输出电路(2)包括第三三极管(q3)、第二电阻(r2)、第九mos管(m9)和第十mos管(m10)，其中，所述第三三极管(q3)的发射极连接所述第一输入电源端(v
in
)，集电极连接其基极，基极连接所述第二电阻(r2)的第一端；所述第二电阻(r2)的第二端连接所述第九mos管(m9)的漏极，所述第二电阻(r2)的第二端作为所述基准源输出电路(2)的输出端；所述第九mos管(m9)的栅极连接所述第四mos管(m4)的漏极，源极连接所述第十mos管(m10)的漏极；所述第十mos管(m10)的栅极连接所述第六mos管(m6)的源极，源极连接所述接地端。
4.根据权利要求2所述的高端无运放带隙基准源，其特征在于，所述启动电路(3)包括第十一mos管(m11)、第十二mos管(m12)、第十三mos管(m13)、第十四mos管(m14)和第十五mos管(m15)，其中，所述第十一mos管(m11)的漏极、所述第十二mos管(m12)的源极和所述第十三mos管(m13)的源极均连接第二输入电源端(v
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)；所述第十一mos管(m11)的源极连接所述第四mos管(m4)的漏极，所述第十一mos管(m11)的源极作为所述启动电路(3)的输出端，所述第十二mos管(m12)的漏极分别连接所述第十一mos管(m11)的栅极和所述第十四mos管(m14)的漏极；所述第十三mos管(m13)的栅极分别连接其漏极和所述第十二mos管(m12)的栅极，所述第十三mos管(m13)的漏极连接所述第十五mos管(m15)的漏极；所述第十四mos管(m14)的栅极连接所述第六mos管(m6)的源极，所述第十五mos管(m15)的栅极连接外接偏置电压v
b
，所述第十四mos管(m14)的源极和所述第十五mos管(m15)的源极均连接所述接地端。5.根据权利要求3所述的高端无运放带隙基准源，其特征在于，所述第七mos管(m7)、所述第八mos管(m8)和所述第十mos管(m10)的宽长比均相同。

技术总结
本发明涉及一种高端无运放带隙基准源，包括：PTAT电流产生电路、基准源输出电路和启动电路，其中，PTAT电流产生电路的输出端分别连接基准源输出电路的输入端和启动电路的输入端，PTAT电流产生电路用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流；基准源输出电路用于产生和输出基准电压；启动电路的输出端分别连接PTAT电流产生电路的输入端和基准源输出电路的输入端，启动电路用于确保高端无运放带隙基准源的启动和工作。本发明的高端带隙基准源，在输入电压变化时，产生一个始终比输入电压低一个带隙电压的参考电压，可广泛应用在高压功率驱动电路中，而且该带隙基准源采用自偏置结构，内部电路不含运算放大器电路，大大降低了电路的功耗和复杂度。电路的功耗和复杂度。电路的功耗和复杂度。


技术研发人员：张艺蒙 丁允 张玉明 汤晓燕 宋庆文
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021/10/8