具有调整的偏移缓冲器的电流镜布置的制作方法

技术特征：
1.电流镜布置，包括：电流镜电路，包括在所述电流镜电路的输入处的晶体管q1和在所述电流镜电路的输出处的晶体管q2；缓冲放大器电路，包括布置成菱形缓冲器配置的晶体管qd1p、qd1n、qd2p和qd2n；和电流源qbp0、qbn0、qbp1和qbn1，其中:晶体管q1、q2、qd1p、qd1n、qd2p和qd2n中的每一个具有第一端子、第二端子和第三端子，所述缓冲放大器电路的输入耦合到所述晶体管q1的第一端子，所述缓冲放大器电路的输出耦合到所述晶体管q2的第一端子，所述电流源qbp0耦合到所述晶体管qd1p的第三端子，所述电流源qbn0耦合到所述晶体管qd1n的第三端子，所述电流源qbp1耦合到所述晶体管qd2n的第一端子，和所述电流源qbn1耦合到所述晶体管qd2p的第一端子。2.根据权利要求1所述的电流镜布置，其中所述电流源qbp0、qbn0、qbp1和qbn1被配置为输出电流，使得所述缓冲放大器电路的输出和输入之间的电压差低于目标值。3.根据权利要求1所述的电流镜布置，其中所述电流源qbp0、qbn0、qbp1和qbn1被配置为输出电流使得：所述电流源qbp0输出的电流ip0基本等于所述电流源qbn1输出的电流in1，所述电流源qbp1输出的电流ip1基本上等于所述电流源qbn0输出的电流in0，以及所述电流in0与所述电流in1之和基本上等于所述电流ip0与所述电流ip1之和。4.根据权利要求3所述的电流镜布置，其中选择所述电流ip0在所述电流ip0和所述电流ip1之和中的比例，以使所述缓冲放大器电路的输出和输入之间的电压差低于目标值。5.根据权利要求3所述的电流镜布置，其中:所述缓冲放大器电路输出端的电流基本上等于所述电流ip0和所述电流ip1之和的m倍，和m是大于0的正数，指示当晶体管qd2n和qd1n是双极型晶体管时，晶体管qd2n的发射极面积与晶体管qd1n的发射极面积之比，并指示当晶体管qd2n和qd1n是场效应晶体管时，晶体管qd2n的纵横比与晶体管qd1n的纵横比之比。6.根据权利要求3所述的电流镜布置，其中所述晶体管qd1p、qd1n、qd2p和qd2n彼此耦合以便：所述电流ip0在所述晶体管qd1p的第三端子处与所述电流ip1合并，和所述电流in0在所述晶体管qd1n的第三端子处与所述电流in1合并。7.根据权利要求1所述的电流镜布置，其中:所述晶体管qd2n的第一端子耦合到所述晶体管qd1p的第三端子，和所述晶体管qd2p的第一端子耦合到所述晶体管qd1n的第三端子。8.根据权利要求7所述的电流镜布置，其中:所述电流镜布置还包括电阻器r0p和电阻器r0n，所述晶体管qd2n的第一端子通过电阻器r0p耦合到所述晶体管qd1p的第三端子，和
所述晶体管qd2p的第一端子通过电阻器r0n耦合到所述晶体管qd1n的第三端子。9.根据权利要求8所述的电流镜布置，其中:所述电流镜布置还包括电阻器r1p，所述电阻器r1p耦合在所述晶体管qd2p的第三端子和所述缓冲放大器电路的输出之间，和所述电阻器r0p的电阻基本上等于所述电阻器r1p的电阻的2m倍，其中m是大于0的正数，指示当晶体管qd2n和qd1n是双极型晶体管时，晶体管qd2n的发射极面积与晶体管qd1n的发射极面积之比，和指示当晶体管qd2n和qd1n是场效应晶体管时，晶体管qd2n的纵横比与晶体管qd1n的纵横比之比。10.根据权利要求9所述的电流镜布置，其中:所述电流镜布置还包括电阻器r1n，所述电阻器r1n耦合在所述晶体管qd2n的第三端子和所述缓冲放大器电路的输出之间，和所述电阻器r0n的电阻基本上等于所述电阻器r1n的电阻的2m倍，并且基本上等于所述电阻器r0p的电阻。11.电流镜布置，包括：电流镜电路，包括输入晶体管q1和输出晶体管q2；包括多个晶体管的菱形缓冲器，该菱形缓冲器的输入耦合到所述输入晶体管q1的第一端子，并且输出耦合到所述输出晶体管q2的第一端子；和缓冲器偏移减小电路，被配置为调节由多个偏置电流源提供给所述菱形缓冲器的多个晶体管中的各个晶体管的偏置电流，使得所述缓冲放大器电路的输出与输入之间的电压差低于目标值。12.根据权利要求11所述的电流镜布置，其中:所述菱形缓冲器包括第一级和第二级，所述第二级耦合到所述第一级，所述第一级包括所述多个晶体管中的第一晶体管和第二晶体管，和所述第二级包括所述多个晶体管中的第三和第四晶体管。13.根据权利要求12所述的电流镜布置，其中:所述第一和第二晶体管形成发射极跟随器，和所述第三和第四晶体管形成ab类缓冲器。14.根据权利要求12所述的电流镜布置，其中:所述多个晶体管中的每一个具有第一端子、第二端子和第三端子，所述第一晶体管的第一端子耦合到所述第二晶体管的第一端子，所述第三晶体管的第三端子耦合到所述第四晶体管的第三端子，所述第一晶体管的第三端子耦合到所述第三晶体管的第一端子，和所述第二晶体管的第三端子耦合到所述第四晶体管的第一端子。15.根据权利要求14所述的电流镜布置，其中:所述第一晶体管的第一端子和所述第二晶体管的第一端子中的每一个耦合到所述菱形缓冲器的输入，和
所述第三晶体管的第三端子和所述第四晶体管的第三端子中的每一个耦合到所述菱形缓冲器的输出。16.根据权利要求14所述的电流镜布置，其中:所述缓冲器偏移减小电路包括第一、第二、第三和第四电流源，所述第一和第三电流源中的每一个都耦合到所述第一晶体管的第三端子，和所述第二和第四电流源中的每一个都耦合到所述第二晶体管的第三端子。17.差分电流镜布置，包括：第一部分和第二部分，分别包括：电流镜电路，包括输入晶体管q1和输出晶体管q2，缓冲放大器电路，输入耦合到所述晶体管q1的第一端子，并且输出耦合到所述晶体管q2的第一端子，和缓冲器偏移减小电路，被配置为调节所述缓冲放大器电路的输入处的电压，使得所述缓冲放大器电路的输出与所述输入之间的电压差低于目标值。18.根据权利要求17所述的电流镜布置，其中基于所述第一部分和所述第二部分的缓冲放大器电路的输入处的共模电压与所述第一部分和所述第二部分的缓冲放大器电路的输出处的共模电压之间的电压差来调节所述缓冲放大器电路的输入处的电压。19.差分电流镜布置，包括：第一部分和第二部分，分别包括:电流镜电路，包括输入晶体管q1和输出晶体管q2,缓冲放大器电路，输入耦合到所述晶体管q1的第一端子，并且输出耦合到所述晶体管q2的第一端子，和缓冲器偏移减小电路，被配置为调整所述缓冲放大器电路的输出处的电压，以使所述缓冲放大器电路的输出和输入之间的电压差低于目标值。20.根据权利要求19所述的电流镜布置，其中基于所述第一部分和所述第二部分的缓冲放大器电路的输入处的共模电压与所述第一部分和所述第二部分的缓冲放大器电路的输出处的共模电压之间的电压差来调节所述缓冲放大器电路的输出处的电压。

技术总结
本公开涉及具有调整的偏移缓冲器的电流镜布置。示例电流镜布置包括电流镜电路，被配置为在输入晶体管Q1处接收输入电流信号并在输出晶体管Q2处输出镜像信号。该布置还包括缓冲放大器电路，其输入耦合到Q1而输出耦合到Q2。可以通过包括用于输入或输出侧偏移调整的电路来调整缓冲放大器电路的偏移，或者通过将缓冲放大器电路实现为菱形级，并为菱形级的每个晶体管分别控制电流源，来调整缓冲放大器电路的偏移。在电流镜布置中提供可调整的偏移缓冲器可以有利地允许受益于在电流镜的反馈回路之外使用缓冲器，同时能够减少由于电流镜电路的主侧和从侧之间的不匹配而引起的缓冲器偏移。偏移。偏移。


技术研发人员：D
受保护的技术使用者：美国亚德诺半导体公司
技术研发日：2021.03.26
技术公布日：2021/9/28