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半导体装置和电阻测量系统的制作方法

2021-10-26 19:37:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:

1.一种半导体装置,包括:

第一端子,参考电阻器的一端被耦合到所述第一端子;

第二端子,所述参考电阻器的另一端被耦合至所述第二端子;

第三端子,传感器电阻器的一端和所述第二端子被耦合至所述第三端子;

第四端子,所述传感器电阻器的另一端被耦合至所述第四端子;

第一缓冲器,向所述第一端子供应第一参考电压;

第二缓冲器,向所述第四端子供应第二参考电压;

参考电压发生电路,以时分方式交替地供应所述第一电压和所述第二电压中的一个作为所述第一参考电压,并且供应另一个作为所述第二参考电压;

第一模数转换电路,在耦合至所述第三端子的信号线上执行模数转换;

RC滤波器,设置在所述信号线上;以及

噪声检测器,检测所述信号线的噪声,

其中所述RC滤波器的时间常数基于所述噪声检测器的噪声检测结果而改变。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中所述RC滤波器包括串联耦合至所述信号线的电阻器以及并联耦合至所述电阻器的开关,并且

其中所述开关基于所述噪声检测器的所述噪声检测结果来被控制。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,还包括:

第五端子,

其中所述RC滤波器包括所述电阻器和耦合到所述第五端子的电容器。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,

其中所述电阻器包括串联耦合的第一电阻器和第二电阻器,并且

其中所述开关与所述第二电阻器并联耦合。

5.根据权利要求3所述的半导体装置,还包括:

预缓冲器,放置在所述电阻器和所述第一模数转换电路之间。

6.根据权利要求1的半导体装置,

其中所述模数转换电路是Δ-Σ模数转换电路。

7.根据权利要求6的半导体装置,

其中所述Δ-Σ模数转换电路包括:

减法器;

环路滤波器;

第二模数转换电路;

数模转换电路,

其中所述第一参考电压被供应给所述数模转换电路的正电源,并且所述第二参考电压被供应给所述数模转换电路的负电源,并且

其中所述数模转换电路基于所述时分方式,对所述第二模数转换电路的输出或反相输出执行数模转换。

8.根据权利要求1的半导体装置,

其中所述第一缓冲器通过所述第一参考电压来对所述信号线执行第一预充电。

9.根据权利要求4所述的半导体装置,还包括:

与所述第一电阻器并联的旁路电路,

其中所述旁路电路通过将所述第一电阻器旁路来对所述信号线执行第二预充电。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,

其中所述旁路电路包括与所述第一电阻器并联耦合的运算放大器,

其中所述运算放大器在所述第一预充电期间被激活。

11.根据权利要求1的半导体装置,

其中所述噪声检测器包括第一窗口比较器和第二窗口比较器。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,

其中所述噪声检测器还包括整形电路,所述整形电路对所述第一窗口比较器和所述第二窗口比较器的输出波形进行整形。

13.根据权利要求12所述的半导体装置,

其中所述噪声检测器还包括:

耦合到所述信号线的放大器电路,以及

耦合到所述放大器电路的第一低通滤波器,

其中所述放大器电路包括第二低通滤波器和运算放大器,

其中所述运算放大器的非反相输入被耦合到所述信号线,并且所述运算放大器的反相输入经由所述第二低通滤波器被耦合到所述信号线,

其中所述第一窗口比较器将所述放大器电路的输出与所述第一低通滤波器的输出进行比较,并且

其中所述第二窗口比较器将所述信号线与所述第二低通滤波器的输出进行比较。

14.根据权利要求9所述的半导体装置,还包括:

控制电路,所述控制电路在发生了在所述第二预充电结束之前和之后持续的噪声时,将所述第二预充电时段延长。

15.根据权利要求14所述的半导体装置,

其中所述控制电路输出警报信号,所述警报信号指示发生了在所述第二预充电结束之前和之后持续的噪声。

16.一种电阻测量系统,包括半导体装置和微控制器,所述半导体装置包括:

第一端子,参考电阻器的一端被耦合到所述第一端子;

第二端子,所述参考电阻器的另一端被耦合至所述第二端子;

第三端子,传感器电阻器的一端和所述第二端子被耦合至所述第三端子;

第四端子,所述传感器电阻器的另一端被耦合至所述第四端子;

第一缓冲器,向所述第一端子供应第一参考电压;

第二缓冲器,向所述第四端子供应第二参考电压;

参考电压发生电路,以时分方式交替地供应所述第一电压和所述第二电压中的一个作为所述第一参考电压,并且供应另一个作为所述第二参考电压;

第一模数转换电路,在耦合至所述第三端子的信号线上执行模数转换;

RC滤波器,设置在所述信号线上;以及

噪声检测器,检测所述信号线的噪声,

其中所述RC滤波器的时间常数基于所述噪声检测器的噪声检测结果而改变,并且

其中所述微控制器根据由所述模数转换电路通过所述时分方式获得的两个转换结果,来计算所述传感器电阻器的电阻。

17.根据权利要求16所述的电阻测量系统,所述半导体装置还包括:

旁路电路,

其中所述RC滤波器包括:串联耦合到所述信号线的第一电阻器和第二电阻器,以及并联耦合到所述第二电阻器的开关,并且所述开关基于所述噪声检测器的噪声检测结果来被控制,

其中所述第一缓冲器通过所述第一参考电压来对所述信号线执行第一预充电,并且

其中所述旁路电路与所述第一电阻器并联耦合,并且通过将所述第一电阻器旁路来对所述信号线执行第二预充电。

18.根据权利要求17所述的电阻测量系统,所述半导体装置还包括:

控制电路,所述控制电路在发生了在所述第二预充电结束之前和之后持续的噪声时,将所述第二预充电时段延长并且向所述微控制器输出警报信号。

19.根据权利要求18所述的电阻测量系统,

其中当所述微控制器接收到所述警报信号时,所述微控制器将来自所述半导体装置的所述模数转换电路的转换结果丢弃。


技术总结
本公开涉及一种半导体装置和电阻测量系统。半导体装置包括:第一端子和第二端子;参考电阻器,被耦合在第一端子和第二端子之间;第三端子和第四端子;传感器电阻器,被耦合在第三端子和第四端子之间;第一缓冲器,向第一端子供应第一参考电压;第二缓冲器,向第四端子供应第二参考电压;参考电压发生电路,以时分方式交替地供应第一电压和第二电压中的一个作为第一参考电压并且供应另一个作为第二参考电压;第一模数转换电路,在耦合至第三端子的信号线上执行模数转换;RC滤波器,设置在信号线上;噪声检测器,检测信号线的噪声,其中RC滤波器的时间常数基于噪声检测器的结果而改变。

技术研发人员:A·H·亚特里斯;奥田益央;S·N·沃特斯;
受保护的技术使用者:瑞萨电子株式会社;
技术研发日:2021.03.08
技术公布日:2021.10.26
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