一种碎片清理装置及电镀设备的制作方法

1.本实用新型涉及电镀工艺技术领域，尤其涉及一种碎片清理装置及电镀设备。


背景技术：

2.在电镀等工艺过程中，玻璃碎片事故在所难免，碎片后需清理碎片，防止碎片对后续工艺质量的影响。目前，电镀工艺中发生碎片之后，需要宕机排液，人工进入电镀槽体内作业，进行电镀药液抽出作业，增加了停机作业时间和人工作业的安全风险及杂质(particle)引入风险。


技术实现要素：

3.为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种碎片清理装置及电镀设备，能够有效减少在电镀等工艺过程中由于碎片导致的停机作业时间，减少人工作业的安全风险和杂质引入风险。
4.为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
5.本公开实施例提供了一种碎片清理装置，用于对工艺设备内产生碎片进行清理，该碎片清理装置包括：
6.用于盛放药液及待处理基板的工艺处理槽，所述工艺处理槽的槽体底部设有药液排出口，所述工艺处理槽的槽体侧壁上设有药液排入口；
7.及，自循环排碎片系统，所述自循环排碎片系统包括连通于所述药液排出口及所述药液排入口之间的循环管路，所述循环管路上设有用于控制所述循环管路通断状态的控制阀门、用于将所述循环管路内的碎片过滤掉的碎片过滤收集装置、以及用于为所述循环管路内的药液提供循环驱动力的动力泵。
8.示例性的，所述工艺处理槽的槽体底部为用于将所述工艺处理槽内药液引流至所述药液排出口的第一倒锥形腔体，所述第一倒锥形腔体的底部连通所述药液排出口。
9.示例性的，所述控制阀门包括手动阀门和电磁阀门中的至少一个。
10.示例性的，所述碎片过滤收集装置包括：从所述药液排出口向所述药液排入口方向，依次设置的碎片收集器和过滤器。
11.示例性的，所述碎片收集器包括：收集盒，所述收集盒呈盒体状，所述收集盒的盒体上部设有进液口和出液口，所述收集盒的盒体下部为用于收集碎片的碎片收集腔体，所述碎片收集腔体的底部设有用于将碎片排出的碎片排出口，所述碎片排出口处设置有能够打开或关闭所述碎片排出口的盖板。
12.示例性的，所述碎片收集腔体为第二倒锥形腔体。
13.示例性的，所述碎片收集器还包括：过滤器，所述过滤器设置于所述出液口，包括能够过滤不同尺寸颗粒的至少两层过滤网。
14.示例性的，所述第二倒锥形腔体在所述进液口所在一侧的侧壁为与水平面呈斜夹角的斜侧壁，所述第二倒锥形腔体在所述出液口所在一侧的侧壁为垂直水平面的竖直侧
壁。
15.示例性的，所述工艺处理槽的至少一侧壁为回液壁，所述回液壁上分布有多个回液口，在所述回液壁上还设有过滤防护装置，用于防止所述工艺处理槽内的碎片进入所述回液口。
16.示例性的，所述过滤防护装置包括：固定在所述回液壁上的框架、及固定于所述框架上的滤网。
17.本公开实施例还提供了一种电镀设备，包括如上所述的碎片清理装置，其中所述工艺处理槽为所述电镀设备的电镀槽。
18.本公开实施例所带来的有益效果如下：
19.本公开实施例所提供的碎片清理装置及电镀设备，通过自循环排碎片系统，利用流体相关原理，可实现将碎片从工艺处理槽内自动清理出槽外的效果，无需再每次碎片进行药液抽出、及人工进入槽体作业，减少了停机作业时间和人工作业的安全风险，减少杂质(particle)引入风险，且药液能够被循环再利用，节省成本。
附图说明
20.图1表示本公开实施例提供的碎片清理装置的结构示意图；
21.图2表示本公开实施例提供的碎片清理装置中工艺处理槽的立体剖视图；
22.图3表示本公开实施例提供的碎片清理装置中工艺处理槽的主视图断面结构图；
23.图4表示本公开实施例提供的碎片清理装置中碎片过滤收集装置的结构示意图。
具体实施方式
24.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
25.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
26.在对本公开实施例提供的碎片清理装置进行详细说明之前，有必要对相关技术进行以下说明：
27.在相关技术中，电化学沉积工艺是一种低成本的化学性成膜方式，可以沉积2～20um的厚金属，获得较低的电阻，目前mini led背板等产品、纳米压印模版制作、液晶天线制作等可由电化学沉积方法实现。玻璃基板沉积2～20um 厚金属薄膜，能够提供降低电阻值，降低发热现象，显著提高使用寿命。目前在玻璃基板上沉积金属薄膜，主要有溅射、电镀和化学镀三种方式，溅射厚膜时间长，效率低，而化学镀其水平沉积方式存在夹杂异物的风险，而电镀具有效率高、应力低、风险小等优点。在电镀工艺过程中，玻璃碎片事故在所难免，碎片后清理碎片、防止碎片对后续工艺质量的影响，保护设备防止碎片造成宕机、对系
统的泵浦、过滤系统、管路造成损伤和影响尤为关键。目前电镀工艺中发生碎片之后，需要宕机排液，人工进入电镀槽体作业，进行电镀液抽出作业，增加了停机作业时间和人工作业的安全风险及杂质(particle)引入风险。
28.为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种碎片清理装置，能够有效，减少了碎片导致的停机作业时间，减少人工作业的安全风险和杂质引入风险。
29.如图1所示，本公开实施例提供了一种碎片清理装置，用于对工艺设备内产生碎片进行清理，该碎片清理装置包括：
30.用于盛放药液及待处理基板10的工艺处理槽100，所述工艺处理槽100 的槽体底部设有药液排出口110，所述工艺处理槽100的槽体侧壁上设有药液排入口120；
31.及，自循环排碎片系统200，所述自循环排碎片系统200包括连通于所述药液排出口110及所述药液排入口120之间的循环管路210，所述循环管路210 上设有用于控制所述循环管路210通断状态的控制阀门、用于将所述循环管路 210内的碎片过滤掉的碎片过滤收集装置220、以及用于为所述循环管路210 内的药液提供循环驱动力的动力泵230。
32.本公开实施例所提供的碎片清理装置中，在工艺处理槽100的底部设置药液排出口110，以所述工艺处理槽100为电镀槽为例，药液排出口110通过所述自循环排碎片系统200的管路，与所述工艺处理槽100上的药液排入口120 连通，这样，当电镀过程中发生基板碎片时，碎片利用自身重力沉积于所述工艺处理槽100的底部，方便下一步通过所述自循环排碎片系统200将碎片排出工艺处理槽100外；排出的药液进入所述自循环排碎片系统200的管路，所述控制阀门控制所述管路打开，通过所述动力泵230提供的驱动力，药液经所述自循环排碎片系统200的管路上的碎片过滤收集装置220后进入到所述工艺处理槽100的药液排入口120，其中所述碎片过滤收集装置220实现碎片和其他杂质的过滤，保证通过该自循环排碎片系统200进入所述工艺处理槽100的槽体内药液的洁净度。
33.由此可见，本公开实施例所提供的碎片清理装置，通过自循环排碎片系统 200，利用流体相关原理，可实现将碎片从工艺处理槽100内自动清理出槽外的效果，无需再每次碎片进行电镀药液抽出及人工进入槽体作业，减少了停机作业时间和人工作业的安全风险，减少杂质(particle)引入风险，且电镀药液能够被循环再利用，节省成本。
34.在一些示例性的实施例中，所述工艺处理槽100的槽体底部药液排出口 110直径可以为200～500mm，以利于药液和碎片排出。当然可以理解的是，在实际应用中，对所述药液排出口110的大小不限定。
35.此外，在一些示例性的实施例中，如图1至图3所示，所述工艺处理槽 100的槽体底部为用于将所述工艺处理槽100内药液引流至所述药液排出口 110的第一倒锥形腔体130，所述第一倒锥形腔体130的底部连通所述药液排出口110。
36.采用上述方案，所述工艺处理槽100的槽体底部为第一倒锥形腔体130，第一倒锥形腔体130的内侧壁为相较于水平面倾斜的倾斜光滑面，这样，更有利于碎片靠自身重力沉积于工艺处理槽100底部的药液排出口110。
37.需要说明的是，所述第一倒锥形腔体130的内侧壁倾斜角度，可以在45～75
°
之间，这样在有利于碎片沉积于槽体底部的同时，所述第一倒锥形腔体130 与工艺处理槽100的槽体拐角处不易堆积碎片。
38.此外，需要说明的是，所述工艺处理槽100可选用透明材质制成，以利于观察槽体
内是否发生碎片现象。
39.此外，如图所示，在一些实施例中，为了加强所述工艺处理槽100的强度，可以在第一倒锥形腔体130顶部设置结构横梁140。
40.在一些示例性的实施例中，如图1所示，所述控制阀门包括从药液排出口 110向药液排入口120依次设置的手动阀门240和电磁阀门250。所述电磁阀门250可以当工艺处理槽100内有碎片需要清理时，实现阀门自动通断的控制 (例如，当操作人员观察到碎片产生时，可通过人机界面来控制所述电磁阀门 250打开，以自动清理碎片)，从而控制所述自循环排碎片系统200的管路通断，所述电磁阀门250正常作业是常闭状态，也就是，正常作业时控制所述自循环排碎片系统200的管路断开，只有在碎片清理时才控制所述自循环排碎片系统200的管路打开。所述手动阀门240为常开状态，在电磁阀门250发生故障或维修时，可手动关闭所述自循环排碎片系统200的管路，以实现手动控制该所述自循环排碎片系统200的管路与工艺处理槽100的药液互通。
41.当然可以理解的是，在另一些实施例中，所述控制阀门还可以仅包括手动阀门240，或者仅包括电磁阀门250。
42.此外，在一些示例性的实施例中，如图1所示，所述碎片过滤收集装置 220包括：从所述药液排出口110向所述药液排入口120方向，依次设置的碎片收集器221和过滤器222。
43.采用上述方案，所述碎片收集器221位于所述过滤器222前面，该碎片过滤收集装置220方便拆卸设计。
44.示例性的，如图1和图4所示，所述碎片收集器221包括：收集盒2211，所述收集盒2211呈盒体状，所述收集盒2211的盒体上部设有进液口2212和出液口2213，所述收集盒2211的盒体下部为用于收集碎片的碎片收集腔体 2214，所述碎片收集腔体2214的底部设有用于将碎片排出的碎片排出口，所述碎片排出口处设置有能够打开或关闭所述碎片排出口的盖板2215。
45.采用上述方案，所述碎片收集器221的收集盒2211盒体上部为进液口2212 和出液口2213，盒体下部为碎片收集腔体2214，这样，当药液从进液口2212 进入所述收集盒2211后，会利用自身重力下沉至碎片收集腔体2214，药液再通过出液口2213排出收集盒2211。所述碎片排出口处设置有能够打开或关闭所述碎片排出口的盖板2215，当收集到一定量时，进行拆卸清理。
46.其中一些实施例中，所述盖板2215上设有锁固装置2216，用于打开或关闭所述盖板2215。
47.此外，在一些示例性的实施例中，如图4所示，所述碎片收集腔体2214 为第二倒锥形腔体。所述碎片收集腔体2214的槽体底部为第二倒锥形腔体，第二倒锥形腔体的内侧壁为相较于水平面倾斜的倾斜光滑面，这样，更有利于碎片靠自身重力沉积于所述碎片收集腔体2214。
48.需要说明的是，所述第二倒锥形腔体的内侧壁倾斜角度，可以在45～75
°
之间，这样，在有利于碎片沉积于所述碎片收集腔体2214底部的同时，所述第二倒锥形腔体与所述碎片收集腔体2214连接拐角处不易堆积碎片。
49.此外，在一些示例性的实施例中，如图4所示，所述碎片收集器221还包括：过滤器222，所述过滤器222设置于所述出液口2213，包括能够过滤不同尺寸颗粒的至少两层过滤
网；所述第二倒锥形腔体在所述进液口2212所在一侧的侧壁为与水平面呈斜夹角的斜侧壁2217，所述第二倒锥形腔体在所述出液口2213所在一侧的侧壁为垂直水平面的竖直侧壁2218。
50.采用上述方案，所述斜侧壁2215有利于碎片沉积于所述碎片收集腔体 2214底部，所述过滤网设置于所述出液口2213，这样，碎片可被所述过滤网阻挡，所述竖直侧壁2216有利于被所述过滤网阻挡的碎片顺利落入所述碎片收集腔体2214底部进行收集，而不易导致被所述过滤网阻挡的碎片在所述出液口2213堆积。
51.此外，在一些实施例中，所述收集盒2211为透明盒体，有利于观察收集盒2211内的碎片堆积状况。
52.此外，在相关技术中，所述工艺处理槽内具有回液壁，回液壁上分布有回液口，发生碎片时，碎片会经回液口进入到回液系统内，对系统的泵浦、过滤系统、管路造成损伤和影响。
53.为了解决上述技术问题，如图3所示，在本公开一些示例性的实施例中，所述工艺处理槽100的至少一侧壁为回液壁，所述回液壁115上分布有多个回液口，在所述回液壁115上还设有过滤防护装置116，用于防止所述工艺处理槽100内的碎片进入所述回液口。
54.采用上述方案，所述过滤防护装置安装于所述工艺处理槽100的回液壁上，能够有效防止碎片进入回液口，而损坏泵浦、过滤系统、管路。
55.一些示例性的实施例中，如图3所示，所述过滤防护装置116包括：固定在所述回液壁上的框架117、及固定于所述框架117上的过滤网118。
56.所述框架及所述滤网应选用耐酸碱性的材质，例如pp(聚丙烯)材质等。
57.此外，所述回液壁的面积较大，为了保证滤网安装稳固性，如图所示，一些实施例中，所述框架可以包括中空主框架1171、及至少一根横梁1172和至少一根竖梁1173，横梁1172和竖梁1173交叉设置，而将所述中空主框架1171 的中空区域分为多个固定区，每一固定区内设置过滤网118。
58.当然可以理解的是，在实际应用中，对于所述过滤防护装置116的具体结构不进行限定。
59.此外需要说明的是，本公开实施例提供的碎片清理装置，适用于玻璃基板的电化学沉积工艺，可以应用于不同尺寸的玻璃基板电化学沉积领域，同样可以应用于ni、ag等金属电化学沉积的相关领域。
60.此外，本公开实施例提供的碎片清理装置还可以应用于其他清洗、烘干、酸洗、碱洗等工艺处理设备的碎片清理和防护领域。
61.有以下几点需要说明：
62.(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
63.(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
64.(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到
新的实施例。
65.以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。