一种用于化合物半导体微波芯片电镀夹具的制作方法

1.本发明涉及电镀技术领域，具体为一种用于化合物半导体微波芯片电镀夹具。


背景技术：

2.传统的通孔电镀是通过电镀法来实现硅通孔填充的，电镀法填充通孔有其成本上的优势，且工艺简单，但对于深宽比较大的通孔来说，实现孔内的无缺陷填充并不容易，主要存在的问题有：孔口处电力线出现集中现象；孔口和通孔底的金属离子浓度存在差异。因此在电镀过程中，导电材料如金属铜很难在底部沉积，易导致通孔的过早封口，造成孔内缺陷。
3.5g微波芯片是当前芯片发展行业中的重中之重，5g微波芯片相较于传统的芯片需要具有高集成度，相当于要在内部增加更多的通信天线，芯片的各个工艺要求都有所提高，传统芯片的通孔电镀不在适用于5g微波芯片，因为用于5g微波芯片上的通孔直径更小，精确度更高，通孔电镀无论是喷附添加剂还是接入导电材料，因通孔直径极小，细微的偏差就会导致芯片的瑕疵，所以在通孔电镀过程中，芯片需要保持高度的稳定，为此，本发明提出一种新型的解决方案。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种用于化合物半导体微波芯片电镀夹具，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于化合物半导体微波芯片电镀夹具，包括底板，所述底板顶部两侧设置有升降装置，所述升降装置一侧固定连接有连接杆，所述连接杆底部固定连接有横杆，所述横杆中部设置有夹具，所述夹具包括限位框，所述限位框两端内壁活动连接有作用杆，所述作用杆一端固定连接有夹板，所述作用杆表面套接有复位弹簧，所述复位弹簧一端固定连接于夹板一侧，所述夹板另一侧开设有限位槽。
6.优选的，所述限位框两端中部均固定连接有转动杆，其中一个所述转动杆一端活动连接于横杆中部一侧，另一侧所述转动杆另一端设置有第一电机，所述第一电机固定连接于横杆一侧。
7.优选的，所述横杆表面活动连接有限定件，所述限定件包括滑动块，每两个所述滑动块之间固定连接有限位杆，所述滑动块内壁活动连接于横杆表面，其中一侧滑动块一侧固定连接有限位块，所述限位块中部活动连接有双向螺纹丝杆，所述横杆一侧设置有第二电机，所述第二电机输出端固定连接于双向螺纹丝杆一端。
8.优选的，所述升降装置包括支撑柱，所述支撑柱设置有多个，其中一个所述支撑柱一侧开设有滑槽，所述滑槽顶部和底部之间活动连接有螺纹杆，所述支撑柱顶部固定连接有步进电机，所述步进电机输出端固定连接于螺纹杆一端，所述螺纹杆表面活动连接有滑块，所述滑块一侧固定连接于连接杆顶部一侧，所述升降装置通过连接杆与横杆相连接。
9.优选的，所述其中一侧横杆一侧固定连接有固定块。所述固定块一侧固定连接有
第二电机。
10.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
11.(1)、该用于化合物半导体微波芯片电镀夹具，通过限定件和夹具的设置，使得芯片能够通过升降装置芯片浸入电解液中，而在进行电镀时在孔内添加添加剂或导电材料如铜等时，使用限位杆对限位框进行限位，让其保持高度稳定，减少误差。
12.(2)、该用于化合物半导体微波芯片电镀夹具，该装置工作原理较为简单，但是效果较好，并且操作基本不需要人工辅助，操作过程简单。
附图说明
13.图1为本发明的主结构示意图；
14.图2为本发明的限定件结构示意图；
15.图3为本发明的夹具结构示意图；
16.图4为本发明的右轴侧结构示意图。
17.图中：1、底板；2、升降装置；201、支撑柱；202、滑槽；203、螺纹杆；204、滑块；205、步进电机；3、连接杆；4、横杆；5、夹具；501、限位框；502、作用杆；503、复位弹簧；504、夹板；505、限位槽；506、转动杆；507、第一电机；6、限定件；601、滑动块；602、限位杆；603、限位块；604、固定块；605、双向螺纹丝杆；606、第二电机。
具体实施方式
18.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
19.需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件所必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
20.此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。
21.应注意的是，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义或说明，则在随后的附图的说明中将不需要再对其进行进一步的具体讨论和描述。
22.如图1
‑
4所示，本发明提供一种技术方案：一种用于化合物半导体微波芯片电镀夹具，包括底板1，所述底板1顶部两侧设置有升降装置2，用于调整夹具5的高度，在该装置下方设置镀液槽，可以方便对微波芯片进行镀液电解工作，所述升降装置2一侧固定连接有连接杆3，所述连接杆3底部固定连接有横杆4，所述横杆4中部设置有夹具5，所述夹具5包括限位框501，所述限位框501两端内壁活动连接有作用杆502，所述作用杆502一端固定连接有夹板504，通过夹板504和复位弹簧503的作用，使其具有弹性，能够使芯片夹在中间并起到限定作用，所述作用杆502表面套接有复位弹簧503，所述复位弹簧503一端固定连接于夹板
504一侧，所述夹板504另一侧开设有限位槽505。
23.优选的，所述限位框501两端中部均固定连接有转动杆506，其中一个所述转动杆506一端活动连接于横杆4中部一侧，另一侧所述转动杆506另一端设置有第一电机507，所述第一电机507固定连接于横杆4一侧，所述横杆4表面活动连接有限定件6，所述限定件6包括滑动块601，每两个所述滑动块601之间固定连接有限位杆602，所述滑动块601内壁活动连接于横杆4表面，其中一侧滑动块601一侧固定连接有限位块603，所述限位块603中部活动连接有双向螺纹丝杆605，所述横杆4一侧设置有第二电机606，所述第二电机606输出端固定连接于双向螺纹丝杆605一端，双向螺纹丝杆605能够使限位块603带动两侧的滑动块601向中间靠拢，然后在限位杆602的作用下将限位框501固定，半导体芯片三维封装中，以通孔作为互连方式是封装的主流方向，而相应的通孔电镀技术是三维封装发展的关键。传统的通孔电镀是通过电镀法来实现硅通孔填充的，电镀法填充通孔有其成本上的优势，这些通孔通常都是几十微米的孔径，电镀过程中一端偏移或抖动也会造成误差，所以通过夹板504和限位杆602的双重限定使夹具稳定性增强，所述升降装置2包括支撑柱201，所述支撑柱201设置有多个，其中一个所述支撑柱201一侧开设有滑槽202，所述滑槽202顶部和底部之间活动连接有螺纹杆203，所述支撑柱201顶部固定连接有步进电机205，所述步进电机205输出端固定连接于螺纹杆203一端，所述螺纹杆203表面活动连接有滑块204，所述滑块204一侧固定连接于连接杆3顶部一侧，所述升降装置2通过连接杆3与横杆4相连接，所述其中一侧横杆4一侧固定连接有固定块604。所述固定块604一侧固定连接有第二电机606，该装置的夹具5各个零部件的材料均为碳化硅陶瓷材料，可以抗强酸腐蚀。
24.该装置是一种用于化合物半导体微波芯片电镀夹具，通常通孔电镀是微波芯片三维封装的发展关键，芯片上的通孔通常只有50um至100um，孔径极小，在电镀过程中，导电材料很难在底部沉淀，一般需要使用添加剂起到印制整平的作用，那么在此过程中，微波芯片必须保持极其稳定的状态，稍有差错可能会导致填补不完全，所以本装置采用双重稳定的结构，通过将微波芯片放置在夹板504之间达到第一重固定，为了方便微波芯片的加工和浸液电镀，在限位框501一侧设置电机控制限位框501转动，这样限位框501依靠转动杆506进行限位，仍不稳定，所以设置有限定件6，限定件6通过第二电机606带动双向螺纹丝杆605转动，使得限位块603带动限位杆602向中间靠拢，将限位框501夹在中间达到固定，使微波芯片在进行电镀时能够保持高度稳定。
25.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。