半导体封装及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：多个第一芯片，每一所述第一芯片包括第一有源面、所述第一有源面上的传感区、相对于所述第一有源面的第一背面以及从所述第一背面朝向所述第一有源面延伸的多个通孔；多个硅穿孔，配置于所述第一芯片的所述多个通孔中且与所述多个第一芯片电性连接；至少一绝缘体，配置于所述第一芯片的所述第一有源面上；第一电路结构，配置于所述第一芯片的所述第一背面上且与所述多个硅穿孔电性连接；以及第一密封体，侧向包封所述多个第一芯片。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个第一芯片包括第一传感芯片以及第二传感芯片，所述第一传感芯片的所述传感区内包括的光电传感材料与所述第二传感芯片的所述传感区内的光电传感材料不同。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：只有第二芯片，配置于所述第一电路结构上且包括面向所述第一芯片的所述第一背面的第二有源面，其中所述第二芯片通过所述第一电路结构与所述多个第一芯片电性连接。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：永久载板，其中所述绝缘体配置于所述永久载板与所述多个第一芯片之间。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，还包括：第二电路结构，与所述第一电路结构电路连接，其中所述第一密封体的一部分配置于所述第一电路结构与所述第二电路结构之间。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，所述第一电路结构投影于所述永久载板上的正投影面积实质上等于所述多个第一芯片投影于所述永久载板上的正投影面积，且所述第二电路结构投影于所述永久载板的正投影面积大于所述多个第一芯片投影于所述永久载板上的正投影面积。7.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：提供第一芯片，其中所述第一芯片包括第一有源面、所述第一有源面上的传感区、相对于所述第一有源面的第一背面以及从所述第一背面朝向所述第一有源面延伸的多个通孔；形成多个硅穿孔于所述第一芯片的所述多个通孔中；形成第一电路结构于所述第一芯片的所述第一背面上，以与所述多个硅穿孔电性连接；配置第二芯片于所述第一电路结构上，其中所述第二芯片包括面向所述第一芯片的所述第一背面的第二有源面，且所述第二芯片与所述第一芯片电性连接；以及形成第二密封体于所述第一电路结构上，以侧向包封所述第二芯片。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：在配置所述第二芯片之前，形成多个导电端子于所述第一电路结构上，其中在配置所述第二芯片之后，所述第二芯片通过所述多个硅穿孔、所述第一电路结构与所述多个导电端子与所述第一芯片电性连接。9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：形成多个模塑通孔于所述第一电路结构上，以与所述多个硅穿孔以及所述第一芯片电
性连接，其中在形成所述第二密封体之后，通过所述第二密封体侧向包封所述多个模塑通孔；形成第二电路结构于所述第二芯片相对于所述第二有源面的第二背面，其中在形成所述第二电路结构之后，所述第二芯片通过所述多个模塑通孔电性连接至所述第二电路结构；以及配置第三芯片于所述第二电路结构上，其中所述第三芯片与所述第一芯片以及所述第二芯片电性连接。10.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，包括：提供多个第一芯片，每一所述第一芯片包括第一有源面、所述第一有源面上的传感区、相对于所述第一有源面的第一背面以及从所述第一背面朝向所述第一有源面延伸的多个通孔；形成多个硅穿孔于所述第一芯片的所述多个通孔中；形成第一电路结构于所述第一芯片的所述第一背面上，以与所述多个硅穿孔电性连接；提供载板；提供至少一绝缘体；接合所述载板、所述绝缘体以及所述多个第一芯片于所述多个硅穿孔与所述第一电路结构，其中所述绝缘体配置于所述载板与所述多个第一芯片之间，所述第一芯片的所述第一有源面面向所述绝缘体，且所述多个第一芯片配置于所述载板上且彼此物理分隔；形成第一密封体于所述载板上，其中所述第一密封体侧向包封所述多个第一芯片；以及形成第二电路结构于所述第一密封体上。