多功能半导体封装结构和多功能半导体封装结构制作方法与流程

技术特征：
1.一种多功能半导体封装结构，其特征在于，包括基板、mems芯片、金属盖、射频芯片、塑封体和天线；所述mems芯片位于所述基板的一侧；所述金属盖和所述mems芯片位于所述基板同一侧，所述金属盖用于保护所述mems芯片并形成容置所述mems芯片的空腔；所述射频芯片位于所述金属盖远离所述mems芯片的一侧；所述塑封体和所述金属盖位于所述基板同一侧，所述塑封体用于保护所述射频芯片、所述金属盖和所述基板；所述天线位于所述塑封体的表面；所述塑封体开设有导电孔；所述导电孔的一侧接触所述基板，另一侧接触所述天线，所述导电孔填充有导电材料，所述导电材料用于实现所述天线和所述基板的电性连接。2.根据权利要求1所述的多功能半导体封装结构，其特征在于，所述mems芯片为声敏传感器芯片，所述多功能半导体封装结构还包括asic芯片，所述基板还包括进音孔；所述asic芯片与所述声敏传感器芯片位于所述基板的同一侧，所述asic芯片与所述声敏传感器芯片电性连接，所述金属盖还用于保护所述asic芯片；所述进音孔的一侧与外界接触，另一侧与所述空腔接触，以使所述空腔与外界连通。3.根据权利要求2所述的多功能半导体封装结构，其特征在于，所述进音孔接触所述空腔的一侧垂直开设于所述基板任一侧确定的水平面，所述进音孔接触外界的一侧水平开设于所述基板任一侧确定的水平面。4.根据权利要求2所述的多功能半导体封装结构，其特征在于，所述进音孔垂直于所述基板任一侧且贯穿开设于所述基板。5.根据权利要求1所述的多功能半导体封装结构，其特征在于，所述mems芯片为陀螺仪芯片；所述金属盖与所述基板之间密封。6.根据权利要求1所述的多功能半导体封装结构，其特征在于，所述mems芯片为温敏传感器芯片，所述多功能半导体封装结构还包括导热柱体；所述导热柱贯穿所述基板，且所述导热柱靠近所述金属盖的一端位于所述温敏传感器芯片的附近。7.一种多功能半导体封装结构制作方法，其特征在于，包括：将mems芯片装贴在基板的一侧；将金属盖放置于所述基板上所述mems芯片所在的一侧，所述金属盖用于保护所述mems芯片并形成容置所述mems芯片的空腔；将射频芯片装贴至所述金属盖远离所述mems芯片的一侧；对所述射频芯片和所述金属盖进行塑封得到塑封体；在所述塑封体远离所述射频芯片的一侧制作天线，以得到多功能半导体封装结构。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基板包括进音孔，所述基板通过以下方式制备得到：在第一基材的一侧压合第二基材；
在所述第二基材上进行激光开槽，形成凹槽；在所述第二基材远离所述第一基材的一侧压合第三基材；在所述第三基材上进行激光钻孔得到第一钻孔和第二钻孔，所述第一钻孔和所述第二钻孔通过所述凹槽连通；以所述第一基材的中心点、所述第二基材的中心点和所述第三基材的中心点确定的切割道进行切割工艺，得到所述基板，所述进音孔包括所述第一钻孔和所述凹槽，或者所述进音孔包括所述第二钻孔和所述凹槽。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述将金属盖放置于所述基板上所述mems芯片所在的一侧，包括：将所述金属盖放置于所述基板上所述mems芯片所在的一侧，所述第一钻孔或所述第二钻孔在所述金属盖确定的范围内。