本发明涉及制造mems工艺技术领域，特别是涉及一种微夹持器制备工艺。
背景技术：
随着生物医学工程和微机电系统(mems)的迅猛发展，微操作对象的尺度不断减小。在医学、生物学、自适应光学，特别是动植物基因工程、农产品改良育种等领域，需要对单一游离细胞进行抓取搬运和释放操作，同时需要向细胞内注入或抽离细胞组织。这些处理过程都离不开高精度的微操作系统以及微尺度下的作业工具。在mems领域，对微纳米尺度下的零件进行加工、调整，对多个微小零件的装配作业等工作都需要微操作和微装配系统的参与。
微夹持器作为微操作系统中的末端执行器，需要直接对微装配或微操作对象进行夹持搬运和释放操作，对微操作过程的实施起着至关重要的作用。微夹持器作为微操作系统和微操作对象之间的重要纽带，其操作的成功率或稳定性直接影响着微操作系统的优劣。因此，在mems领域，开发性能稳定有效，适用于相关微操作系统的微夹持器是实现mems技术产业化的重要步骤。在显微生物医学研究和微纳米材料特性等科学研究领域，开发与微操作尺寸相适应，具有优良夹持效果的微夹持器，可以极大的促进这些领域的发展。mems工艺中一般由硅材料制成微夹持器，对硅材料的掺杂处理可以实现其电阻率的大范围可调，另外其机械性能同样优良，可以直接作为结构材料，并拥有良好的应用前景。
现有技术中微夹持器封装工艺较为繁琐，且装配难度大，大大增加了工艺成本。
因此，针对上述技术问题，有必要提供一种微夹持器制备工艺。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种微夹持器制备工艺。
为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：
一种微夹持器制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：
以soi片为基材刻蚀制备平面微夹持结构，所述平面微夹持结构包括第一基体、固定于第一基体侧部的驱动臂、固定于驱动臂端部的扩展臂、及固定于扩展臂末端的夹指，第一基体上设有若干装配槽；
制备竖直微压指结构，所述竖直微压指结构包括第二基体、固定于第二基体侧部的柔性梁、及固定于柔性梁端部的压指，第二基体下方设有若干装配插脚；
将平面微夹持结构与pcb板点胶固定，并进行引线键合；
将平面微夹持结构的第一基体置于显微镜载物台上；
在第一基体的装配槽中点胶；
夹取竖直微压指结构，并将第二基体下方的装配插脚放置至装配槽中；
调节三维探针平台，使探针与竖直微压指结构的第二基体接触，微调探针，通过装配槽的两侧面和第一基体上表面三个面对平面微夹持结构及竖直微压指结构进行定位，并观察压指和夹指的相对位置，确认装配位置准确；
在第二基体周围点胶并烘烤凝固。
优选地，“以soi片为基材刻蚀制备平面微夹持结构”具体为：
提供soi片，soi片包括si基体层、sio2层及si结构层；
在si结构层的第一区域上涂覆光刻胶，并光刻形成具有焊盘图案的光刻胶层；
在光刻胶层上进行金属溅射，并去除光刻胶层，在si结构层上形成若干引线焊盘；
在si结构层的第二区域上涂覆光刻胶，并光刻形成具有驱动臂、扩展臂和夹指图案的光刻胶层；
对si结构层进行深刻蚀至sio2层，并去除光刻胶层；
在si基体层上涂覆光刻胶，并光刻形成具有底层图案的光刻胶层；
刻蚀背面的si基体层，并去除光刻胶层；
在boe溶液中腐蚀sio2层，释放驱动臂、扩展臂和夹指。
优选地，“以soi片为基材刻蚀制备平面微夹持结构”具体为：
选用4寸双面抛光soi片；
高度计测量soi片厚度为406±0.5μm；
四探针测试仪测量结构层电阻为0.05ω·cm；
依次用丙酮、异丙醇超声清洗10min，去除表面杂质，蒸馏水冲洗干净晶圆表面杂质，气枪吹干；
正面烘涂粘附剂；
一次光刻；
正面溅射200μmau，用10μmcr作为粘附剂，溅射完成后用丙酮溶液超声清洗1h，溶解光刻胶，剥离光刻胶上的cr-au合金，异丙醇超声清洗10min，蒸馏水清洗干净，气枪吹干，等离子体去除残胶；
正面烘涂粘附剂；
二次光刻；
正面50μm深硅刻蚀；
取下晶圆，将晶圆在无水乙醇溶液中超声清洗10min，去除硅油，丙酮溶液中超声清洗30min，去除光刻胶，异丙醇溶液超声清洗10min，蒸馏水清洗干净，气枪吹干；
晶圆正面贴一块蓝膜保护，背面烘涂粘附剂，用az6130光刻胶匀胶，转速1000r/min，匀胶厚度15μm，100℃热板上前烘10min；
第三次光刻；
背面350μm深硅刻蚀，正面均匀涂抹硅油，将晶圆粘贴在刻蚀托盘上，由于正面刻蚀有深硅结构，涂抹硅油后会产生更多的气泡，晶圆放入设备中需要增加抽真空时间已使气泡全部排出，icp深硅刻蚀工艺刻蚀50min，取出晶圆，用台阶仪测试刻蚀深度，计算刻蚀速率，再次放入设备中刻蚀，按照刻蚀速率计算，过刻20μm，取出晶圆放在显微镜下观察，刻蚀成功区域可以看到正面结构，未刻穿区域呈黑灰色，如果未刻蚀到氧化层区域过大，仍需继续刻蚀；
将晶圆和刻蚀托盘放入1∶5的boe溶液中腐蚀10min，去除氧化层，释放结构；
无水乙醇浸泡1h去除硅油，丙酮浸泡30min去除光刻胶，异丙醇清洗，蒸馏水清洗，热板烘干。
优选地，所述4寸双面抛光soi片具体为：结构层为＜100＞晶向，＜110＞切边，厚度50±0.5μm，p型掺杂，电阻率ρ＝0.1-0.01ω·cm；氧化层厚度1μm；基体层＜100＞晶向，厚度350±10μm，n型掺杂，电阻率ρ＝1-5ω·cm。
优选地，所述“正面烘涂粘附剂”具体为：用az5214型光刻胶匀胶，转速4000r/min，胶厚1.5μm，95℃热板上前烘90s。
优选地，所述“一次光刻”具体为：光刻焊盘图案，对准＜110＞晶向，图形居中，接触曝光2s，用2.38％四甲基氢氧化铵显影液显影45s，蒸馏水清洗干净残留显影液，气枪吹干。
优选地，所述“正面烘涂粘附剂”具体为：用az4620型光刻胶匀胶，转速2500r/min，胶厚4μm，95℃热板上前烘90s。
优选地，所述“正面50μm深硅刻蚀”具体为：背面均匀涂抹硅油，将晶圆粘贴在刻蚀托盘上，icp深硅刻蚀工艺刻蚀8min，取出晶圆，用台阶仪测试刻蚀深度，计算刻蚀速率，再次放入设备中刻蚀，按照刻蚀速率计算，过刻10μm确保正面所有刻蚀区域刻蚀到氧化层，显微镜下观察刻蚀到成功区域底部氧化层呈淡紫色或浅绿色，未刻蚀到氧化层区域呈黑灰色，如果未刻蚀到氧化层区域过大，仍需继续刻蚀。
优选地，所述“二次光刻”具体为：光刻正面结构层，二次光刻版对准一次光刻图案对准标记，套刻正面结构图形，接触曝光4.5s，用2.38％四甲基氢氧化铵显影液显影90s，蒸馏水洗干净，气枪吹干，110℃热板上坚膜5min，等离子体去除残胶。
优选地，所述“第三次光刻”具体为：刻蚀背面区域，用第三次光刻版上的对准标记对准正面对准标记，背面套刻结构图形，接触曝光6.5s，用25％的四甲基氢氧化铵与蒸馏水1∶8混合，配制成显影液，显影2-3min，蒸馏水冲洗干净，气枪吹干，撕下正面保护蓝膜，110℃热板上坚膜15min，等离子体去除残胶。
本发明的有益效果是：
采用mems体硅工艺设计立体封装工艺，制备方法简单，实现了三指式微夹持器的微装配。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一具体实施例中三指式微夹持器的结构示意图；
图2为本发明一具体实施例中三指式微夹持器的另一视角结构示意图；
图3为本发明一具体实施例中三指式微夹持器的局部结构示意图；
图4为本发明一具体实施例中驱动臂的原理示意图；
图5为本发明一具体实施例中压指的结构示意图；
图6为本发明一具体实施例中三指式微夹持器的装配示意图；
图7为本发明一具体实施例中三指式微夹持器夹取微球的示意图；
图8为本发明一具体实施例中微夹持器制备工艺流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种三指式微夹持器的制备工艺，其特征在于，包括：
以soi片为基材刻蚀制备平面微夹持结构，平面微夹持结构包括第一基体、固定于第一基体侧部的驱动臂、固定于驱动臂端部的扩展臂、及固定于扩展臂末端的夹指，第一基体上设有若干装配槽；
制备竖直微压指结构，竖直微压指结构包括第二基体、固定于第二基体侧部的柔性梁、及固定于柔性梁端部的压指，第二基体下方设有若干装配插脚；
将平面微夹持结构与pcb板点胶固定，并进行引线键合；
将平面微夹持结构的第一基体置于显微镜载物台上；
在第一基体的装配槽中点胶；
夹取竖直微压指结构，并将第二基体下方的装配插脚放置至装配槽中；
调节三维探针平台，使探针与竖直微压指结构的第二基体接触，微调探针，通过装配槽的两侧面和第一基体上表面三个面对平面微夹持结构及竖直微压指结构进行定位，并观察压指和夹指的相对位置，确认装配位置准确；
在第二基体周围点胶并烘烤凝固。
以下结合具体实施例对本发明进行详细说明。
参图1至图6所示，本发明一具体实施例中的三指式微夹持器，包括平面微夹持结构及竖直微压指结构，平面微夹持结构包括第一基体11、固定于第一基体侧部的驱动臂12、固定于驱动臂端部的扩展臂13、及固定于扩展臂末端的夹指14，竖直微压指结构包括第二基体21、固定于第二基体侧部的柔性梁22、及固定于柔性梁端部的压指23，第二基体21垂直安装于第一基体11上，驱动臂12、扩展臂13及夹指14对称分布，驱动臂12为电热驱动平行梁结构，通过驱动臂12实现夹指14在平面内的夹持，通过柔性梁22实现压指23在竖直方向上的压力。
本实施例中微夹持器的操作范围为：55μm-110μm；微夹持器初始张合量范围：50μm-120μm；夹持力提供范围：10μn-200μn。
参图3、图4所示，本实施例中的驱动臂12包括冷臂122、热臂121和柔性臂123，热臂121和柔性臂123平行固定于第一基体侧部，热臂121位于柔性臂123的外侧，冷臂122固定安装于热臂121和柔性臂123之间，且热臂121的截面积小于冷臂122的截面积。
其中，热臂和柔性臂厚度与宽度相等，热臂与冷臂的厚度相等，且热臂的宽度小于冷臂的宽度。
优选地，驱动臂的材料为硅，柔性臂的长度为热臂长度的10％～15％，驱动臂的长度为100μm～5000μm，热臂和柔性臂的宽度为5～100μm。
另外，第一基体11上设有若干引线焊盘111，热臂121和柔性臂123分别与引线焊盘111电性连接，通过引线焊盘111在驱动臂的热臂121和柔性臂123之间施加电压。
本发明设计的微夹持器由于立体封装工艺的限制，平面部分需要尽可能结构简单、驱动直接有效。电热驱动平行梁结构将驱动结构与位移放大机构融合在了一起，避免了复杂的平面结构，且平行梁模式尺寸设计灵活，既能以小尺寸结构产生大位移，又能实现较大驱动输出，因此本发明将电热驱动平行梁结构作为平面部分的驱动和位移放大方式。
不同电热弯曲梁材料对于其性能的影响较大，因素主要有热膨胀系数、弹性模量、热传导率、电阻率、熔点等。考虑到硅具有较高的电阻率和良好的导热性能；相对于静电力和磁场力而言，热应力较大；且硅又拥有良好的屈服强度，其屈服强度却优于大多数金属，因此可以提供较大的夹持力，或可以做成放大比很大的结构。硅的熔点是1410℃，与钢和铁的熔点相当，这意味着硅具有很强的热膨胀极限。硅是mems器件的常用材料，其制作工艺成熟可靠，因此本实施例用硅作为驱动臂的材料。
参图4所示，本实施例中的驱动臂由冷臂、热臂和柔性臂组成。将冷臂末端和柔性臂底端接通电极，冷臂、热臂和柔性臂相当于串联电阻。冷热臂由于横截面积不同，电流密度不同，热臂比冷臂产生更大的电热密度，温度更高，因此产生更大的热膨胀量，驱动整个结构向冷臂方向弯曲。停止加热，由于热量散失，整个结构将回到初始位置。
驱动臂中柔性臂是影响位移的关键，柔性臂越窄，位移越大，但柔性臂不能小于热臂的宽度，否则会因电流密度大于热臂而高温熔断，通常柔性臂与热臂等宽。为保证弹性变形，柔性臂应足够长，但柔性臂过长，功率损耗增大，位移反而减小，经优化计算，柔性臂的长度取热臂长度的10％～15％时输出位移最大。本发明设计的微夹持器基于体硅加工工艺，因此加工能力的限制是设计中要考虑的首要问题。为使微夹持器的性能趋于最优，结构参数的设计应考虑位移输出范围大，输出夹持力适当，工艺简单可靠，整体尺寸尽可能小等因素。初步拟定其几何尺寸为驱动臂长度800μm，宽度15μm。结构总体厚度50μm。
参图3所示，扩展臂13为s形扩展臂，s形扩展臂包括若干间隔分布的横向梁和纵向梁，s形扩展臂的厚度为10μm～100μm，s形扩展臂总长度不小于500μm。
横向梁的长度自驱动臂向夹指方向全部或部分呈阶梯状减小，纵向梁的长度自驱动臂向夹指方向保持不变。
本发明中微夹持器与其他致动方式相比存在末端温度太高、驱动力过大的缺点。经有限元仿真分析，当驱动臂末端夹指位移为30.5μm时，驱动臂结构末端的温度为701℃，夹指末端的温度为589℃。对夹指末端在y方向加载10μm的变形量时，驱动臂在末端的夹持力为534μn，夹指夹持力为624μn。
末端温度过高容易使夹持对象熔化或高温变质；驱动力过大使得末端夹指的夹持力难以控制，使夹持对象变形或破碎。这两个缺点限制了微夹持器的使用范围。为了减小电热弯曲梁的末端温度和夹持力大小，本发明提出了s形梁扩展臂的优化方案，结构总体厚度与驱动臂同为50μm，s形梁的总长度为1000μm。
将横向和纵向s形梁分别连接在驱动臂末端，建立有限元模型，其他材料参数与以上仿真分析相同。与驱动臂直接驱动夹指末端相比，采用s形梁结构，当夹指末端产生10μm的变形量时，夹指末端的夹持力可以降低至100μn-200μn，这是微夹持器常用的夹持力范围。
参图3所示，柔性梁22包括平行设置的下柔性梁221和上柔性梁222、以及位于下柔性梁221下方的s型柔性梁223，压指23设于s型柔性梁223的末端。压指23位于两夹指14中间区域的下方，且压沿平面呈向上倾斜设置，倾斜角度为10°～15°。
基于粘着力与三指式微夹持器操作分析和操作对象的要求，以平面驱动臂下底面为坐标原点，竖直微压指末端运动的最低行程为55μm，出现在释放直径55μm微球时；最高行程为110μm，出现在拾取直径110μm微球时。在整个行程范围内，竖直微压指需对微球提供80μn-200μn之间的压力。
受mems工艺所限，微夹持器竖直部分难以进行引线键合而无法对其供电。因此对竖直微压指无法使用mems常规的驱动方式。本发明对竖直微压指采用柔性梁方式，通过微夹持对象对竖直微压指的压力实现其与平面微夹指相对位置的变化，压指初始位置在平面微夹持部分下底面以下15μm处。
参图3、图5及图7所示，夹指14的内侧面上设有第一锯齿结构141，压指23的下表面上设有第二锯齿结构231，第一锯齿结构141和第二锯齿结构231仲的锯齿厚度为1μm～5μm，锯齿顶点角度为50°～70°。
在拾取和释放操作时，竖直压指末端与操作基底保持水平可以使微操作更为稳定。由于微操作时普遍将微夹持器与基底之间放置成一定角度，因此将微夹指末端与平面夹持部分设计为15°夹角以尽可能满足微压指末端与操作基底保持水平。
为更好的满足微操作要求，结合理论分析中粗糙度对粘着力的定性分析和工艺加工条件，在微夹持臂夹持面设计上采用了齿状结构，增加了夹持面的粗糙度。综合mems工艺制作水平，设计锯齿厚度3.5μm，锯齿顶点角度60°。
参图6所示，平面微夹持结构及竖直微压指结构通过微装配方式定位，用点胶工艺固定。第一基体11和第二基体21上分别设有对应的装配槽112和装配插脚211，第一基体11和第二基体12通过装配槽112与装配插脚211固定安装。
电热式驱动臂会使得点胶位置产生较高温度，普通的点胶胶水难以满足设计需要，本实施例中采用型号为ergo5881的乙基绝缘胶水，其最高工作温度范围为140℃。
本发明中三指式微夹持器的制备工艺包括引线键合、微装配和点胶固定步骤，具体为：
以soi片为基材刻蚀制备平面微夹持结构，平面微夹持结构包括第一基体、固定于第一基体侧部的驱动臂、固定于驱动臂端部的扩展臂、及固定于扩展臂末端的夹指，第一基体上设有若干装配槽；
制备竖直微压指结构，竖直微压指结构包括第二基体、固定于第二基体侧部的柔性梁、及固定于柔性梁端部的压指，第二基体下方设有若干装配插脚；
将平面微夹持结构与pcb板点胶固定，并进行引线键合；
将平面微夹持结构的第一基体置于显微镜载物台上，调节载物台至微夹持器在显微镜视场中央，调节合适放大倍率和焦距；
在第一基体的装配槽中点胶；
夹取竖直微压指结构，并将第二基体下方的装配插脚放置至装配槽中；
调节三维探针平台，使探针与竖直微压指结构的第二基体接触，微调探针，通过装配槽的两侧面和第一基体上表面三个面对平面微夹持结构及竖直微压指结构进行定位，并观察压指和夹指的相对位置，确认装配位置准确；
在第二基体周围点胶，40℃热板上烘烤4h，胶水凝固点胶完成。
结合图8所示，本实施例中以soi片为基材刻蚀制备平面微夹持结构具体为：
(a)提供soi片，soi片包括si基体层、sio2层及si结构层；
(b)在si结构层的第一区域上涂覆光刻胶，并光刻形成具有焊盘图案的光刻胶层；
(c)在光刻胶层上进行金属溅射，并去除光刻胶层，在si结构层上形成若干引线焊盘；
(d)在si结构层的第二区域上涂覆光刻胶，并光刻形成具有驱动臂、扩展臂和夹指图案的光刻胶层；
(e)对si结构层进行深刻蚀至sio2层，并去除光刻胶层；
(f)在si基体层上涂覆光刻胶，并光刻形成具有底层图案的光刻胶层；
(g)刻蚀背面的si基体层，并去除光刻胶层；
(h)在boe溶液中腐蚀sio2层，释放驱动臂、扩展臂和夹指。
具体加工工艺流程为：
(1)选用4寸双面抛光soi片：结构层为＜100＞晶向，＜110＞切边，厚度50±0.5μm，p型掺杂，电阻率ρ＝0.1-0.01ω·cm；氧化层厚度1μm；基体层＜100＞晶向，厚度350±10μm，n型掺杂，电阻率ρ＝1-5ω·cm。
(2)高度计测量soi片厚度为406±0.5μm。
(3)四探针测试仪测量结构层电阻为0.05ω·cm。
(4)依次用丙酮、异丙醇超声清洗10min，去除表面杂质，蒸馏水冲洗干净晶圆表面杂质，气枪吹干。
(5)正面烘涂粘附剂。用az5214型光刻胶匀胶，转速4000r/min，胶厚1.5μm，95℃热板上前烘90s。
(6)一次光刻：光刻焊盘图案，对准＜110＞晶向，图形居中，接触曝光2s。用2.38％四甲基氢氧化铵显影液显影45s，蒸馏水清洗干净残留显影液，气枪吹干。
(7)正面溅射200μmau，用10μmcr作为粘附剂。溅射完成后用丙酮溶液超声清洗1h，溶解光刻胶，剥离光刻胶上的cr-au合金，异丙醇超声清洗10min，蒸馏水清洗干净，气枪吹干，等离子体去除残胶。
(8)正面烘涂粘附剂。用az4620型光刻胶匀胶，转速2500r/min，胶厚4μm，95℃热板上前烘90s。
(9)二次光刻：光刻正面结构层，二次光刻版对准一次光刻图案对准标记，套刻正面结构图形，接触曝光4.5s。用2.38％四甲基氢氧化铵显影液显影90s。蒸馏水洗干净，气枪吹干，110℃热板上坚膜5min，等离子体去除残胶。
(10)正面50μm深硅刻蚀。背面均匀涂抹硅油，将晶圆粘贴在刻蚀托盘上，icp深硅刻蚀工艺刻蚀8min，取出晶圆，用台阶仪测试刻蚀深度，计算刻蚀速率，再次放入设备中刻蚀，按照刻蚀速率计算，过刻10μm确保正面所有刻蚀区域刻蚀到氧化层。显微镜下观察刻蚀到成功区域底部氧化层呈淡紫色或浅绿色，未刻蚀到氧化层区域呈黑灰色，如果未刻蚀到氧化层区域过大，仍需继续刻蚀。
(11)取下晶圆，将晶圆在无水乙醇溶液中超声清洗10min，去除硅油。丙酮溶液中超声清洗30min，去除光刻胶。异丙醇溶液超声清洗10min，蒸馏水清洗干净，气枪吹干。
(12)晶圆正面贴一块蓝膜保护，背面烘涂粘附剂，用az6130光刻胶匀胶，转速1000r/min，匀胶厚度15μm，100℃热板上前烘10min。
(13)第三次光刻：刻蚀背面区域。用第三次光刻版上的对准标记对准正面对准标记，背面套刻结构图形，接触曝光6.5s，用25％的四甲基氢氧化铵与蒸馏水1：8混合，配制成显影液，显影2-3min。蒸馏水冲洗干净，气枪吹干，撕下正面保护蓝膜，110℃热板上坚膜15min，等离子体去除残胶。
(14)背面350μm深硅刻蚀。正面均匀涂抹硅油，将晶圆粘贴在刻蚀托盘上。由于正面刻蚀有深硅结构，涂抹硅油后会产生更多的气泡。晶圆放入设备中需要增加抽真空时间已使气泡全部排出。icp深硅刻蚀工艺刻蚀50min，取出晶圆，用台阶仪测试刻蚀深度，计算刻蚀速率，再次放入设备中刻蚀，按照刻蚀速率计算，过刻20μm。取出晶圆放在显微镜下观察，刻蚀成功区域可以看到正面结构，未刻穿区域呈黑灰色，如果未刻蚀到氧化层区域过大，仍需继续刻蚀。
(15)将晶圆和刻蚀托盘放入1∶5的boe溶液中腐蚀10min，去除氧化层，释放结构。
(16)无水乙醇浸泡1h去除硅油，丙酮浸泡30min去除光刻胶，异丙醇清洗，蒸馏水清洗，热板烘干。
由以上技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
采用mems体硅工艺设计立体封装工艺，制备方法简单，实现了三指式微夹持器的微装配。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
