技术总结
本发明公开一种多层掩膜分步刻蚀方法，包含：将硅片(1)表面制作第一层掩模层(2)，光刻工艺实现第一层图形化(3)，再将其制作第二层掩模层(4)，光刻工艺实现第二层图形化(5)，依此继续制作掩膜层并图形化，多层掩膜制作完成后，进行一次刻蚀，刻蚀至设计深度时，形成刻蚀结构(6)，去除顶层掩模层后进行二次刻蚀，形成第二个刻蚀结构(7)，依此继续去除掩膜并刻蚀，直至形成所有设计结构(8)。本发明采用多层图形掩模，分步刻蚀，在掩模图形化阶段均在平整硅片表面进行工艺操作，有利于涂胶保护，光刻对准，后续分步刻蚀过程中逐层去除掩膜，可控制刻蚀深度，该方法工艺简单，成品率高，可批量生产制作，工艺一致性较强。工艺一致性较强。工艺一致性较强。
技术研发人员：赵坤帅 熊恒 李川 王军强
受保护的技术使用者：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
技术研发日：2020.11.05
技术公布日：2021/2/26
本发明公开一种多层掩膜分步刻蚀方法，包含：将硅片(1)表面制作第一层掩模层(2)，光刻工艺实现第一层图形化(3)，再将其制作第二层掩模层(4)，光刻工艺实现第二层图形化(5)，依此继续制作掩膜层并图形化，多层掩膜制作完成后，进行一次刻蚀，刻蚀至设计深度时，形成刻蚀结构(6)，去除顶层掩模层后进行二次刻蚀，形成第二个刻蚀结构(7)，依此继续去除掩膜并刻蚀，直至形成所有设计结构(8)。本发明采用多层图形掩模，分步刻蚀，在掩模图形化阶段均在平整硅片表面进行工艺操作，有利于涂胶保护，光刻对准，后续分步刻蚀过程中逐层去除掩膜，可控制刻蚀深度，该方法工艺简单，成品率高，可批量生产制作，工艺一致性较强。工艺一致性较强。工艺一致性较强。
技术研发人员：赵坤帅 熊恒 李川 王军强
受保护的技术使用者：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
技术研发日：2020.11.05
技术公布日：2021/2/26
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
