技术特征:
1.一种多层掩膜分步刻蚀方法,其特征在于包含以下步骤:a)在硅片表面制作掩模层,并对掩模层进行光刻,实现第一层掩膜图形的制作;b)依次继续制作掩膜层,并对掩模层进行光刻,直到实现预定层数的多层掩膜图形的制作为止;c)多层掩膜图形制作完成后,依次进行结构刻蚀,完成结构刻蚀后去除该层掩膜层,直至形成设计结构。2.按照权利要求1所述的方法,其中第一层掩模层由通过氧化硅片表面形成的氧化层,或者在硅片表面沉积的氮化硅或二氧化硅构成,其他各层掩模层由沉积的氮化硅或二氧化硅构成。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述氧化采用干湿氧工艺,氧化层厚度0.5~2μm。4.根据权利要求2所述的方法,其中所述沉积采用低压化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积。5.根据权利要求2所述的方法,其中沉积氮化硅厚度50~200nm,二氧化硅厚度0.5~1.5μm。6.根据权利要求1所述的方法,其中硅片单面或双面刻蚀。7.根据权利要求1所述的方法,其中刻蚀工艺为干法刻蚀。8.根据权利要求7所述的方法,其中掩膜层为二氧化硅、金属或者光刻胶,二氧化硅厚度0.5~1.5μm,金属层厚度50~300nm,光刻胶厚度2~15μm。9.根据权利要求1所述的方法,其中多层掩膜图形的层数为2~4层。10.根据权利要求1所述的方法,其中第一次结构刻蚀的深度大于20μm,后续结构刻蚀深度大于1μm。
再多了解一些
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