技术特征：
技术总结
本发明公开了一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，在晶圆片A的硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体，在敏感结构腔体内加工出电极结构；采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A上的硅电极层上；去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；将硅帽键合到晶圆片B上的敏感结构上；从SOI晶圆片A背面依次刻蚀去除焊盘区域位置的SOI晶圆片A的硅衬底和二氧化硅隔离层，暴露出焊盘区域的SOI晶圆片A的电极层，采用溅射的方式加工出金属焊盘，形成MEMS裸芯片；采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽；芯片倒置，将硅帽固定到陶瓷管壳腔体底面，再键合金属引线实现金属焊盘与陶瓷管壳引脚之间的电信号连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势，易于实现。
技术研发人员：凤瑞
受保护的技术使用者：北方电子研究院安徽有限公司
技术研发日：2017.08.16
技术公布日：2017.12.08
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