用于制造包括多孔表面的微米和/或纳米机械结构的方法与流程

技术特征：
1.一种用于制造微米机械结构和/或纳米机械结构的方法，包括由包含支撑基底和牺牲层的元件开始的以下步骤：a)形成第一层，所述第一层的至少一部分是多孔的，b)在所述第一层上形成提供所述结构的机械性能的层，称为中间层，c)在所述中间层上形成第二层，所述第二层的至少一部分是多孔的，d)以由所述第一层、所述中间层和所述第二层构成的堆叠来形成所述结构，e)通过至少部分地去除所述牺牲层来剥离所述结构。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第二层的多孔部分至少部分地与所述第一层的多孔部分垂直排列。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述第一层和/或所述第二层具有开放型孔隙率。4.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，第一多孔层和/或第二多孔层的材料独立地选自半导体、电介质。5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述第一多孔层和/或第二多孔层的材料是低介电常数的电介质。6.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，步骤a)和/或步骤c)包括用于将层沉积、生长或转移到所述牺牲层和/或所述中间层上的步骤。7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述第一层和/或所述第二层的多孔部分是局部化的。8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，通过局部化沉积、生长、转移或局部化蚀刻来实现局部化。9.根据权利要求6所述的制造方法，其中，步骤a)和/或步骤c)包括多孔化所述层的至少一部分的步骤。10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在进行所述多孔化步骤之前在所述层上制造掩模，从而局部化待制成多孔的材料的至少一个区域。11.根据权利要求9所述的制造方法，其中，通过电化学方式或通过染色蚀刻来实现多孔化。12.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，制造所述第一层和/或第二层的材料是P-掺杂剂。13.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，制造所述中间层的材料是单晶材料。14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，步骤b)包括用于在所述第一层上外延生长所述中间层的步骤。15.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，在由所述第一层、所述中间层和所述第二层构成的堆叠中形成所述结构的步骤d)包括所述堆叠的光刻和各向异性蚀刻步骤。16.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，通过各向同性蚀刻所述牺牲层来剥离所述结构。17.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，所述牺牲层的材料与所述第一层、所述第二层以及所述中间层的材料不同。18.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，所述第一层和所述第二层由多孔硅制成并且所述中间层由单晶硅制成。19.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，所述第一层和所述第二层由多孔SiGe制成并且所述中间层由非多孔SiGe制成。20.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，所述第一层和所述第二层由多孔SiC制成并且所述中间层由非多孔SiC制成。21.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，所述结构包括固定部分和在支撑物上的悬挂部分以及致动所述悬挂部分的装置和检测所述悬挂部分的位移的装置，所述悬挂部分在其面向所述支撑物的第一面上以及在与所述第一面相对的其第二面上设置有在步骤a)和c)期间形成的至少一个多孔区域。22.根据权利要求21所述的制造方法，其中，所述致动装置是静电型的并且包括位于所述固定部分和所述悬挂部分的侧翼上的电极，而没有任何多孔区域。23.根据权利要求21所述的制造方法，其中，所述检测装置是电容型的并且包括位于所述固定部分和所述悬挂部分的侧翼上的电极，而没有任何多孔区域。24.根据权利要求21所述的制造方法，其中，所述检测装置包括在所述固定部分和所述悬挂部分之间延伸的压阻量表，所述量表没有设置多孔区域。25.根据权利要求21所述的制造方法，其中，在所述悬挂部分和/或所述固定部分的侧翼上还形成一个或多个多孔侧向层。26.根据权利要求1或2之一所述的制造方法，其中，所述微米机械结构和/或纳米机械结构用于制造化学传感器和/或生物传感器、和/或湿度传感器，所述多孔区域被设计成吸收所关注的分子。