MEMS芯片封装结构以及封装方法与流程

技术特征：

1.一种MEMS芯片封装结构，其特征在于，包括：

基板，具有彼此相对的正面以及背面；

MEMS芯片，具有彼此相对的正面以及背面，所述MEMS芯片的背面贴合于所述基板的正面上；

ASIC芯片，位于所述基板的背面；

互连线路，设置于所述基板上，所述MEMS芯片与所述ASIC芯片分别与所述互连线路电连接。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述MEMS芯片与所述ASIC芯片沿基板的厚度方向上相互对齐。

3.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，还包括：

封盖，具有收容腔；

所述MEMS芯片的正面具有功能区和位于功能区周边的多个焊垫，所述焊垫与所述功能区电连接，所述封盖覆盖于所述MEMS芯片的正面上，所述收容腔罩住所述功能区。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述基板的背面上设置有焊接凸起，所述焊接凸起与所述互连线路电连接，所述焊接凸起用于与外部电路电连接。

5.根据权利要求4所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述焊接凸起的高度大于所述ASIC芯片的高度。

6.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述基板的正面设置有与所述互连线路电连接的第一焊垫，所述焊垫与所述第一焊垫通过金属线电连接。

7.根据权利要求6所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层包覆所述MEMS芯片以及所述金属线。

8.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述ASIC芯片倒装于所述基板上。

9.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述基板的材质为硅基底或者陶瓷或者玻璃基板或者PCB板。

10.一种MEMS芯片封装方法，其特征在于，包含如下步骤：

提供MEMS芯片，具有彼此相对的正面以及背面；

提供基板，具有彼此相对的正面以及背面，所述基板上设置有互连线路；

提供ASIC芯片；

将所述MEMS芯片的背面贴合于所述基板的正面并将所述MEMS芯片与所述互连线路电连接；

将所述ASIC芯片贴合于所述基板的背面并将所述ASIC芯片与所述互连线路电连接。

11.根据权利要求10所述的MEMS芯片封装方法，其特征在于，所述MEMS芯片与所述ASIC芯片沿基板的厚度方向上相互对齐。

12.根据权利要求10所述的MEMS芯片封装方法，其特征在于，在将所述MEMS芯片与所述基板贴合之前包含如下步骤：

提供封盖，所述封盖具有收容腔；

所述MEMS芯片的正面具有功能区和位于功能区周边的多个焊垫，所述焊垫与所述功能区电连接，将所述封盖覆盖于所述MEMS芯片的正面上，所述收容腔罩住所述功能区。

13.根据权利要求12所述的MEMS芯片封装方法，其特征在于，所述MEMS芯片通过如下步骤实现与所述互连线路电连接，包括：

所述基板的正面设置有与所述互连线路电连接的第一焊垫，采用引线键合工艺将所述焊垫与所述第一焊垫通过金属线电连接。

14.根据权利要求13所述的MEMS芯片封装方法，其特征在于，将所述MEMS芯片与所述互连线路电连接之后，采用塑封工艺形成塑封层，所述塑封层包覆所述MEMS芯片以及所述金属线。

15.根据权利要求14所述的MEMS芯片封装方法，其特征在于，在形成塑封层之后，还包含如下步骤：

采用倒装工艺将所述ASIC芯片倒装于所述基板的背面上；

采用丝网印刷工艺或植球工艺或电镀工艺在所述基板的背面形成焊接凸起，所述焊接凸起用于与外部电路电连接。

16.根据权利要求14所述的MEMS芯片封装方法，其特征在于，在形成塑封层之后，还包含如下步骤：

采用丝网印刷工艺或植球工艺或电镀工艺在所述基板的背面形成焊接凸起，所述焊接凸起用于与外部电路电连接；

采用倒装工艺将所述ASIC芯片倒装于所述基板的背面上。