技术总结
本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中,MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件,该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。
技术研发人员:程世伟;吕超波;洪忠贤;陈志山;柯全益;王志佑;许希丞;蒋季宏;翁睿均;吴威鼎
受保护的技术使用者:台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码:201510783708
技术研发日:2015.11.16
技术公布日:2016.11.23
本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中,MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件,该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。
技术研发人员:程世伟;吕超波;洪忠贤;陈志山;柯全益;王志佑;许希丞;蒋季宏;翁睿均;吴威鼎
受保护的技术使用者:台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码:201510783708
技术研发日:2015.11.16
技术公布日:2016.11.23
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。