运动微机电系统（MEMS）封装件的制作方法

技术特征：

1.一种微机电系统(MEMS)封装件，包括：

器件衬底，包括具有可移动部分或灵活部分的MEMS器件，所述可移动部分或灵活部分相对于所述器件衬底是可移动的或灵活的；以及

CMOS衬底，接合至所述器件衬底；

其中，所述可移动部分或灵活部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。

2.根据权利要求1所述的MEMS封装件，其中，所述可移动部分或灵活部分是由单晶硅制成的。

3.根据权利要求1所述的MEMS封装件，其中，所述共形抗粘滞层的厚度在从约至约的范围内并且均方根(RMS)表面粗糙度在从约10nm到约30nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的MEMS封装件，其中，通过Al-Ge共晶接合焊盘将所述CMOS衬底接合至所述器件衬底，并且其中，所述共形抗粘滞层设置在所述器件衬底和所述Al-Ge共晶接合焊盘之间。

5.根据权利要求1所述的MEMS封装件，还包括具有下表面的覆盖衬底，所述下表面邻接所述器件衬底的上表面，从而使得所述覆盖衬底和所述器件衬底共同地形成位于所述可移动部分或灵活部分上方的腔体。

6.根据权利要求5所述的MEMS封装件，其中，熔融接合将所述覆盖衬底接合至所述器件衬底。

7.根据权利要求1所述的MEMS封装件，其中，所述共形抗粘滞层覆盖所述器件衬底的底面，所述器件衬底的底面靠近所述CMOS衬底。

8.根据权利要求1所述的MEMS封装件，其中，所述器件衬底具有位于所述器件衬底接合至所述CMOS衬底的位置处的凸出部分，并且其中，沿着所述凸出部分的暴露的表面连续地设置所述共形抗粘滞层。

9.一种微机电系统(MEMS)封装件，包括：

CMOS衬底，具有上表面和下表面；

单晶硅器件衬底，接合至所述CMOS衬底并且包括可移动的MEMS 器件或灵活的MEMS器件；以及

共形抗粘滞层，作为所述可移动的MEMS器件或灵活的MEMS器件的靠近所述CMOS衬底的上表面的表面的衬垫，其中，由多晶硅制成的所述抗粘滞层具有在从约10nm到约30nm的范围内的均方根(RMS)表面粗糙度。

10.一种用于制造微机电系统(MEMS)器件的方法，所述方法包括：

形成覆盖衬底，所述覆盖衬底具有位于所述覆盖衬底的前侧中的凹槽；

将所述覆盖衬底接合至由单晶硅制成的MEMS器件衬底，使得所述覆盖衬底和所述MEMS器件衬底共同地密封所述凹槽，并且从而形成腔体；

沉积共形多晶硅层以覆盖所述MEMS器件衬底的暴露表面；以及

图案化所述MEMS器件衬底和所述共形多晶硅层，以形成可移动的MEMS器件或灵活的MEMS器件。