化学机械抛光液、半导体结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种化学机械抛光液，其特征在于，用于对多晶硅结构进行减薄处理，以获取表面平坦的多晶硅层，包括：二氧化硅研磨颗粒、过氧基化合物、去离子水；其中，所述过氧基化合物的体积百分比不小于3％且不大于10％。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述过氧基化合物包括过氧化氢。3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液为碱性抛光液。4.根据权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液的ph值不小于9且不大于11。5.根据权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，还包括氢氧化钾。6.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的粒径大于0且小于150纳米。7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比不小于5％且不大于10％。8.一种化学机械研磨设备，其特征在于，所述化学机械研磨设备采用如权利要求1至7任一项所述的化学机械抛光液进行化学机械研磨。9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供多晶硅结构；采用如权利要求1至7中任一项所述的化学机械抛光液对所述多晶硅结构进行减薄处理，以获取表面平坦的多晶硅层。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅结构包括多晶硅基底。11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述提供多晶硅结构包括：提供基底；于所述基底的上表面形成介质层，并于所述介质层内形成凹槽；于所述介质层的上表面形成多晶硅膜层，所述多晶硅膜层覆盖所述介质层的上表面，且填满所述凹槽；其中，所述多晶硅层的上表面高于所述介质层的上表面。12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述介质层包括氮化物层、氧化物层。13.根据权利要求9至12中任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述多晶硅结构进行减薄处理之后还包括：使用dhf清洗液对减薄处理后的所述多晶硅结构进行清洗。14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求9至13任一项所述的半导体结构的制备方法而得到。15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括互补金属氧化物半导体器件、动态随机存取存储器件及金属氧化物半导体场效应晶体管中的一种。

技术总结
本申请实施例涉及一种化学机械抛光液、化学机械研磨设备、半导体结构及其制备方法。该化学机械抛光液用于对多晶硅结构进行减薄处理，以获取表面平坦的多晶硅层，包括：二氧化硅研磨颗粒、过氧基化合物、去离子水；其中，过氧基化合物的体积百分比不小于3％且不大于10％。在化学机械抛光对多晶硅结构进行减薄的过程中，与化学机械抛光液接触的多晶硅被过氧基化合物氧化成二氧化硅，降低了化学机械抛光液的接触角度，提高研磨的效果，并且提高了化学机械研磨之后的清洗效果，降低了生产成本；同时，过氧基化合物可以降低化学机械抛光液与多晶硅结构之间的摩擦力，从而减少多晶硅结构表面的划伤，进而得到表面颗粒及划伤较少的多晶硅层。晶硅层。


技术研发人员：蔡长益
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2021/10/23