具有可调节的粘附力的用于低温振动阻尼的多层带构件的制作方法

技术特征：
1.一种多层带构件，其包括：阻尼层，其具有阻尼层玻璃化转变温度(t
g，d
)、阻尼层厚度(h
d
)和阻尼层粘弹性损失因子(tan(δ)
d
)；和粘合层，其具有粘合层玻璃化转变温度(t
g，b
)、粘合层厚度(h
b
)和粘合层粘弹性损失因子(tan(δ)
b
)，其中t
g，b
大于或等于t
g，d
。2.权利要求1所述的多层带构件，其在低于0℃的温度下具有200
‑
hz复合损失因子峰值。3.权利要求1或2所述的多层带构件，其具有大于10n/25mm的剥离粘附力。4.权利要求1至3中任一项所述的多层带构件，其具有大于115℃的剪切粘附失效温度。5.权利要求1所述的多层带构件，其具有大于100℃的剪切粘附失效温度，大于40℃的200
‑
hz复合损失因子宽度，和在低于
‑
5℃的温度下具有200
‑
hz复合损失因子峰值。6.权利要求1所述的多层带构件，其具有大于10n/25mm的剥离粘附力，大于375n/625mm2的动态剪切，和在低于
‑
5℃的温度下具有200
‑
hz复合损失因子峰值。7.权利要求1所述的多层带构件，其具有大于10n/25mm的剥离粘附力，大于75n/625mm2的动态剪切，和在低于
‑
15℃的温度下具有200
‑
hz复合损失因子峰值。8.权利要求1至7中任一项所述的多层带构件，其中(t
g，b
‑
t
g，d
)小于(80
±
40)(h
d
/h
b
)
(0.6
±
0.2)
℃。9.权利要求1至7中任一项所述的多层带构件，其中(t
g，b
‑
t
g，d
)小于(60
±
40)(h
d
/h
b
)
(0.3
±
0.2)
℃。10.权利要求1至9中任一项所述的多层带构件，其中t
g，b
在
‑
35℃至100℃的范围内。11.权利要求1至10中任一项所述的多层带构件，其中t
g，d
在
‑
80℃至0℃的范围内。12.权利要求1至11中任一项所述的多层带构件，其中h
d
在0.1密耳至200密耳的范围内。13.权利要求1至12中任一项所述的多层带构件，其中h
b
在0.1密耳至200密耳的范围内。14.权利要求1至13中任一项所述的多层带构件，其中在目标工作温度范围内或在目标工作频率范围内测量的tan(δ)
d
等于或大于(10
‑
10
h
d
‑
2.5
0.25)。15.权利要求14所述的多层带构件，其中所述目标工作温度范围大于30℃。16.权利要求15所述的多层带构件，其中所述目标工作温度范围包括
‑
40℃至0℃的温度。17.权利要求14至16中任一项所述的多层带构件，其中所述目标工作频率范围大于240hz。18.权利要求17所述的多层带构件，其中所述目标工作频率范围包括100hz至2000hz的频率。19.权利要求1至18中任一项所述的多层带构件，其中tan(δ)
d
在1至4的范围内。20.权利要求1至19中任一项所述的多层带构件，其中t
g，b
比t
g，d
高至少25℃，并且其中tan(δ)
d
比tan(δ)
b
大至少2。21.权利要求1至19中任一项所述的多层带构件，其中t
g,b
比t
g,d
高小于25℃，其中h
d
大于或等于h
b
，并且其中tan(δ)
d
比tan(δ)
b
大至少1.5。22.权利要求1至19中任一项所述的多层带构件，其中t
g，b
比t
g，d
高小于25℃，其中h
d
小于h
b
，并且其中tan(δ)
d
比tan(δ)
b
大至少2。
23.权利要求1至22中任一项所述的多层带构件，其中tan(δ)
b
在0.5至2.5的范围内。24.权利要求1至23中任一项所述的多层带构件，还包括载体层，所述载体层的至少部分设置在所述阻尼层和所述粘合层之间。25.权利要求24所述的多层带构件，其中所述阻尼层的至少部分与所述载体层的至少部分直接接触。26.权利要求25所述的多层带构件，其中与所述阻尼层的所述部分直接接触的所述载体层的所述部分至少部分地涂覆有一种或多种偶联剂。27.权利要求25所述的多层带构件，其中与所述阻尼层的所述部分直接接触的所述载体层的所述部分被电晕处理。28.权利要求1至27中任一项所述的多层带构件，其中所述载体层是第一载体层，并且其中所述多层带构件还包括至少一个另外的载体层。29.权利要求1至28中任一项所述的多层带构件，还包括：约束层。30.权利要求1至29中任一项所述的多层带构件，其中所述多层带构件还包括至少一个另外的粘合层。31.权利要求1至30中任一项所述的多层带构件，其中所述多层带构件还包括至少一个另外的阻尼层。32.权利要求1至31中任一项所述的多层带构件，还包括：第一释放衬垫；和第二释放衬垫。33.一种系统，其包括：基底基材，其具有基材拉伸刚度(k
s
)；和权利要求1至32中任一项所述的多层带构件。34.一种系统，其包括：基底基材，其具有基材拉伸刚度(k
s
)；和多层带构件，其包括：阻尼层，其具有阻尼层玻璃化转变温度(t
g，d
)和阻尼层厚度(hd)；和粘合层，其具有粘合层玻璃化转变温度(t
g，b
)和粘合层厚度(hb)，其中(t
g，b
‑
t
g,d
)小于(80
±
40)(h
d
/h
b
)
(0.6
±
0.2)
℃。35.权利要求34所述的系统，其中所述阻尼层具有阻尼层粘弹性损失因子(tan(δ)
d
)，并且其中在目标工作温度范围内或在目标工作频率范围内测量的tan(δ)
d
等于或大于(10
‑
10
h
d
‑
2.5
0.25)。36.权利要求35所述的系统，其中所述目标工作温度范围大于30℃。37.权利要求35所述的系统，其中所述目标工作温度范围包括
‑
40℃至0℃的温度。38.权利要求34至37中任一项所述的系统，其中所述目标工作频率范围大于250hz。39.权利要求34至37中任一项所述的系统，其中所述目标工作频率范围包括100hz至2000hz的频率。40.权利要求34至39中任一项所述的系统，还包括载体层，所述载体层具有载体层拉伸刚度(k
cl
)，其中k
s
/k
cl
大于或等于3，并且其中所述载体层的至少部分被至少部分地设置在所述阻尼层和所述粘合层之间。
41.一种系统，其包括：基底基材，其具有基材拉伸刚度(k
s
)；和多层带构件，其包括：阻尼层，其具有阻尼层玻璃化转变温度(t
g，d
)、阻尼层粘弹性损失因子(tan(δ)
d
)和阻尼层厚度(h
d
)；和粘合层，其具有粘合层玻璃化转变温度(t
g，b
)、粘合层粘弹性损失因子(tan(δ)
b
)和粘合层厚度(h
b
)，其中(t
g，b
‑
t
g，d
)小于(60
±
40)(h
d
/h
b
)
(0.3
±
0.2)
℃。42.权利要求41所述的系统，其中在目标工作温度范围内或在目标工作频率范围内测量的tan(δ)
d
小于(10
‑
10
h
d
‑
2.5
0.25)。43.权利要求42所述的系统，其中所述目标工作温度范围大于30℃。44.权利要求42所述的系统，其中所述目标工作温度范围包括
‑
40℃至0℃的温度。45.权利要求41至44中任一项所述的系统，其中所述目标工作频率范围大于250hz。46.权利要求41至44中任一项所述的系统，其中所述目标工作频率范围包括100hz至2000hz的频率。47.权利要求41至46中任一项所述的系统，其中t
g,b
比t
g,d
高至少25℃，并且其中tan(δ)
d
比tan(δ)
b
大至少2。48.权利要求41至46中任一项所述的系统，其中t
g，b
比t
g，d
高小于25℃，其中h
d
大于或等于h
b
，并且其中tan(δ)
d
比tan(δ)
b
大至少1.5。49.权利要求41至46中任一项所述的系统，其中t
g，b
比t
g，d
高小于25℃，其中h
d
小于h
b
，并且其中tan(δ)
d
比tan(δ)
b
大至少2。50.权利要求41至49中任一项所述的系统，还包括载体层，所述载体层具有载体层拉伸刚度(k
cl
)，其中k
s
/k
cl
小于3，并且其中所述载体层的至少部分被至少部分地设置在所述阻尼层和所述粘合层之间。51.一种减少对基底基材的振动的方法，所述方法包括：提供经受振动的基底基材；和将权利要求1至32中任一项所述的多层带构件的粘合层连接到所述基底基材，从而减少基底结构的振动。52.权利要求51所述的方法，其中在低于10℃的温度下耗散所述基底结构的振动。

技术总结
本文提供了包括阻尼层和粘合层的多层带构件，其中所述多层带构件在低温下有效地耗散振动。层的材料和配置的选择使得所述粘合层的玻璃化转变温度大于所述阻尼层的玻璃化转变温度，并且所述玻璃化转变温度之间的差异与所述阻尼层和所述粘合层的相对厚度有关。多层带构件还可以包括载体层。还提供了使用公开的多层带构件的系统和方法。层带构件的系统和方法。层带构件的系统和方法。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：艾利丹尼森公司
技术研发日：2019.11.26
技术公布日：2021/10/8