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一种抑制荧光粉中Eu3+数量的方法与流程

2021-08-13 19:39:00 来源:中国专利 TAG:荧光粉 发光 抑制 合成 数量

技术特征:

1.一种抑制basi2o2n2:eu2 荧光粉中eu3 数量的方法,其特征在于,制备basi2o2n2:eu2 荧光粉的原料中包括三价金属氧化物m2o3。

2.根据权利要求1所述的抑制basi2o2n2:eu2 荧光粉中eu3 数量的方法,其特征在于,m为er、dy、tm中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的抑制basi2o2n2:eu2 荧光粉中eu3 数量的方法,其特征在于,制备basi2o2n2:eu2 荧光粉的原料组分包括baco3、eu2o3、m2o3、sio2和si3n4,摩尔比为(2-2x-3y):x:y:1:1,制备得到的basi2o2n2:eu2 荧光粉的化学通式为ba1-x-1.5ymysi2o2n2:xeu2 ;其中,0.01≤x≤0.04,0.001≤y≤0.04。

4.根据权利要求1所述的抑制basi2o2n2:eu2 荧光粉中eu3 数量的方法,其特征在于,包括下述过程:

按化学计量比称取原料组分baco3、eu2o3、m2o3、sio2和si3n4,研磨混合均匀,得到的混合物粉体;

将混合物粉体在还原气氛下进行高温烧结;

烧结完成后,冷却至室温,研磨。

5.根据权利要求4所述的抑制basi2o2n2:eu2 荧光粉中eu3 数量的方法,其特征在于,所述还原气氛为氢气还原气氛。

6.根据权利要求4所述的抑制basi2o2n2:eu2 荧光粉中eu3 数量的方法,其特征在于,高温烧结的烧结温度为1200~1600℃,烧结时间为2~10h。

7.根据权利要求6所述的抑制basi2o2n2:eu2 荧光粉中eu3 数量的方法,其特征在于,高温烧结的烧结温度为1300~1500℃,烧结时间为5~7h。


技术总结
本发明提供了一种抑制BaSi2O2N2:Eu2 荧光粉中Eu3 数量的方法,属于发光材料合成技术领域,制备BaSi2O2N2:Eu2 荧光粉的原料中包括三价金属氧化物M2O3,M为Er、Dy、Tm中的至少一种。本发明通过在合成原料中添加三价金属氧化物M2O3,以促进在高温烧结过程中Eu3 向Eu2 的转化,通过对制备荧光粉的原料组分BaCO3、Eu2O3、M2O3、SiO2和Si3N4的含量控制,可以使BaSi2O2N2:Eu2 荧光粉中的Eu3 数量可锐减到原来(原料中未添加M2O3的BaSi2O2N2:Eu2 荧光粉)的3%,Eu2 对蓝紫光的吸收率从原来(原料中未添加M2O3的BaSi2O2N2:Eu2 荧光粉)的61%可提升到75%,提高了23%,大大增加了荧光粉中Eu2 的数量和提升了荧光粉对蓝紫光的吸收利用率。本发明的抑制BaSi2O2N2:Eu2 荧光粉中Eu3 数量的方法,操作简单,还有利于大规模生产和应用推广。

技术研发人员:张家骅;刘雪晴;张亮亮;吴昊;武华君;潘国徽
受保护的技术使用者:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日:2021.05.20
技术公布日:2021.08.13
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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