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一种可焊接碳化硅陶瓷桶的制备方法与流程

2021-10-19 19:53:00 来源:中国专利 TAG:碳化硅 陶瓷 制备 焊接 制备方法

技术特征:
1.一种可焊接碳化硅陶瓷桶的制备方法,其特征在于,包括:(1)将碳化硅粉体、炭黑、金属粉和粘结剂混合,得到混合料;所述碳化硅粉体、炭黑、金属粉和粘结剂的质量含量比为60~90wt%:3~15wt%:5~10wt%:1~5wt%,各组分含量之和为100wt%;(2)将所得混合料置于研磨桶模具中进行成型,得到碳化硅陶瓷素坯;(3)将所得碳化硅陶瓷素坯在1450~1800℃下进行真空渗硅反应烧结,得到所述可焊接碳化硅陶瓷桶。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属粉为fe粉、ni粉和ti粉中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述碳化硅粉体为颗粒级配粉体,粒径在0.3~100μm之间。4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述金属粉的粒径在0.1~20μm之间。5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述粘结剂选自pvp、酚醛树脂、peg、pva和pvb中的至少一种。6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述混合的方式为球磨混合;所述球磨混合的转速为60~300转/分钟,时间为12~48小时。7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述成型的方式为注浆成型、凝胶浇注成型、或冷等静压成型。8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法,其特征在于,在真空渗硅反应烧结过程中,每100重量份碳化硅陶瓷素坯加入30~60重量份的硅粒。9.根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述真空渗硅反应烧结的烧结制度包括:先从室温以2~10℃/分钟的升温速率升至1100~1300℃并保温1~3小时;然后以1~5 ℃/分钟的升温速率继续升温至1400℃并保温1~6小时;最后以1~5℃/分钟升温1450~1800℃并保温1~10小时。10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备的可焊接碳化硅陶瓷桶。

技术总结
本发明涉及一种可焊接碳化硅陶瓷桶的制备方法,包括:(1)将碳化硅粉体、炭黑、金属粉和粘结剂混合,得到混合料;所述碳化硅粉体、炭黑、金属粉和粘结剂的质量含量比为60~90wt%:3~15wt%:5~10wt%:1~5wt%,各组分含量之和为100wt%;(2)将所得混合料置于研磨桶模具中进行成型,得到碳化硅陶瓷素坯;(3)将所得碳化硅陶瓷素坯在1450~1800℃下进行真空渗硅反应烧结,得到所述可焊接碳化硅陶瓷桶。得到所述可焊接碳化硅陶瓷桶。


技术研发人员:黄毅华 黄政仁 刘学建 陈忠明 杨金晶
受保护的技术使用者:上海前瞻创新研究院有限公司
技术研发日:2020.04.09
技术公布日:2021/10/18
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