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一种单晶碳化硅晶片加工装置的制作方法

2021-10-09 09:46:00 来源:中国专利 TAG:晶片 加工 碳化硅 装置 单晶

技术特征:
1.一种单晶碳化硅晶片加工装置,其结构包括:底座(1)、加热炉体(2)、加压器(3),其特征在于:还包括炉体抗压密封装置(4),所述加热炉体(2)底面安装有底座(1),所述加压器(3)安装于加热炉体(2)顶部,所述炉体抗压密封装置(4)贯穿并扣合于加热炉体(2)正面中间;所述炉体抗压密封装置(4)由抗压门(41)、推动机构(42)、扣合长块(43)、扣合短块(44)、棘轮结构(45)、密封部件(46)组成,所述抗压门(41)贯穿并间隙配合于加热炉体(2)正面中间,所述推动机构(42)贯穿并间隙配合于抗压门(41)正面中间,所述棘轮结构(45)嵌套于推动机构(42)外侧后端,且所述棘轮结构(45)背面焊接于抗压门(41)正面中间,所述扣合长块(43)设有两块,对称焊接于推动机构(42)左右两侧并与加热炉体(2)内壁相互扣合,所述扣合短块(44)设有两块,对称焊接于推动机构(42)上下两侧并与加热炉体(2)内壁相互扣合,所述密封部件(46)设有八个,分别两个为一组均匀焊接于加热炉体(2)内壁四个角,并与加热炉体(2)滑动配合。2.如权利要求1所述的一种单晶碳化硅晶片加工装置,其特征在于:所述推动机构(42)由主动块(421)、连接杆(422)、推动短杆(423)、推动长杆(424)、转动握把(425)组成,所述主动块(421)贯穿并间隙配合于抗压门(41)正面中间,所述连接杆(422)设有四个,以环形矩阵均匀通过轴活动连接于主动块(421)侧面中间,所述推动短杆(423)设有两个,分别通过轴活动连接于左右两个所述连接杆(422)远离主动块(421)的一侧,所述推动长杆(424)设有两个,分别通过轴活动连接于上下两个所述连接杆(422)远离主动块(421)的一侧,所述转动握把(425)焊接于主动块(421)正面中间。3.如权利要求1所述的一种单晶碳化硅晶片加工装置,其特征在于:所述棘轮结构(45)由棘轮环(451)、棘齿(452)、弹簧杆(453)、控制绳(454)组成,所述棘轮环(451)嵌套于主动块(421)外侧后端,且所述棘轮环(451)背面焊接于抗压门(41)正面中间,所述棘齿(452)贯穿并间隙配合于主动块(421)外侧后端,所述弹簧杆(453)焊接于棘齿(452)朝向主动块(421)的一侧中间,且所述弹簧杆(453)贯穿并间隙配合于主动块(421)内壁并在其外侧嵌套有第一弹簧,所述控制绳(454)一端焊接于弹簧杆(453)远离棘齿(452)的一端中间,另一端贯穿并间隙配合于转动握把(425)正面中间。4.如权利要求1所述的一种单晶碳化硅晶片加工装置,其特征在于:所述密封部件(46)由定位块(461)、转动杆(462)、密封块(463)组成,所述定位块(461)设有八个,分别两个为一组均匀焊接于加热炉体(2)内壁四个角,所述转动杆(462)贯通并通过轴活动连接于定位块(461)朝向扣合长块(43)与扣合短块(44)的一侧中间并在靠近扣合长块(43)与扣合短块(44)的一侧设有第二弹簧,所述密封块(463)通过轴活动连接于转动杆(462)远离扣合长块(43)与扣合短块(44)的一端,并与加热炉体(2)内壁滑动配合。5.如权利要求4所述的一种单晶碳化硅晶片加工装置,其特征在于:所述密封块(463)为长方体其朝向加热炉体(2)的一侧设有与转动杆(462)相互配合的槽,且远离扣合长块(43)与扣合短块(44)的一侧设有45
°
角的斜面。

技术总结
本实用新型公开了一种单晶碳化硅晶片加工装置,其结构包括:底座、加热炉体、加压器,还包括炉体抗压密封装置,加热炉体底面安装有底座,加压器安装于加热炉体顶部,炉体抗压密封装置贯穿并扣合于加热炉体正面中间,本实用新型通过设有炉体抗压密封装置,通过其中推动机构和棘轮结构的相互配合,实现了当需要解除对加热炉体的闭合时,首先需要拉紧控制绳使得弹簧杆克服第一弹簧的力移动棘齿使其不在扣合棘轮环,之后转动主动块使得连接杆回缩并带动推动短杆和推动长杆移动,使得扣合长块和扣合短块解除扣合,该炉体抗压密封装置可以在抗压门发生微小形变时依旧保持良好的开关闭合效果。果。果。


技术研发人员:刘敏
受保护的技术使用者:上海右品电子科技有限公司
技术研发日:2020.11.30
技术公布日:2021/10/8
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