抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用与流程

技术特征：
1.一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法，其特征在于，对氮化镓籽晶进行抛光与腐蚀处理后，使籽晶表面位错位置产生位错腐蚀坑；在籽晶的上表面沉积一层覆盖材料，使覆盖材料覆盖腐蚀坑；去除腐蚀坑外的全部覆盖材料。2.根据权利要求1所述的抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法，其特征在于，所述对氮化镓籽晶进行抛光与腐蚀是指对氮化镓籽晶表面进行光学级抛光后，采用腐蚀液对籽晶腐蚀。3.根据权利要求2所述的抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法，其特征在于，所述的腐蚀液位熔融状态的koh/na2o2，摩尔比1:1，温度为400～600℃，腐蚀时间为20～120分钟。4.根据权利要求1所述的抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法，其特征在于，所述在籽晶的上表面沉积一层覆盖材料，包括电子束蒸镀法、磁控溅射法或真空热蒸镀法。5.根据权利要求1所述的抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法，其特征在于，所述覆盖材料为银、铂、铱、钯或金，或其合金膜。6.根据权利要求1或4所述的抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法，其特征在于，所述的覆盖材料的厚度不低于0.01微米。7.利用权利要求1
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6任一所述的抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法生长的氮化镓单晶。8.权利要求7所述的生长的氮化镓单晶，其特征在于，包括氢化物气相外延(hvpe)法、氨热法、助溶剂法或高压溶液法。9.权利要求7或8所述的氮化镓单晶在衬底的应用。

技术总结
本发明提供了一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用。所述方法的步骤为：首先将所用氮化镓籽晶表面进行抛光后，采用腐蚀液对籽晶腐蚀，使籽晶表面位错位置产生位错腐蚀坑。之后采用在籽晶表面沉积一层覆盖材料。然后采用机械抛光法将上述步骤中腐蚀坑之外表面覆盖材料去除，最后使用此籽晶进行晶体生长获得氮化镓单晶。本发明提供的一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用，可以实现对位错缺陷的有效抑制，同时达到对无位错区域的充分利用，而且步骤简单，成本较低。较低。较低。


技术研发人员：赵呈春 杭寅 龚巧瑞
受保护的技术使用者：中国科学院上海光学精密机械研究所
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/9/28