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一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制作
一种秧草收获机用电力驱动行走机构的
氮化
一种用于氮化铝半导体的散热封装结构的制作方法
本实用新型涉及氮化铝半导体生产技术领域,具体为一种用于氮化铝半导体的散热封装结构。
标签:
氮化
半导体
结构
2023-08-18
聚合物氮化碳、所述聚合物氮化碳的特定晶型及其阻隔紫外线的用途的制作方法
本发明涉及一种聚合物氮化碳、所述聚合物氮化碳的特定晶型及其阻隔紫外线的用途。本专利申请要求于2020年12月4日向韩国专利厅提交的韩国专利申请第10-2020-0168538号和韩国专利申请第10-2020-0168537号的优先权,所述专利申请的公开内容通过引用合并于本说明书。
标签:
专利申请
韩国
氮化
聚合物
所述
2023-08-06
氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构
氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构技术领域本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构。
标签:
氮化
制备方法
结构
半导体
cmos
2023-08-06
氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构
氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构技术领域本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构。
标签:
氮化
制备方法
结构
半导体
cmos
2023-08-06
氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构
氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构技术领域本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构。
标签:
氮化
制备方法
结构
半导体
cmos
2023-08-05
氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构
氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构技术领域本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构。
标签:
氮化
制备方法
结构
半导体
cmos
2023-08-05
氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构
氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构技术领域本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓基cmos制备方法及氮化镓基cmos结构。
标签:
氮化
制备方法
结构
半导体
cmos
2023-08-05
一种氮化炉用热电偶装置的制作方法
本实用新型涉及氮化炉测温技术领域,尤其涉及一种氮化炉用热电偶装置。
标签:
氮化
测温
热电偶
装置
2023-04-05
一种氮化碳复合材料的研磨装置
本实用新型涉及研磨装置技术领域,具体为一种氮化碳复合材料的研磨装置。
标签:
装置
氮化
复合材料
2023-04-04
一种二硫化钨-石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用与流程
本发明涉及催化剂技术领域,特别是涉及一种二硫化钨/石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用。
标签:
催化剂
氮化
特别是
石墨
制备方法
2023-04-04
一种氮化碳复合材料的研磨装置
本实用新型涉及研磨装置技术领域,具体为一种氮化碳复合材料的研磨装置。
标签:
装置
氮化
复合材料
2023-03-28
一种二硫化钨-石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用与流程
本发明涉及催化剂技术领域,特别是涉及一种二硫化钨/石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用。
标签:
催化剂
氮化
特别是
石墨
制备方法
2023-03-28
一种石墨相氮化碳/二氧化钛/硅酸镁锂复合光催化剂的制备
本发明涉及光催化剂技术领域,具体为一种石墨相氮化碳/二氧化钛/硅酸镁锂(g-c3n4/tio2/hectorite)复合光催化剂的制备方法。
标签:
催化剂
氮化
硅酸
石墨
制备方法
2023-03-20
一种氮化碳复合材料的研磨装置
本实用新型涉及研磨装置技术领域,具体为一种氮化碳复合材料的研磨装置。
标签:
装置
氮化
复合材料
2023-03-19
一种二硫化钨-石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用与流程
本发明涉及催化剂技术领域,特别是涉及一种二硫化钨/石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用。
标签:
催化剂
氮化
特别是
石墨
制备方法
2023-03-18
一种二硫化钨-石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用与流程
本发明涉及催化剂技术领域,特别是涉及一种二硫化钨/石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法和应用。
标签:
催化剂
氮化
特别是
石墨
制备方法
2023-03-09
一种用于芯片主原料氮化镓生产新工艺的制作方法
本发明涉及半导体生产技术领域,具体为一种用于芯片主原料氮化镓生产新工艺。
标签:
氮化
新工艺
半导体
芯片
原料
2023-02-19
一种含氮化碳的阻燃改性水性聚氨酯及其制备方法与应用
本发明属于涂料技术领域,尤其涉及一种功能涂料,具体涉及一种含氮化碳的阻燃改性水性聚氨酯及其制备方法与应用。
标签:
涂料
氮化
聚氨酯
水性
阻燃
2023-02-04
一种用于可见光催化降解水中微污染物的管状氮化碳的制备方法
本发明属于水处理技术领域;具体涉及一种用于可见光催化降解水中微污染物的管状氮化碳的制备方法。
标签:
管状
氮化
污染物
水处理
制备方法
2023-02-04
含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用
本发明属于压电薄膜领域,涉及一种含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用。
标签:
薄膜
氮化
制备方法
含碳双
2023-02-04
铁原位掺杂氮化碳非均相芬顿催化剂的制备方法与应用
本发明涉及污水处理技术领域,具体为一种铁原位掺杂氮化碳非均相芬顿催化剂的制备方法,以及该催化剂在降解废水中染料、抗生素中的应用。
标签:
催化剂
氮化
原位
抗生素
污水处理
2023-02-02
一种以松木为控制剂高产率制备富缺陷石墨氮化碳光催化剂
本发明属于光催化功能材料领域,涉及一种以松木为控制剂高产率制备富缺陷石墨氮化碳光催化剂。
标签:
氮化
石墨
催化剂
高产
缺陷
2023-02-01
一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置的制作方法
本发明涉及一种晶体生长设备技术领域,具体而言,涉及一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置。
标签:
生长
晶体
氮化
气相
装置
2023-01-17
一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置的制作方法
本发明涉及一种晶体生长设备技术领域,具体而言,涉及一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置。
标签:
生长
晶体
氮化
气相
装置
2023-01-16
一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置的制作方法
本发明涉及一种晶体生长设备技术领域,具体而言,涉及一种用于气相升华法生长氮化铝的晶体生长装置。
标签:
生长
晶体
氮化
气相
装置
2023-01-16
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