光源衰减监测方法和装置、光源寿命测定方法和装置与流程

技术特征：
1.一种曝光装置光源衰减监测方法，其特征在于，所述曝光装置光源衰减监测方法包括：获取n个预备晶片组，每个所述预备晶片组中包括m张晶片，其中n和m均为大于1的正整数；使用被测光源以第一光辐射能量，对所述n个预备晶片组，按照先后顺序依次进行曝光操作，确定对各个预备晶片组进行曝光操作的时刻为使用时间点；获取平均曝光各个预备晶片组中每张晶片的预备片曝光时长；确定由各个所述预备片曝光时长组成的预备片曝光时长变量，与由各个所述使用时间点组成的使用时间之间的对应关系。2.如权利要求1所述的曝光装置光源衰减监测方法，其特征在于，所述获取平均曝光各个预备晶片组中每张晶片的预备片曝光时长的步骤，包括：获取对各个所述预备晶片组进行所述曝光操作所经历的预备组曝光时长；基于所述预备组曝光时长，确定平均曝光各个预备晶片组中每张晶片的预备片曝光时长。3.如权利要求1所述的曝光装置光源衰减监测方法，其特征在于，所述使用被测光源以第一光辐射能量，对所述n个预备晶片组，按照先后顺序依次进行曝光操作，确定对各个预备晶片组进行曝光操作的时刻为使用时间点的步骤中，所述被测光源，以相同的第一光辐射能量对所述n个预备晶片组中的每张晶片进行曝光操作。4.如权利要求1所述的曝光装置光源衰减监测方法，其特征在于，所述对应关系用于反应所述被测光源的衰减变化。5.一种曝光装置光源衰减监测装置，其特征在于，所述曝光装置光源衰减监测装置被配置为执行如权利要求1至4中任一项所述的曝光装置光源衰减监测方法。6.一种曝光装置光源寿命测定方法，其特征在于，所述曝光装置光源寿命测定方法包括以下步骤：获取被测光源如权利要求1至4项中任一项所述的预备片曝光时长变量与使用时间之间的对应关系；根据所述对应关系确定片曝光时长阈值，所述片曝光时长阈值用于判断所述被测光源是否到寿；使用所述被测光源，以所述第一光辐射能量对目标晶片组进行曝光操作；获取平均曝光所述目标晶片中每张晶片的目标片曝光时长；判断所述目标片曝光时长是否达到所述片曝光时长阈值；当所述目标片曝光时长达到所述片曝光时长阈值，确定所述被测光源到寿需要更换。7.如权利要求6所述的曝光装置光源寿命测定方法，其特征在于，所述获取平均曝光所述目标晶片中每张晶片的目标片曝光时长的步骤，包括：获取对所述目标晶片组进行所述曝光操作所经历的目标组曝光时长；基于所述目标组曝光时长，确定平均曝光所述目标晶片中每张晶片的目标片曝光时长。8.如权利要求6所述的曝光装置光源寿命测定方法，其特征在于，所述目标晶片组中包括至少一张晶片。
9.一种曝光装置光源寿命测定装置，其特征在于所述种曝光装置光源寿命测定装置用于执行如权利要求6至8中任一项所述的曝光装置光源寿命测定方法。

技术总结
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光源衰减监测方法和装置、光源寿命测定方法和装置。其中监测方法包括：获取n个预备晶片组，每个预备晶片组中包括m张晶片，其中n和m均为大于1的正整数；使用被测光源以第一光辐射能量，对n个预备晶片组，按照先后顺序依次进行曝光操作，确定对各个预备晶片组进行曝光操作的时刻为使用时间点；获取平均曝光各个预备晶片组中每张晶片的预备片曝光时长；确定由各个预备片曝光时长组成的预备片曝光时长变量，与由各个使用时间点组成的使用时间之间的对应关系。本申请可以解决相关技术中定时进行光源光辐照度测试，以确定该光源衰减的的方法费时费力，不利于机台产能的问题。不利于机台产能的问题。不利于机台产能的问题。


技术研发人员：郭超 金乐群 姚振海 姜冒泉 费志平 肖翔
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.06.22
技术公布日：2021/10/15