位置对准装置、图案形成装置及物品的制造方法与流程

位置对准装置、图案形成装置及物品的制造方法
[技术领域]
[0001]
本发明涉及位置对准装置、图案形成装置及物品的制造方法。
[

背景技术：
]
[0002]
以往，使曝光装置中所使用的、基板的位置对准装置具备用于对基板进行调温的功能，节省从位置对准装置向调温装置搬送基板的搬送时间，由此实现提高生产率。
[0003]
专利文献1公开了一种位置对准装置，具备：转动部件，其用于保持基板并使基板旋转；以及调温部件，其设置在转动部件的内部，用于与基板接触来对基板进行调温。
[0004]
然而，在专利文献1公开的位置对准装置中，调温部件设置在转动部件的内部，因而转动部件增重，由此对于旋转驱动施加了负荷。
[0005]
此外，需要考虑到转动部件的旋转并将调温用管、控制线等配线连接于调温部件，因而构造复杂化。
[0006]
现有技术文献
[0007]
专利文献
[0008]
专利文献1：日本特开2005
‑
311113号公报
[

技术实现要素：
]
[0009]
因而，本发明的目的在于提供能够降低驱动中的负荷并且能够以简单的构造对基板进行调温的位置对准装置。
[0010]
本发明涉及一种位置对准装置，其特征在于，具备：基板保持部，其将基板保持于第一面；基板调温部，其经由基板保持部对基板进行调温；驱动部，其使基板保持部移动；以及控制部，其控制驱动部，基板调温部在同与第一面不同的、基板保持部的第二面接触的状态下对基板进行调温。
[附图说明]
[0011]
图1a是第一实施方式涉及的位置对准装置的示意性的剖视图。
[0012]
图1b是第一实施方式涉及的位置对准装置的示意性的剖视图。
[0013]
图1c是第一实施方式涉及的位置对准装置的局部的示意性的立体图。
[0014]
图2是第二实施方式涉及的位置对准装置的示意性的剖视图。
[0015]
图3a是第三实施方式涉及的位置对准装置的示意性的剖视图。
[0016]
图3b是第三实施方式涉及的位置对准装置的示意性的剖视图。
[0017]
图4是第四实施方式涉及的位置对准装置的示意性的剖视图。
[0018]
图5是具备第一至第四实施方式中的任一实施方式涉及的位置对准装置的曝光装置的示意图。
[具体实施方式]
[0019]
以下，基于附图对本实施方式涉及的位置对准装置详细进行说明。另外，为了便于理解本实施方式，以下所示的图是以与实际情况不同的比例绘制的。
[0020]
另外，在以下的说明中，将与基板保持部3的基板保持面(第一面)垂直的方向作为z轴，将在与z轴垂直的平面内彼此正交的两个方向分别作为x轴和y轴。
[0021]
近年，为了实现半导体器件中的图案的进一步精细化，在既定的制造进程中对基板进行调温。
[0022]
尤其是在曝光装置中，在基板位置对准工序之前进行基板调温工序，由此使基板的温度分布均匀，从而能够提高重合精度。
[0023]
然而，当在基板位置对准工序之前设置基板调温工序时，由于需要在将基板搬入用于进行基板调温工序的装置之后还将基板搬送到用于进行基板位置对准工序的装置的时间，因而基板的处理速度降低，生产性能下降。
[0024]
因此，为了抑制生产性能下降，提出了使基板位置对准装置具备对基板进行调温功能的技术。
[0025]
此外，例如当将调温部件设置在用于使基板旋转的转动部件内时转动部件增重，因而基板的旋转速度降低，并且会对用于旋转的驱动装置施加大的负荷。
[0026]
此外，这导致需要考虑到转动部件的旋转并将调温用管、控制线等配线连接于调温部件，构造复杂化。
[0027]
因此，本实施方式涉及的位置对准装置的主要目的在于解决这样的问题。
[0028]
[第一实施方式]
[0029]
图1a及图1b示出了第一实施方式涉及的位置对准装置60的示意性的剖视图。
[0030]
此外，图1c示出了第一实施方式涉及的位置对准装置60的局部的示意性立体图。
[0031]
本实施方式涉及的位置对准装置60具备检测部2、基板保持部3、x轴驱动部4、y轴驱动部5、θ轴驱动部6、z轴驱动部7、基板调温部8以及壳体9。
[0032]
此外，本实施方式涉及的位置对准装置60还具备未图示的控制部，该控制部控制x轴驱动部4、y轴驱动部5、θ轴驱动部6以及z轴驱动部7的驱动。
[0033]
如图1a及图1b所示，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，y轴驱动部5载置于x轴驱动部4上，并且z轴驱动部7载置于y轴驱动部5上。并且，θ轴驱动部6以能够在z轴方向上移动的方式被保持于z轴驱动部7的侧面。
[0034]
并且，基板调温部8载置于壳体9上，作为驱动部的x轴驱动部4、y轴驱动部5、θ轴驱动部6及z轴驱动部7配置于壳体9内。
[0035]
此外，基板保持部3载置于基板调温部8上，并且θ轴驱动部6的轴部6a以前端部与基板保持部3的底面抵接的方式穿通基板调温部8的贯通孔并延伸。
[0036]
并且，在对基板1进行位置对准时，基板1载置于基板保持部3上。
[0037]
即，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，基板1与基板调温部8不直接接触。
[0038]
换言之，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，基板调温部8在同与基板保持部3的基板保持面(第一面)不同的、基板保持部3的第二面接触的状态下对基板1进行调温。
[0039]
另外，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，θ轴驱动部6的轴部6a的直径与基板调温部8的贯通孔的直径大致相同，即θ轴驱动部6的轴部6a与基板调温部8也抵接。
[0040]
作为检测部2，能够使用例如能够通过获取图像信号来测量基板1的位置的ccd(charge coupled device：电荷耦合器件)。
[0041]
并且如图1c所示，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，在基板1的周围相互隔开120度间隔地配置三个检测部2。
[0042]
由此，能够同时测量基板1的外周以及基准点(在基板1是晶圆的情况下，为切槽或定向平面)，能够提高测量精度并且减少测量时间。
[0043]
另外，检测部2不限于三个，优选在基板1的外周部配置多个检测部2而成的结构。
[0044]
此外，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，采用ccd来作为检测部2，但不限于此，作为能够测量基板1的位置的构造，也可以使用能够拍摄基板1整体的照相机等，测量基板1上的既定的标记。
[0045]
或者，也可以是，在基板1的边缘部的多个部位处，配置光学式的位置传感器来替代ccd，由此同时测量基板1的边缘部的多个部位的位置。
[0046]
基板保持部3具备在对基板1进行位置对准时用于保持基板1的构造，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，采用能够以简单的构造来提高基板保持部3与基板1之间的贴合性的真空吸附方式。
[0047]
另外，基板保持部3所采用的基板保持方法不限于此，也可以采用静电吸附方式、机械性地保持基板1的边缘部的方法。
[0048]
此外，作为基板保持部3的材质，能够采用热传导性优异并且比刚度高的、例如sic等陶瓷。
[0049]
但不限于此，作为基板保持部3的材质，也能够采用其它热传导性优异的金属，或者也可以对基板保持部3整体镀上用于提高热传导性的材料(例如、金刚石涂层等)。
[0050]
此外，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，为了简化构造并兼顾定位功能与调温功能，优选为使用上述那样的陶瓷。
[0051]
x轴驱动部4、y轴驱动部5、θ轴驱动部6以及z轴驱动部7分别基于检测部2检测出的基板1的位置信息，来使载置有基板1的基板保持部3在x轴方向、y轴方向、θ轴方向以及z轴方向上移动。
[0052]
这样，通过对四个轴向分别设置独立的驱动部，能够正确且迅速地对基板1进行位置控制。
[0053]
基板调温部8具备能够将基板1调整为既定温度的机构，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，使既定温度的水、防冻液等流体流入基板调温部8。
[0054]
由此，能够一边监视设置于基板调温部8的未图示的温度测量部，一边通过与基板保持部3的热接触来将基板1调温为既定温度。即，基板调温部8能够在同与基板保持部3的基板保持面相反的底面接触的状态下，将基板1调温为既定温度。此外，基板调温部8接触的面不仅限于与基板保持面相反的底面。例如，也可以是基板保持部3的侧面，如果是基板保持部3的与基板保持面不同的面(第二面)即可。
[0055]
此外，调节基板1的温度的方法不限于使流体流入基板调温部8的方法，也可以通过对基板调温部8设置珀尔帖元件等热电元件并且进行电动作，来调节基板1的温度。
[0056]
此外，优选配置为，基板调温部8以足够大的面积来与基板保持部3接触。
[0057]
此外，更优选为，基板调温部8以比要进行调温的基板1大的面积来与基板保持部3
接触。
[0058]
因此，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，以使基板调温部8与载置有基板1的基板保持部3的底面接触的方式配置基板调温部8，其接触面积与基板保持部3的底面积大致相同，并且比基板1的面积大。
[0059]
由此，能够由基板调温部8对底面整体接触于基板保持部3的基板1进行均匀地调温，能够抑制基板1的调温不均匀。
[0060]
此外，基板保持部3与基板调温部8之间的接触会对于基板1的调温性能造成大的影响。
[0061]
因此，优选为，使基板保持部3与基板调温部8相互物理地连结，使两者的界面的摩擦系数尽可能小，使两者相互真空吸附等，由此使有效接触面积尽可能大。
[0062]
此外，基板调温部8的对于基板保持部3的接触部、即基板调温部8的上表面的材质优选例如以铜为代表的金属、热传导性高的陶瓷(例如sic)等热传导率高的材料。
[0063]
然后，对本实施方式涉及的位置对准装置60的动作进行说明。
[0064]
首先，如图1a所示，当基板1被搬入到位置对准装置60时，基板1载置于基板保持部3上。
[0065]
并且当基板1载置于基板保持部3上时，首先使z轴驱动部7驱动由此使θ轴驱动部6上升。
[0066]
由此，如图1b所示，基板保持部3及其载置的基板1上升，基板保持部3从基板调温部8离开。
[0067]
并且，以使在基板1形成的切槽1a位于既定的检测部2的探测范围内的既定位置的方式对θ轴驱动部6进行驱动，由此使基板保持部3及其载置的基板1在绕z轴的旋转方向、即θ轴方向旋转。之后，剩余的两个检测部2检测基板1的边缘(缘部)。
[0068]
这样，基于三个检测部2检测到的基板1的各位置，确定配置在位置对准装置60上时的基板1在x轴、y轴及θ轴上的位置。
[0069]
然后，基于上述那样确定的位置，如以下那样对基板1进行位置对准。
[0070]
首先，为了对基板1进行θ轴上的位置对准，基于如上述那样确定的基板1在θ轴上的位置，以使基板1移动到θ轴上的既定位置的方式，来使θ轴驱动部6驱动。
[0071]
由此，使基板保持部3及其载置的基板1在θ轴方向旋转。
[0072]
之后，以使θ轴驱动部6下降的方式来使z轴驱动部7驱动，由此如图1a所示，基板保持部3及其载置的基板1下降，基板保持部3与基板调温部8相互接触。
[0073]
并且，为了对基板1进行x轴及y轴上的位置对准，基于如上述那样确定的基板1在x轴及y轴上的位置，以使基板1移动到x轴及y轴各自上的既定位置的方式，来使x轴驱动部4及y轴驱动部5驱动。
[0074]
由此，z轴驱动部7及其保持的θ轴驱动部6在x轴方向及y轴方向分别移动，基板调温部8、基板保持部3以及基板1在x轴方向及y轴方向分别移动。
[0075]
另外，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，如上述那样在对基板1进行x轴及y轴上的位置对准时，使基板保持部3与基板调温部8接触，由此能够通过与基板保持部3的热接触来由基板调温部8将基板1调温为既定温度。
[0076]
此外，当如上述那样对基板1进行x轴及y轴上的位置对准时，基板1有可能在θ轴方
向仅微小量地移动。
[0077]
因此，在基板1的位置对准中要求更高的精度的情况下，再次使z轴驱动部7驱动由此使基板保持部3及被载置的基板1上升之后，对基板1进行θ轴上的位置对准。
[0078]
另外，此时，θ轴方向的移动为微小量，因此也可以是，不使z轴驱动部7驱动，而使基板保持部3与基板调温部8相互继续保持接触，对基板1进行θ轴上的位置对准。
[0079]
此外，在进行θ轴上的位置对准的情况下，基板保持部3从基板调温部8离开，因此基板保持部3与基板调温部8之间的热接触减弱。
[0080]
然而，通过使相互之间的间隙充分减小，能够利用邻近效应来充分抑制基板1的调温效果下降。
[0081]
如以上那样，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，z轴驱动部7使基板保持部3在与基板保持部3的基板保持面垂直的z轴方向移动，使得基板保持部3成为不载置于基板调温部8上的状态(第二状态)。
[0082]
然后，在基板保持部3不载置于基板调温部8上的状态下，θ轴驱动部6使基板保持部3绕z轴方向旋转。
[0083]
之后，z轴驱动部7使基板保持部3在z轴方向移动，使得基板保持部3成为载置于基板调温部8上的状态(第一状态)。
[0084]
并且，在基板保持部3载置于基板调温部8上的状态下，x轴驱动部4以及y轴驱动部5分别使基板保持部3以及基板调温部8在与基板保持部3的基板保持面平行的x轴方向以及y轴方向移动。
[0085]
另外，在由未图示的搬送装置将基板1搬送向本实施方式涉及的位置对准装置60的情况下，在搬送装置保持基板1的上表面的情况下，上述结构是足够的。
[0086]
然而，在搬送装置保持基板1的下表面的情况下，为了支持搬送，需要对基板调温部8另外设置销等。
[0087]
此外，由在本实施方式涉及的位置对准装置60设置的、未图示的控制部进行的位置对准动作中对基板1在x轴、y轴及θ轴上的当前位置的测量以及用于向既定位置的移动的各驱动部的驱动定时、顺序不限于上述结构。
[0088]
如以上那样，在本实施方式涉及的位置对准装置60中，基板1与基板调温部8相互不直接接触，基板调温部8同基板保持部3的与基板保持面不同的面接触，经由基板保持部3来进行基板调温部8对基板1的调温。
[0089]
并且，在由θ轴驱动部6对基板1进行θ轴上的位置对准时，基板保持部3与基板调温部8相互分离，基板调温部8不旋转，基板保持部3及其载置的基板1旋转。
[0090]
由此，能够减少θ轴驱动部6上的旋转体(即基板保持部3及其载置的基板1)的重量，增加旋转体的旋转速度，由此能够提高生产率。
[0091]
此外，通过减少θ轴驱动部6上的旋转体的重量，能够减少对各驱动部的负荷。
[0092]
此外，在对基板1进行θ轴上的位置对准时使基板调温部8不旋转，由此能够以简单的结构来设置连接于基板调温部8的调温用管、控制线等配线8a。
[0093]
[第二实施方式]
[0094]
图2示出了第二实施方式涉及的位置对准装置70的示意性的剖视图。
[0095]
另外，除基板保持部3的结构不同之外，本实施方式涉及的位置对准装置70与第一
实施方式涉及的位置对准装置60结构相同，因此对相同的部件赋予相同的附图标记，并省略说明。
[0096]
如图2所示，在本实施方式涉及的位置对准装置70设置的基板保持部3由第一基板保持部3a以及第二基板保持部3b构成。
[0097]
并且，以使轴部6a的前端部与第一基板保持部3a的底面抵接的方式，θ轴驱动部6的轴部6a穿通基板调温部8的贯通孔并延伸。
[0098]
即，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，位于基板保持部3的中心部位置的第一基板保持部3a被分割成能够在z轴方向移动。
[0099]
并且，通过使z轴驱动部7驱动来使θ轴驱动部6上升，如图2所示，第一基板保持部3a以及所载置的基板1上升，第一基板保持部3a从基板调温部8离开。
[0100]
这样，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，在对基板1进行θ轴上的位置对准时，伴着θ轴驱动部6的上升，第一基板保持部3a以及所载置的基板1也上升。
[0101]
由此，与第一实施方式涉及的位置对准装置60相比，进一步减少θ轴驱动部6上的旋转体(第一基板保持部3a及被载置的基板1)的重量，由此能够增加旋转体的旋转速度，进一步提高生产率。
[0102]
此外，通过进一步减少θ轴驱动部6上的旋转体的重量，能够进一步减少对各驱动部的负荷。
[0103]
此外，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，通过使z轴驱动部7驱动，能够经由θ轴驱动部6使第一基板保持部3a在z轴方向移动。
[0104]
由此，在将搬送到位置对准装置70的基板1载置于基板保持部3上时，能够由第一基板保持部3a承接基板1，不另外设置用于承接基板1的销等，能够削减成本。
[0105]
此外，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，在对基板1进行x轴、y轴及θ轴的位置对准中，第二基板保持部3b继续保持与基板调温部8接触。
[0106]
因此，与第一实施方式涉及的位置对准装置60相比，能够使基板1的调温性能更加良好。
[0107]
如以上那样，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，基板保持部3被分割为多个基板保持部、即第一基板保持部3a以及第二基板保持部3b。
[0108]
并且，z轴驱动部7使第一基板保持部3a在z轴方向移动，使得成为如下状态(第四状态)：基板1载置于多个基板保持部中的部分基板保持部、即第一基板保持部3a上，并且第一基板保持部3a不载置于基板调温部8上。
[0109]
然后，在基板1载置于第一基板保持部3a上并且第一基板保持部3a不载置于基板调温部8上的状态下，θ轴驱动部6使第一基板保持部3a绕z轴方向旋转。
[0110]
之后，z轴驱动部7使第一基板保持部3a在z轴方向移动，使得成为如下状态(第三状态)：该状态为基板1载置于第一基板保持部3a以及第二基板保持部3b上，并且第一基板保持部3a以及第二基板保持部3b载置于基板调温部8上。
[0111]
并且，在那样的第三状态下，x轴驱动部4以及y轴驱动部5分别使基板保持部3以及基板调温部8在x轴方向以及y轴方向移动。
[0112]
另外，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，基板保持部3被分割成的数量、分割后的部分的形状不限于上述情况。
[0113]
此外，第一基板保持部3a以及第二基板保持部3b不需要为相互相同的材质，也可以由相互不同的材质形成。
[0114]
例如，旋转的第一基板保持部3a能够由轻量的陶瓷形成，另一方面不旋转的第二基板保持部3b能够由热传导性高的铜形成。
[0115]
此外，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，在对基板1进行x轴、y轴及θ轴的位置对准中，可以是在z轴方向不移动的第二基板保持部3b与基板调温部8为彼此一体的构造。
[0116]
此外，在基板保持部3中使用真空吸附方式来保持基板1时，第一基板保持部3a以及第二基板保持部3b的真空源不需要相互相同。
[0117]
即，可以通过设置相互不同的真空源来分别独立地控制第一基板保持部3a以及第二基板保持部3b对基板1的保持。
[0118]
如以上那样，在本实施方式涉及的位置对准装置70中，基板1与基板调温部8相互不直接接触，基板调温部8同基板保持部3的与基板保持面不同的面接触，由此经由基板保持部3进行基板调温部8对基板1的调温。
[0119]
并且，在由θ轴驱动部6对基板1进行θ轴上的位置对准时，基板调温部8及第二基板保持部3b不旋转，第一基板保持部3a及其载置的基板1旋转。
[0120]
由此，能够进一步减少θ轴驱动部6上的旋转体(即，第一基板保持部3a及其载置的基板1)的重量，增加旋转体的旋转速度，由此能够进一步提高生产率。
[0121]
此外，进一步减少θ轴驱动部6上的旋转体的重量，由此能够进一步减少对各驱动部的负荷。
[0122]
此外，在对基板1进行θ轴上的位置对准时，使基板调温部8不旋转，由此能够以简单的构造来设置连接于基板调温部8的调温用管、控制线等配线8a。
[0123]
此外，在将搬送到位置对准装置70的基板1载置于基板保持部3上时，能够由第一基板保持部3a来承接基板1，不需要另外设置用于承接基板1的销等，能够削减成本。
[0124]
此外，在对基板1进行x轴、y轴及θ轴上的位置对准中，第二基板保持部3b继续保持与基板调温部8接触，因此能够使基板1的调温性能更加良好。
[0125]
[第三实施方式]
[0126]
图3a示出了第三实施方式涉及的位置对准装置80的示意性的剖视图。此外，图3b示出了第三实施方式的变形例涉及的位置对准装置80的示意性的剖视图。
[0127]
另外，除基板保持部3的结构不同之外，本实施方式涉及的位置对准装置80与第一实施方式涉及的位置对准装置60结构相同，因此对相同部件赋予相同的附图标记，并省略说明。
[0128]
如图3a所示，设置在本实施方式涉及的位置对准装置80的基板保持部3由第一基板保持部3a和第二基板保持部3b构成。
[0129]
并且，以使轴部6a的前端部与第一基板保持部3a的底面抵接的方式，θ轴驱动部6的轴部6a穿通基板调温部8的贯通孔并延伸。
[0130]
即，在本实施方式涉及的位置对准装置80中，定位于基板保持部3的中心部的第一基板保持部3a被分割成能够在z轴方向移动。
[0131]
并且，当使z轴驱动部7驱动由此来使θ轴驱动部6上升时，第一基板保持部3a及所
载置的基板1上升，第一基板保持部3a从基板调温部8离开。
[0132]
此外，在本实施方式涉及的位置对准装置80中，如图3a所示，第一基板保持部3a的厚度(z轴方向的大小)大于第二基板保持部3b的厚度。
[0133]
换言之，在本实施方式涉及的位置对准装置80中，多个基板保持部中的部分基板保持部即第一基板保持部3a的厚度与其余的基板保持部即第二基板保持部3b的厚度不同。
[0134]
由此，在基板1为图3a所示的凸形、即越向外侧则越向下方偏移的情况下，第一基板保持部3a及第二基板保持部3b能够分别良好地保持基板1。
[0135]
因此，在本实施方式涉及的位置对准装置80中，能够对凸形的基板1进行良好的调温。
[0136]
另外，使第一基板保持部3a与第二基板保持部3b的厚度相互相同，采用在对凸形的基板1进行位置对准时使第一基板保持部3a上升的结构，由此能够对凸形及平坦形的各种基板1进行位置对准。
[0137]
此时，考虑到基板1的保持、调温的程度来确定在对凸形的基板1进行位置对准时的第一基板保持部3a的上升位置即可。
[0138]
此外，在这样的结构中，在为了对凸形的基板1进行位置对准而使第一基板保持部3a上升时，第一基板保持部3a从基板调温部8离开，因此减少了第一基板保持部3a与基板调温部8之间的热接触。
[0139]
然而，第一基板保持部3a与第二基板保持部3b依然相互热接触。因此，第一基板保持部3a与第二基板保持部3b在径向上的邻近由此能够维持第一基板保持部3a的调温性能。
[0140]
另一方面，在基板1为凹形、即越向外侧则越向上方偏移的情况下，如图3b所示，将第一基板保持部3a的厚度设计为小于第二基板保持部3b即可。
[0141]
此外，在图3b所示的本实施方式的变形例涉及的位置对准装置80中，根据期望来使第一基板保持部3a上下移动，由此能够将平坦形、凸形及凹形中的任意的基板1良好地保持。
[0142]
另外，在本实施方式涉及的位置对准装置80中，基板保持部3被分割成的数量、分割后的部分的形状不限于上述情况。
[0143]
此外，第一基板保持部3a及第二基板保持部3b相对于基板1的接触面、即上表面不需要分别为平面形状，可以根据期望分别设计为曲面形状。
[0144]
如以上那样，在本实施方式涉及的位置对准装置80中，基板1与基板调温部8相互不直接接触，基板调温部8同基板保持部3的与基板保持面不同的面接触，由此经由基板保持部3进行基板调温部8对基板1的调温。
[0145]
并且，在由θ轴驱动部6对基板1进行θ轴上的位置对准时，基板调温部8以及第二基板保持部3b不旋转，第一基板保持部3a及其载置的基板1旋转。
[0146]
由此，能够进一步减少θ轴驱动部6上的旋转体的重量，增加旋转体的旋转速度，由此能够进一步提高生产率。
[0147]
此外，通过进一步减少θ轴驱动部6上的旋转体的重量，还能够进一步减少对各驱动部的负荷。
[0148]
此外，在对基板1进行θ轴上的位置对准时，使基板调温部8不旋转，由此能够以简单的结构设置连接于基板调温部8的调温用管、控制线等配线8a。
[0149]
此外，调整第一基板保持部3a相对于第二基板保持部3b的厚度，由此能够不限于平坦形，还能够对凸形、凹形的基板1良好地进行保持和调温。
[0150]
[第四实施方式]
[0151]
图4示出了第四实施方式涉及的位置对准装置90的示意性的剖视图。
[0152]
另外，除基板保持部3的结构不同之外，本实施方式涉及的位置对准装置90与第一实施方式涉及的位置对准装置60结构相同，因此对相同的部件赋予相同的附图标记，并省略说明。
[0153]
如图4所示，在本实施方式涉及的位置对准装置90中，在基板保持部3内设置有温度测量部10。
[0154]
由此，通过温度测量部10进行的温度测量来使基板1的调温控制最优化，由此能够提高基板1的调温中的生产率。
[0155]
在本实施方式这样的位置对准装置中，一般而言对基板1进行位置对准的时间比对基板1进行调温的时间长。
[0156]
然而，当通过对位置对准构造的构成进行改良来使位置对准时间缩短得比调温时间短时，如果不缩短调温时间则无法提高生产率。
[0157]
在这样的情况下，使用本实施方式涉及的位置对准装置90那样的结构能够使基板1的调温最优化，因此能够提高生产率。
[0158]
此外，在市场等的期望中，在要求更高精度的调温性能的情况下，也可以基于温度测量部10的测量结果来调整位置对准时间。
[0159]
另外，作为温度测量部10，例如能够使用电阻温度检测器、热敏电阻等温度计，优选设置在基板1的附近等能够测量代表性的温度的部位。
[0160]
如以上那样，在本实施方式涉及的位置对准装置90中，基板1与基板调温部8相互不直接接触，基板调温部8同基板保持部3的与基板保持面不同的面接触，由此经由基板保持部3进行基板调温部8对基板1的调温。
[0161]
并且，在由θ轴驱动部6对基板1进行θ轴上的位置对准时，基板调温部8不旋转，基板保持部3及其载置的基板1旋转。
[0162]
由此，能够减少θ轴驱动部6上的旋转体(即基板保持部3及其载置的基板1)的重量，增加旋转体的旋转速度，由此能够提高生产率。
[0163]
此外，通过减少θ轴驱动部6上的旋转体的重量，还能够减少对各驱动部的负荷。
[0164]
此外，在对基板1进行θ轴上的位置对准时使基板调温部8不旋转，由此能够以简单的构造来设置连接于基板调温部8的调温用管、控制线等配线8a。
[0165]
此外，基板1的底面整体与基板保持部3接触，因而能够由基板调温部8对基板1进行均匀地调温。
[0166]
此外，通过在基板保持部3内设置温度测量部10，能够提高基板1的调温中的生产率。
[0167]
以上，对优选实施方式进行了说明，但不限于这些实施方式，可以在其主旨的范围内进行各种变形及变更。
[0168]
根据本发明，能够提供如下的位置对准装置，其能够减少驱动中的负荷，并且能够以简单的构造对基板进行调温。
[0169]
[曝光装置]
[0170]
图5示出了具备第一至第四实施方式中的任意实施方式涉及的位置对准装置95的曝光装置50的示意图。
[0171]
如图5所示，曝光装置50具备：光源51；以及照明光学系统52，其将从光源51射出的曝光光引导至载置在未图示的原版台上的原版53。
[0172]
此外，曝光装置50具备投影光学系统54，该投影光学系统54将通过了原版53的曝光光引导至载置在晶圆台20上的基板1。
[0173]
此外，曝光装置50具备位置对准装置95，该位置对准装置95对基板1进行位置对准，将位置对准了的基板1交接至晶圆台20。
[0174]
另外，位置对准装置95例如配置在用于承接搬入到曝光装置50内的基板1的、未图示的交接站。
[0175]
根据上述结构，曝光装置50中，由位置对准装置95对基板1进行位置对准(预对准)，之后，由晶圆台20对曝光时的基板1进行定位。并且，对基板1进行曝光，将形成(绘制)于原版53的图案转印到基板1上。
[0176]
另外，本实施方式涉及的位置对准装置95不限于用于包括曝光装置50的光刻装置，也能够用于光学压印装置、电子束刻绘装置等在基板上形成图案的图案形成装置中的基板的位置对准。
[0177]
此外，也能够将位置对准装置95的结构设置于晶圆台20，来进行本实施方式涉及的基板1的位置对准。
[0178]
[物品的制造方法]
[0179]
然后，对使用具备第一至第四实施方式中的任意实施方式涉及的位置对准装置的曝光装置的物品的制造方法进行说明。
[0180]
在此，作为制造出的物品，例如包括半导体ic元件、液晶显示元件、mems等。
[0181]
本实施方式涉及的物品的制造方法包括使用具备第一至第四实施方式中的任意实施方式涉及的位置对准装置的曝光装置，对涂敷有光敏剂的晶圆、玻璃基板等基板进行曝光的工序。
[0182]
此外，本实施方式涉及的物品的制造方法包括对曝光后的基板(光敏剂)进行显影的工序、通过其它公知的工序对显影了的基板进行加工和处理的工序。
[0183]
另外，作为其它公知的工序，可以列举出蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、键合、封装等。
[0184]
根据本实施方式涉及的物品的制造方法，能够制造与以往相比高品质的物品。