相位移掩模版、掩模版修补方法及设备与流程

技术特征：
1.一种掩模版修补方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标相移掩模版，其中所述目标相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层，所述遮光层在所述目标相移掩模版的掩模图案区域内存在有遮光材料残留物，所述相移层包括与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域；对位于所述目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将所述遮光材料残留物构建为目标光栅结构，使所述第一相移区域的靠近所述目标光栅结构的区域表面相对于所述目标光栅结构部分暴露。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：获取待校验相移掩模版，其中所述待校验相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层；检测所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料；在检测到所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料的情况下，直接将所述待校验相移掩模版作为所述目标相移掩模版。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述检测所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料的步骤，包括：获取所述待校验相移掩模版的真实曝光图形以及仿真曝光图形；确定所述真实曝光图形与所述仿真曝光图形之间的图形线宽差异数值；将所述图形线宽差异数值与预设线宽差异阈值进行比较，并在所述图形线宽差异数值大于所述预设线宽差异阈值的情况下，判定所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料。4.根据权利要求1
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3中任意一项所述的方法，其特征在于，构建出的所述目标光栅结构中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述目标相移掩模版所需的光刻光源波长相等。5.一种掩模版修补设备，其特征在于，所述设备包括：掩模版获取模块，用于获取目标相移掩模版，其中所述目标相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层，所述遮光层在所述目标相移掩模版的掩模图案区域内存在有遮光材料残留物，所述相移层包括与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域；残留物去除模块，用于对位于所述目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将所述遮光材料残留物构建为目标光栅结构，使所述第一相移区域的靠近所述目标光栅结构的区域表面相对于所述目标光栅结构部分暴露。6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述设备还包括残留物检测模块及掩模版评判模块；所述掩模版获取模块，还用于获取待校验相移掩模版，其中所述待校验相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层；所述残留物检测模块，用于检测所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料；所述掩模版评判模块，用于在检测到所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料的情况下，直接将所述待校验相移掩模版作为所述目标相移掩模版。7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述残留物检测模块包括：
曝光图形获取子模块，用于获取所述待校验相移掩模版的真实曝光图形以及仿真曝光图形；图形差异确定子模块，用于确定所述真实曝光图形与所述仿真曝光图形之间的图形线宽差异数值；遮光残留评判子模块，用于将所述图形线宽差异数值与预设线宽差异阈值进行比较，并在所述图形线宽差异数值大于所述预设线宽差异阈值的情况下，判定所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料。8.根据权利要求5
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7中任意一项所述的设备，其特征在于，构建出的所述目标光栅结构中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述目标相移掩模版所需的光刻光源波长相等。9.一种相位移掩模版，其特征在于，所述相位移掩模版包括透明基板以及层叠设置在所述透明基板上的相移层和遮光层，其中所述遮光层与所述相移层上开设有用于表示掩模图案的图案沟槽以形成所述相位移掩模版的掩模图案区域；所述遮光层在所述掩模图案区域内形成有由遮光材料残留物局部去除得到的目标光栅结构，其中所述目标光栅结构中相邻两个栅条相互间隔，以对所述相移层在所述掩模图案区域内的与所述目标光栅结构对应的区域表面进行部分暴露。10.根据权利要求9所述的相位移掩模版，其特征在于，所述目标光栅结构中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述相位移掩模版所需的光刻光源波长相等。

技术总结
本申请提供一种相位移掩模版、掩模版修补方法及设备，涉及半导体制程技术领域。本申请在获取到对应掩模图案区域内存在遮光材料残留物的目标相移掩模版后，会针对该目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将遮光材料残留物构建为目标光栅结构，此时对目标相移掩模版中与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域来说，该第一相移区域的靠近目标光栅结构的区域表面将相对于目标光栅结构部分暴露，使目标相移掩模版中的第一相移区域能够恢复相位移效应及相消干涉功能，从而快速且有效地实现对具有遮光材料残留物的相移掩模版的修补作业，确保修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果。相移掩模版能够达到预期曝光效果。相移掩模版能够达到预期曝光效果。


技术研发人员：张哲玮 高翌 朱佳楠
受保护的技术使用者：泉意光罩光电科技（济南）有限公司
技术研发日：2021.07.28
技术公布日：2021/10/8