相位移掩模版、掩模版修补方法及设备与流程

1.本技术涉及半导体制程技术领域，具体而言，涉及一种相位移掩模版、掩模版修补方法及设备。


背景技术：

2.随着科学技术的不断发展，为满足各行业对半导体器件的不同需求，需要保证半导体制程工艺具有更高的光刻分辨率，由此各种光刻分辨率增强技术便应运而生。其中，相移掩模(phase shift mask，psm)技术便是一种常用的光刻分辨率增强技术，其能够通过使掩模版上掩膜图案的相邻透光区域的光束产生180度相位差，确保硅片表面上相邻图形之间因相消干涉而造成暗区光强减弱，从而提高观测对比度及光刻分辨率。
3.目前，常规的相移掩模版通常需要在透明基板上形成相移层，在相移层上形成遮光层，而后通过使用光刻胶对遮光层及相移层进行蚀刻来形成最终的掩模图案。而在相移掩模版制备过程中，往往会因工艺流程差异等因素在相移掩模版的掩模图案区域内残留有较多遮光材料，导致相移掩模版在实际使用时形成的曝光图形无法达到预期效果。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术的目的在于提供一种相位移掩模版、掩模版修补方法及设备，能够快速且有效地对具有遮光材料残留物的相移掩模版进行修补作业，使修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果。
5.为了实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：
6.第一方面，本技术提供一种掩模版修补方法，所述方法包括：
7.获取目标相移掩模版，其中所述目标相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层，所述遮光层在所述目标相移掩模版的掩模图案区域内存在有遮光材料残留物，所述相移层包括与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域；
8.对位于所述目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将所述遮光材料残留物构建为目标光栅结构，使所述第一相移区域的靠近所述目标光栅结构的区域表面相对于所述目标光栅结构部分暴露。
9.在可选的实施方式中，所述方法还包括：
10.获取待校验相移掩模版，其中所述待校验相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层；
11.检测所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料；
12.在检测到所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料的情况下，直接将所述待校验相移掩模版作为所述目标相移掩模版。
13.在可选的实施方式中，所述检测所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料的步骤，包括：
14.获取所述待校验相移掩模版的真实曝光图形以及仿真曝光图形；
15.确定所述真实曝光图形与所述仿真曝光图形之间的图形线宽差异数值；
16.将所述图形线宽差异数值与预设线宽差异阈值进行比较，并在所述图形线宽差异数值大于所述预设线宽差异阈值的情况下，判定所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料。
17.在可选的实施方式中，构建出的所述目标光栅结构中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述目标相移掩模版所需的光刻光源波长相等。
18.第二方面，本技术提供一种掩模版修补设备，所述设备包括：
19.掩模版获取模块，用于获取目标相移掩模版，其中所述目标相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层，所述遮光层在所述目标相移掩模版的掩模图案区域内存在有遮光材料残留物，所述相移层包括与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域；
20.残留物去除模块，用于对位于所述目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将所述遮光材料残留物构建为目标光栅结构，使所述第一相移区域的靠近所述目标光栅结构的区域表面相对于所述目标光栅结构部分暴露。
21.在可选的实施方式中，所述设备还包括残留物检测模块及掩模版评判模块；
22.所述掩模版获取模块，还用于获取待校验相移掩模版，其中所述待校验相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层；
23.所述残留物检测模块，用于检测所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料；
24.所述掩模版评判模块，用于在检测到所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料的情况下，直接将所述待校验相移掩模版作为所述目标相移掩模版。
25.在可选的实施方式中，所述残留物检测模块包括：
26.曝光图形获取子模块，用于获取所述待校验相移掩模版的真实曝光图形以及仿真曝光图形；
27.图形差异确定子模块，用于确定所述真实曝光图形与所述仿真曝光图形之间的图形线宽差异数值；
28.遮光残留评判子模块，用于将所述图形线宽差异数值与预设线宽差异阈值进行比较，并在所述图形线宽差异数值大于所述预设线宽差异阈值的情况下，判定所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料。
29.在可选的实施方式中，构建出的所述目标光栅结构中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述目标相移掩模版所需的光刻光源波长相等。
30.第三方面，本技术提供一种相位移掩模版，所述相位移掩模版包括透明基板以及层叠设置在所述透明基板上的相移层和遮光层，其中所述遮光层与所述相移层上开设有用于表示掩模图案的图案沟槽以形成所述相位移掩模版的掩模图案区域；
31.所述遮光层在所述掩模图案区域内形成有由遮光材料残留物局部去除得到的目标光栅结构，其中所述目标光栅结构中相邻两个栅条相互间隔，以对所述相移层在所述掩模图案区域内的与所述目标光栅结构对应的区域表面进行部分暴露。
32.在可选的实施方式中，所述目标光栅结构中相邻两个栅条之间的距离，与使用所
述相位移掩模版所需的光刻光源波长相等。
33.在此情况下，本技术实施例的有益效果包括以下内容：
34.本技术在获取到对应掩模图案区域内存在遮光材料残留物的目标相移掩模版后，会针对该目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将遮光材料残留物构建为目标光栅结构，此时对目标相移掩模版中与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域来说，该第一相移区域的靠近目标光栅结构的区域表面将相对于目标光栅结构部分暴露，使目标相移掩模版中的第一相移区域能够恢复相位移效应及相消干涉功能，从而快速且有效地实现对具有遮光材料残留物的相移掩模版的修补作业，确保修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果。
35.为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
36.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
37.图1为本技术实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之一；
38.图2为图1中的步骤s210所对应的目标相移掩模版的结构示意图；
39.图3为图2中的步骤s220所对应的掩模版结构的结构示意图；
40.图4为本技术实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之二；
41.图5为图4中的步骤s240包括的子步骤的流程示意图；
42.图6为本技术实施例提供的掩模版修补设备的组成示意图之一；
43.图7为本技术实施例提供的掩模版修补设备的组成示意图之二；
44.图8为图7中的残留物检测模块的组成示意图；
45.图9为本技术实施例提供的相位移掩模版的结构示意图。
46.图标：100
‑
目标相移掩模版；110
‑
透明基板；120
‑
相移层；130
‑
遮光层；200
‑
掩模图案区域；131
‑
遮光材料残留物；121
‑
第一相移区域；132
‑
目标光栅结构；10
‑
相位移掩模版；141
‑
图案沟槽；300
‑
掩模版修补设备；310
‑
掩模版获取模块；320
‑
残留物去除模块；330
‑
残留物检测模块；340
‑
掩模版评判模块；331
‑
曝光图形获取子模块；332
‑
图形差异确定子模块；333
‑
遮光残留评判子模块。
具体实施方式
47.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
48.因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通
技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
49.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
50.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
51.申请人通过辛苦调研发现，为使对应掩模图案区域内残留有的较多遮光材料(例如，铬金属、二氧化铁、铬钼化合物中的任意一种)的相移掩模版的曝光性能达到预期，通常需要针对该相移掩模版执行二次曝光流程以对该掩模图案区域内残留的遮光材料进行全部去除来实现，即需要重新旋涂光刻胶、激光曝光机曝光、显影、蚀刻、去光刻胶清洗，才能完成对残留遮光材料的整体移除作业。因此，这种相移掩模版的曝光性能调整操作存在整体实现流程耗时较长的问题，容易导致相移掩模版的出货延迟，并且会占用各种半导体制备机台(例如，曝光机、光刻胶涂布机、显影机、蚀刻机及清洗机等)的作业资源，无法快速且有效地完成对相应相移掩模版的遮光材料残留物清理作业。
52.在此情况下，为快速且有效地对具有遮光材料残留物的相移掩模版进行修补作业，使修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果，本技术实施例通过提供一种相位移掩模版、掩模版修补方法及设备实现前述功能。
53.下面结合附图，对本技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
54.请参照图1，图1是本技术实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之一。在本技术实施例中，图1所示的掩模版修补方法能够通过对相移掩模版上的位于掩模图案区域内的遮光材料残留物进行修补的方式，快速地使对应相移掩模版在实际使用时所形成的曝光图形达到预期效果。在此过程中，图1所示的掩模版修补方法可以包括步骤s210及步骤s220。
55.步骤s210，获取目标相移掩模版，其中目标相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层，遮光层在目标相移掩模版的掩模图案区域内存在有遮光材料残留物，相移层包括与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域。
56.在本实施例中，所述目标相移掩模版100用于表示存在有遮光材料残留物131的对应曝光效果无法达到预期的相移掩模版。所述目标相移掩模版100可以包括相互层叠设置的遮光层130及相移层120，其中所述相移层120位于所述遮光层130的一侧，所述遮光层130上可相应地蚀刻出代表掩模图案区域200的有效范围的沟槽结构，而后针对在蚀刻出的该沟槽结构下暴露出的相移层120表面，相应地蚀刻出用于表示对应掩模图案的沟槽，从而在该目标相移掩模版100上形成对应的掩模图案区域200，而在蚀刻形成所述掩模图案区域
200的过程中，往往会在掩模图案区域200内的相移层120上因遮光层130材料残留形成有遮光材料残留物131，此时所述相移层120在与所述遮光材料残留物131投影位置重叠的第一相移区域121处的区域表面将会因该遮光材料残留物131的整体覆盖，无法正常地暴露，导致所述掩模图案区域200范围内的相移层120无法相应地产生相位移效应及相消干涉现象，使当前目标相移掩模版100无法达到预期曝光效果。在本实施例的一种实施方式中，所述遮光层130采用铬金属材料制备形成，所述遮光材料残留物131的材质也为铬金属材料，所述相移层120采用硅化钼材料制备形成。
57.可选地，请参照图2，图2是图1中的步骤s210所对应的目标相移掩模版100的结构示意图。在本实施例的一种实施方式中，所述目标相移掩模版100包括透明基板110以及层叠设置在所述透明基板110上的相移层120及遮光层130，所述遮光层130与所述相移层120上通过蚀刻形成有表征掩模图案的掩模图案区域200，所述遮光层130在该掩模图案区域200内形成有影响曝光效果的遮光材料残留物131。
58.步骤s220，对位于目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将遮光材料残留物构建为目标光栅结构，使第一相移区域的靠近目标光栅结构的区域表面相对于目标光栅结构部分暴露。
59.在本实施例中，可采用掩模版修补机台通过修补的方式，按照该目标相移掩模版100使用时的光刻光源波长，对该目标相移掩模版100的掩模图案区域200内的遮光材料残留物131进行局部去除，使该遮光材料残留物131被处理形成目标光栅结构132，以便于该第一相移区域121的靠近目标光栅结构132的区域表面能够经该目标光栅结构132包括的相邻栅条之间的间隙部分暴露，使该相移层120能在前述光刻光源波长作用下恢复相位移效应及相消干涉功能，同时也可因光学绕射效应使位于所述遮光材料残留物131下的第一相移区域121即使在所述掩模版修补机台作用下产生些许伤害，仍不会导致修补后的所述目标相移掩模版100的透光度变高，使修补后的所述目标相移掩模版100能够在所述光刻光源波长作用下达到预期曝光效果。其中，构建出的所述目标光栅结构132中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述目标相移掩模版100所需的光刻光源波长相等，以确保修补后的目标相移掩模版100在对应波长的光刻光源作用下达到预期曝光效果。
60.可选地，请参照图3，图3是图2中的步骤s220所对应的掩模版结构的结构示意图。在本实施例的一种实施方式中，图3所示的掩模版结构由图2所示的目标相移掩模版100通过修补得到，此时图3所示的掩模版结构中位于所述掩模图案区域200内将对应形成有由所述遮光材料残留物131局部去除得到的目标光栅结构132，该目标光栅结构132中相邻两个栅条相互间隔，以对所述相移层120在所述掩模图案区域200内的与所述目标光栅结构132对应的区域表面进行部分暴露。
61.由此，本技术可通过执行上述步骤s210及步骤s220，仅占用掩模版修补机台的作业资源完成对遮光材料残留物131的局部去除作业，在确保修补后的目标相移掩模版100能够实现预期曝光效果的同时，大幅度减小对目标相移掩模版100的修补工作量，提升相移掩模版修补效率。
62.可选地，请参照图4，图4是本技术实施例提供的掩模版修补方法的流程示意图之二。在本技术实施例中，图4所示的掩模版修补方法与图1所示的掩模版修补方法相比，图4所示的掩模版修补方法还可以包括步骤s230～步骤s250，用于检测对应相移掩模版当前是
否需要作为目标相移掩模版100进行修补作业。
63.步骤s230，获取待校验相移掩模版，其中待校验相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层。
64.在本实施例中，所述待校验相移掩模版用于表示需要检测是否应当执行修补作业的相移掩模版，即需要检测对应曝光效果是否达到预期的相移掩模版结构。在本实施例的一种实施方式中，经上述步骤s210及步骤s220处理后的相移掩模版结构可重新作为一个待校验相移掩模版执行步骤s230～步骤s250，来确认该相移掩模版结构的修补效果是否达到预期。
65.步骤s240，检测待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料。
66.在本实施例中，可通过检测对应待校验相移掩模版的曝光效果是否达到预期效果的方式，确定待校验相移掩模版的遮光层130在对应掩模图案区域200内是否残留有影响曝光效果的遮光材料。
67.进一步地，请参照图5，图5是图4中的步骤s240包括的子步骤的流程示意图。其中，所述步骤s240可以包括子步骤s241～子步骤s243，用以确定待校验相移掩模版的遮光层130在对应掩模图案区域200内是否残留有影响曝光效果的遮光材料。
68.子步骤s241，获取待校验相移掩模版的真实曝光图形以及仿真曝光图形。
69.子步骤s242，确定真实曝光图形与仿真曝光图形之间的图形线宽差异数值。
70.子步骤s243，将图形线宽差异数值与预设线宽差异阈值进行比较，并在图形线宽差异数值大于预设线宽差异阈值的情况下，判定待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料。
71.由此，本技术可通过执行上述子步骤s241～子步骤s243，确定待校验相移掩模版的遮光层130在对应掩模图案区域200内是否残留有影响曝光效果的遮光材料。
72.步骤s250，在检测到待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料的情况下，直接将待校验相移掩模版作为目标相移掩模版。
73.在本实施例中，若某个待校验相移掩模版被判定为对应掩模图案区域200内残留有影响曝光效果的遮光材料，则即可表明该待校验相移掩模版需要被执行修补作业，此时该待校验相移掩模版将被作为目标相移掩模版100执行上述步骤s210及步骤s220，以确保该待校验相移掩模版能够被快速修补成功。
74.由此，本技术可通过执行上述步骤s230～步骤s250，确定对应待校验相移掩模版当前是否需要作为目标相移掩模版100进行修补作业。
75.在本技术中，为确保上述掩模版修补方法能够有效实施，本技术通过提供一种掩模版修补设备实现前述功能。下面对本技术提供的掩模版修补设备的具体组成进行详细描述。
76.请参照图6，图6是本技术实施例提供的掩模版修补设备300的组成示意图之一。在本技术实施例中，所述掩模版修补设备300可以包括掩模版获取模块310及残留物去除模块320。
77.掩模版获取模块310，用于获取目标相移掩模版，其中所述目标相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层，所述遮光层在所述目标相移掩模版的掩模图案区域内存在有遮
光材料残留物，所述相移层包括与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域。
78.残留物去除模块320，用于对位于所述目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将所述遮光材料残留物构建为目标光栅结构，使所述第一相移区域的靠近所述目标光栅结构的区域表面相对于所述目标光栅结构部分暴露。其中，构建出的所述目标光栅结构中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述目标相移掩模版所需的光刻光源波长相等。
79.可选地，请参照图7，图7是本技术实施例提供的掩模版修补设备300的组成示意图之二。在本技术实施例中，所述掩模版修补设备300还可以包括残留物检测模块330及掩模版评判模块340。
80.所述掩模版获取模块310，还用于获取待校验相移掩模版，其中所述待校验相移掩模版包括层叠设置的遮光层及相移层。
81.所述残留物检测模块330，用于检测所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内是否残留有遮光材料。
82.所述掩模版评判模块340，用于在检测到所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料的情况下，直接将所述待校验相移掩模版作为所述目标相移掩模版。
83.其中，请参照图8，图8是图7中的残留物检测模块330的组成示意图。在本技术实施例中，所述残留物检测模块330可以包括曝光图形获取子模块331、图形差异确定子模块332及遮光残留评判子模块333。
84.曝光图形获取子模块331，用于获取所述待校验相移掩模版的真实曝光图形以及仿真曝光图形。
85.图形差异确定子模块332，用于确定所述真实曝光图形与所述仿真曝光图形之间的图形线宽差异数值。
86.遮光残留评判子模块333，用于将所述图形线宽差异数值与预设线宽差异阈值进行比较，并在所述图形线宽差异数值大于所述预设线宽差异阈值的情况下，判定所述待校验相移掩模版的遮光层在对应掩模图案区域内残留有遮光材料。
87.需要说明的是，本技术实施例所提供的掩模版修补设备300，其基本原理及产生的技术效果与前述掩模版修补方法相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述针对掩模版修补方法的描述内容。
88.可选地，请参照图9，图9是本技术实施例提供的相位移掩模版10的结构示意图。在本技术实施例中，图9所示的相位移掩模版10为采用上述步骤s210及步骤s220制备形成的相移掩模版结构，其中所述相位移掩模版10包括透明基板110以及层叠设置在所述透明基板110上的相移层120和遮光层130，其中所述遮光层130与所述相移层120上开设有用于表示掩模图案的图案沟槽141，以通过所述遮光层130上的图案沟槽141及所述相移层120上的图案沟槽141相互配合形成所述相位移掩模版10的掩模图案区域200。其中，所述遮光层130上形成的图案沟槽141用于表征该掩模图案区域200的有效范围，所述相移层120上形成的图案沟槽141开设在所述遮光层130上形成的图案沟槽141范围内，用于表征具体掩模图案的分布状况。
89.所述遮光层130在所述掩模图案区域200内形成有由遮光材料残留物131局部去除
得到的目标光栅结构132，其中所述目标光栅结构132中相邻两个栅条相互间隔，以对所述相移层120在所述掩模图案区域200内的与所述目标光栅结构132对应的区域表面进行部分暴露。其中，所述目标光栅结构132中相邻两个栅条之间的距离，与使用所述相位移掩模版10所需的光刻光源波长相等。
90.在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本技术的实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
91.另外，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read
‑
only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
92.综上所述，在本技术实施例提供的相位移掩模版、掩模版修补方法及设备中，本技术在获取到对应掩模图案区域内存在遮光材料残留物的目标相移掩模版后，会针对该目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将遮光材料残留物构建为目标光栅结构，此时对目标相移掩模版中与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域来说，该第一相移区域的靠近目标光栅结构的区域表面将相对于目标光栅结构部分暴露，使目标相移掩模版中的第一相移区域能够恢复相位移效应及相消干涉功能，从而快速且有效地实现对具有遮光材料残留物的相移掩模版的修补作业，确保修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果。
93.以上所述，仅为本技术的各种实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应当以权利要求的保护范围为准。