阵列基板及制作方法、显示面板与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底(10)；设于所述基底(10)上的第一金属层(11)，所述第一金属层(11)包括扫描线(111)和栅极(112)；覆盖所述扫描线(111)和所述栅极(112)的第一绝缘层(101)；设于所述第一绝缘层(101)上侧的第一透明金属氧化物层(12)，所述第一透明金属氧化物层(12)包括源极(121)和漏极(122)；设于所述第一绝缘层(101)上侧的第二金属层(13)，所述第二金属层(13)包括数据线(131)，所述数据线(131)与所述源极(121)导电连接；设于所述第一绝缘层(101)上侧的半导体层(14)，所述半导体层(14)包括连接所述源极(121)和所述漏极(122)的有源层(141)；设于所述第一绝缘层(101)上侧的像素电极(123)，所述像素电极(123)与所述漏极(122)导电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层(14)设于所述第一透明金属氧化物层(12)的上侧并与所述第一透明金属氧化物层(12)的上表面相接触，所述有源层(141)覆盖住所述源极(121)和所述漏极(122)；所述半导体层(14)还包括覆盖所述第二金属层(13)上表面的保护部(142)。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明金属氧化物层(12)还包括所述像素电极(123)；所述阵列基板还包括覆盖所述半导体层(14)的第二绝缘层(102)以及设于所述第二绝缘层(102)上的第二透明金属氧化物层(15)，所述第二透明金属氧化物层(15)包括公共电极(151)。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置的平坦层(103)、第二透明金属氧化物层(15)、绝缘间隔层(104)以及第三透明金属氧化物层(16)，所述平坦层(103)覆盖于所述半导体层(14)远离所述基底(10)的一侧，所述第二透明金属氧化物层(15)包括公共电极(151)，所述第三透明金属氧化物层(16)包括所述像素电极(123)。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层(13)还包括位于非显示区的外围走线(132)，所述第二透明金属氧化物层(15)还包括连接所述外围走线(132)的桥接电极(152)。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如权利要求1
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5任一项所述的阵列基板，所述制作方法包括：提供基底(10)；在所述基底(10)上形成第一金属层(11)，对所述第一金属层(11)进行蚀刻并形成图案化的扫描线(111)和栅极(112)；在所述基底(10)上形成覆盖所述扫描线(111)和所述栅极(112)的第一绝缘层(101)；在所述第一绝缘层(101)的上侧形成第一透明金属氧化物层(12)，对所述第一透明金属氧化物层(12)进行蚀刻并形成图案化的源极(121)和漏极(122)；在所述第一绝缘层(101)的上侧形成第二金属层(13)，对所述第二金属层(13)进行蚀刻并形成图案化的数据线(131)，所述数据线(131)与所述源极(121)导电连接；
在所述第一绝缘层(101)的上侧形成半导体层(14)，对所述半导体层(14)进行蚀刻并形成图案化的有源层(141)，所述有源层(141)与所述源极(121)和所述漏极(122)电性连接；在所述第一绝缘层(101)的上侧形成像素电极(123)，所述像素电极(123)与所述漏极(122)导电连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一透明金属氧化物层(12)设于所述第一绝缘层(101)的上表面并与所述第一绝缘层(101)的上表面相接触，所述半导体层(14)设于所述第一透明金属氧化物层(12)的上表面并与所述第一透明金属氧化物层(12)的上表面相接触；所述半导体层(14)还设于所述第二金属层(13)的上表面并与所述第二金属层(13)的上表面相接触，对所述半导体层(14)进行蚀刻时还形成覆盖所述第二金属层(13)的保护部(142)。8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述第一透明金属氧化物层(12)进行蚀刻时还形成所述像素电极(123)；所述制作方法还包括：在所述基底(10)上形成覆盖所述半导体层(14)的第二绝缘层(102)以及在所述第二绝缘层(102)上形成第二透明金属氧化物层(15)，对所述第二透明金属氧化物层(15)进行蚀刻并形成图案化的公共电极(151)。9.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述基底(10)上形成覆盖所述半导体层(14)的平坦层(103)以及在所述平坦层(103)上形成第二透明金属氧化物层(15)，对所述第二透明金属氧化物层(15)进行蚀刻并形成图案化的公共电极(151)；在所述基底(10)上形成覆盖所述第二透明金属氧化物层(15)的绝缘间隔层(104)，对所述平坦层(103)和所述绝缘间隔层(104)进行蚀刻并形成与所述漏极(122)对应的接触孔；在所述绝缘间隔层(104)形成第三透明金属氧化物层(16)，对所述第三透明金属氧化物层(16)进行蚀刻并形成图案化的所述像素电极(123)，所述像素电极(123)通过所述接触孔与所述漏极(122)连接。10.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在对所述第二金属层(13)进行蚀刻时还在非显示区形成外围走线(132)；在对所述第二透明金属氧化物层(15)进行蚀刻时还形成连接所述外围走线(132)的桥接电极(152)。11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1
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5任一项所述的阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的对置基板(20)以及设于所述阵列基板和所述对置基板(20)之间的液晶层(30)，所述对置基板(20)上设有上偏光片(41)，所述阵列基板上设有下偏光片(42)，所述上偏光片(41)的透光轴与所述下偏光片(42)的透光轴相互垂直。

技术总结
本发明公开了一种阵列基板及制作方法、显示面板，该阵列基板包括：基底；设于基底上的第一金属层，第一金属层包括扫描线和栅极；覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；设于第一绝缘层上侧的第一透明金属氧化物层，第一透明金属氧化物层包括源极和漏极；设于第一绝缘层上侧的第二金属层，第二金属层包括数据线；设于第一绝缘层上侧的半导体层，半导体层包括连接源极和漏极的有源层；设于第一绝缘层上侧的像素电极，像素电极与漏极导电连接。通过将源极和漏极采用透明金属氧化物层制成，透明金属氧化物的性能比较稳定，从而使得源极和漏极不会向TFT沟道扩散离子，提高了TFT的稳定性，避免了TFT阈值电压偏移、迁移率下降以及漏电流增大的问题。的问题。的问题。


技术研发人员：钟德镇 邹忠飞
受保护的技术使用者：昆山龙腾光电股份有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2021/10/8