用于含硅膜的组合物及其使用方法与流程

技术特征：
1.一种包含由以下式i表示的硅氮烷前体的组合物：其中r1选自直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c3至c
10
烯基、直链或支链c3至c
10
炔基、c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、吸电子基团和c6至c
10
芳基；r2选自氢、直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c3至c6烯基、直链或支链c2至c6炔基、c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、c6至c
10
芳基、直链或支链c1至c6氟化烷基、吸电子基团、c4至c
10
芳基和选自cl、br和i的卤素；和x是选自cl、br和i的卤素，且其中所述组合物不含有机胺、卤素离子、金属离子。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硅氮烷前体选自1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基
‑3‑
甲基
‑
二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
正丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六碘
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
仲丁基
‑
二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
叔丁基
‑
二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
仲丁基二硅氮烷和1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四
碘
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环戊基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环己基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
环戊基二硅氮烷和1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
环己基二硅氮烷。3.一种组合物，包含：(a)至少一种由式i表示的硅氮烷：其中r1选自直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c3至c
10
烯基、直链或支链c3至c
10
炔基、c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、吸电子基团和c6至c
10
芳基；r2选自氢、直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c3至c6烯基、直链或支链c3至c6炔基、c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、c6至c
10
芳基、直链或支链c1至c6氟化烷基、吸电子基团、c4至c
10
芳基和选自cl、br和i的卤素；和x是选自cl、br和i的卤素；和(b)溶剂，其中所述溶剂具有沸点，其中所述溶剂的沸点与所述至少一种硅氮烷的沸点之间的差异为40℃或更小，和其中所述组合物基本上不含有机胺、卤素离子和金属离子。4.根据权利要求3所述的组合物，其中所述硅氮烷前体包含选自1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基
‑3‑
甲基
‑
二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
正丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六碘
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
仲丁基
‑
二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
叔丁基
‑
二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲
基
‑2‑
仲丁基二硅氮烷和1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环戊基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环己基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
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1,3
‑
二甲基
‑2‑
环戊基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
环己基二硅氮烷的至少一种。5.根据权利要求3所述的组合物，其中所述溶剂包含选自醚、叔胺、烷烃、芳烃和叔氨基醚的至少一种。6.一种通过选自化学蒸汽沉积工艺和原子层沉积工艺的沉积工艺在衬底的至少一个表面上形成含硅膜的方法，所述方法包括：在反应室中提供所述衬底的所述至少一个表面；引入至少一种由以下式i表示的硅氮烷前体：其中r1选自直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c3至c
10
烯基、直链或支链c3至c
10
炔基、c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、吸电子基团和c6至c
10
芳基；r2选自氢、直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c2至c6烯基、直链或支链c3至c6炔基、c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、c6至c
10
芳基、直链或支链c1至c6氟化烷基、吸电子基团、c4至c
10
芳基和选自cl、br和i的卤素；和x是选自cl、br和i的卤素；和将含氮源引入所述反应器中，其中所述至少一种硅氮烷前体和所述含氮源反应以在所述至少一个表面上形成所述膜，其中所述硅氮烷基本上不含有机胺、卤素离子和金属离子。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种硅氮烷选自1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基
‑3‑
甲基
‑
二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五
氯
‑2‑
正丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
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异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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溴
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叔丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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六碘
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甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
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乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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碘
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正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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碘
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正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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碘
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异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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碘
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仲丁基
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二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
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碘
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叔丁基
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二硅氮烷、1,1,3,3
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四氯
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二甲基
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
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四氯
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1,3
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二甲基
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
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1,3
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二甲基
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
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1,3
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二甲基
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
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四氯
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1,3
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二甲基
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
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1,3
‑
二甲基
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
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二甲基
‑2‑
仲丁基二硅氮烷和1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
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二甲基
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
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正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环戊基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环己基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
环戊基二硅氮烷和1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
环己基二硅氮烷。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述含氮源选自氨、肼、单烷基肼、二烷基肼、氮、氮/氢、氨等离子体、氮等离子体、氮/氢等离子体及其混合物。9.根据权利要求6所述的方法，其中所述含硅膜选自氮化硅和碳氮化硅。10.一种从选自等离子体增强原子层沉积和等离子增强循环化学蒸汽沉积的沉积工艺形成含硅膜的方法，其中所述膜选自非晶和结晶膜，所述方法包括：将一个或多个衬底放入加热至温度从环境温度到约1000℃的一个或多个温度的反应器中；引入至少一种由以下式i表示的硅氮烷前体：其中r1选自直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c3至c
10
烯基、直链或支链c3至c
10
炔基、
c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、吸电子基团和c6至c
10
芳基；r2选自氢、直链或支链c1至c
10
烷基、直链或支链c2至c6烯基、直链或支链c3至c6炔基、c3至c
10
环烷基、c2至c6二烷基氨基、c6至c
10
芳基、直链或支链c1至c6氟化烷基、吸电子基团、c4至c
10
芳基和选自cl、br和i的卤素；和x是选自cl、br和i的卤素，其中所述硅氮烷基本上不含有机胺、卤素离子、金属离子；用吹扫气体吹扫所述反应器；将等离子源提供到所述反应器中，以至少部分地与所述至少一种硅氮烷前体反应并将所述含硅膜沉积在所述一个或多个衬底上；和用吹扫气体吹扫所述反应器。11.根据权利要求6所述的方法，其中所述等离子体源选自包含氢和氩的等离子体、包含氢和氦等离子体的等离子体、氩等离子体、氦等离子体及其混合物。12.根据权利要求10所述的方法，其中所述至少一种硅氮烷选自1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
甲基
‑3‑
甲基
‑
二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
乙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
正丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3
‑
五氯
‑2‑
异丙基
‑3‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
溴
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
六碘
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
仲丁基
‑
二硅氮烷、1,1,1,3,3,3
‑
碘
‑2‑
叔丁基
‑
二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
仲丁基二硅氮烷和1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,3,3
‑
四氯
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四溴
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
甲基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
乙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑
正丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丙基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
正丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
异丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
仲丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四碘
‑2‑
叔丁基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环戊基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑2‑
环己基二硅氮烷、1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲
基
‑2‑
环戊基二硅氮烷和1,1,3,3
‑
四氯
‑
1,3
‑
二甲基
‑2‑
环己基二硅氮烷。

技术总结
本文描述了用于形成含硅膜的前体和方法。在一个方面中，提供了如本文所述的式(I)的前体。体。体。


技术研发人员：雷新建 M
受保护的技术使用者：弗萨姆材料美国有限责任公司
技术研发日：2020.02.03
技术公布日：2021/10/18