一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法

技术特征：
1.一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：将生长载体放置在生长容器底部，加入生长溶液，使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向所述生长容器中注入第一清洗剂并去除所述生长溶液后，将固定器放置在所述生长容器中，将所述生长载体固定在所述固定器上，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在所述第一清洗剂中，清洗所述生长溶液；所述第一清洗剂不溶于所述生长溶液，且与所述钙钛矿单晶不发生化学反应；清洗结束后，向所述生长容器中注入第二清洗剂并去除所述第一清洗剂，使所述钙钛矿单晶浸泡在所述第二清洗剂中，清洗所述第一清洗剂，所述第二清洗剂不溶于所述生长溶液或所述第一清洗剂，且与所述钙钛矿单晶不发生化学反应；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿单晶的生长温度和清洗温度相同。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长溶液为gbl、dmf、dmso、乙酸、甲酸、氢碘酸中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿单晶的分子式为abx3，a为ma、fa、cs中的一种，b为pb或bi，x为br或i。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗剂为硅油、煤油、无水乙醚中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清洗剂为甲苯、氯苯、叔戊醇中的一种或多种。7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述钙钛矿单晶的生长温度为30-90℃。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗剂对生长溶液的清洗时间为15-30分钟。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清洗剂对第一清洗剂的清洗时间为5-15分钟。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，具体包括：将所述钙钛矿单晶放置在离心设备中进行离心，去除所述钙钛矿单晶表面的第二清洗剂。

技术总结
本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。无需再次加工处理。无需再次加工处理。


技术研发人员：孟华 蔡健聪 洪子叶 徐闰 王文贞
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：2022.07.16
技术公布日：2022/11/22