一种蒸镀系统的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种蒸镀系统。


背景技术：

2.平板显示产业作为电子信息产业的支柱产业之一，凭借其巨大的经济效应与产业集聚效应，对一个国家和地区的技术、经济的发展至关重要。虽然薄膜晶体管液晶显示器(英文全称：thin film transistor liquid crystal display，简称tft-lcd)技术占据了当今显示主流，但是有源矩阵有机发光二极体(英文全称：active-matrix organic light-emitting diode，简称amoled)技术目前最有可能取代tft-lcd技术成为下一代新型显示技术。
3.大尺寸oled显示面板制造中，大多采用线形蒸镀方式。有机源采用线源；高温源采用点源排列成线源方式。目前，在大尺寸蒸镀成膜过程中，一般采用冲压(emboss)工艺或者半蚀刻(half etching)工艺防止基板边缘被掩模板刮伤及合理控制边缘阴影效应(shadow effect)。
4.冲压工艺主要是采用机加工在掩模板(mask sheet)上冲压出一个小包，目前的机加工精度有限，一致性较差，小包高度一致性较难控制，小包高度太高将导致掩模板形变过大，进而导致掩模板受损；小包高度太小将导致无法满足防止基板被刮伤的需求。采用半蚀刻工艺时，掩模板距离基板很近，在进行大尺寸蒸镀成膜时，掩模板形变变大，掩模板的边缘容易剐蹭基板，而且半蚀刻工艺需要配套曝光、蚀刻设备，成本很高。采用冲压工艺和半蚀刻工艺时，由于掩模板比较薄，导致基板与掩模板之间的距离较小，蒸镀时的阴影效应调节范围较小，无法满足大阴影场景的使用需求。


技术实现要素：

5.本发明的目的是提供一种蒸镀系统，其能够解决冲压工艺的机加工精度低，一致性差，小包高度一致性较难控制；半蚀刻工艺需要配套曝光、蚀刻设备，成本高；冲压工艺和半蚀刻工艺均存在的阴影效应调节范围较小，无法满足大阴影场景的使用需求等问题。
6.为了解决上述问题，本发明提供了一种蒸镀系统，其包括：蒸镀源，其具有一开口；掩模板，设置于所述蒸镀源设有所述开口的一侧；所述掩模板远离所述蒸镀源的一侧设有第一支撑件；以及基板，设置于所述掩模板远离所述蒸镀源的一侧；所述基板在靠近所述掩模板的一侧且对应于所述第一支撑件的位置处设有第二支撑件。
7.进一步的，所述第一支撑件远离所述掩模板的一侧的表面抵接于所述第二支撑件远离所述基板的一侧的表面。
8.进一步的，所述第一支撑件的高度范围为0-1mm。
9.进一步的，所述第二支撑件的高度范围为0-10μm。
10.进一步的，所述第一支撑件的材质与所述掩模板的材质相同。
11.进一步的，所述基板包括显示区及包围所述显示区的非显示区；所述基板包括：衬
底层；薄膜晶体管层，设置于所述衬底层靠近所述掩模板的一侧，且位于所述显示区；平坦层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述衬底层的一侧，且位于所述显示区和所述非显示区；像素电极层，设置于所述平坦层远离所述衬底层的一侧，且位于所述显示区；以及像素定义层，部分覆盖于所述像素电极层远离所述衬底层的一侧，且延伸覆盖于所述平坦层上，且位于所述显示区。
12.进一步的，当所述第二支撑件在所述衬底层上的投影位于所述显示区时，所述第二支撑件设置于所述像素定义层远离所述衬底层的一侧。
13.进一步的，所述第二支撑件的材质与所述像素定义层的材质相同。
14.进一步的，当所述第二支撑件在所述衬底层上的投影位于所述非显示区时，所述第二支撑件设置于所述平坦层远离所述衬底层的一侧。
15.进一步的，所述第二支撑件的材质与所述平坦层的材质相同。
16.本发明的优点是：本发明在掩模板远离所述蒸镀源的一侧设置第一支撑件，在基板靠近所述掩模板的一侧且对应于所述第一支撑件的位置处设有第二支撑件，所述第一支撑件远离所述掩模板的一侧的表面抵接于所述第二支撑件远离所述基板的一侧的表面；通过第一支撑件和第二支撑件联合撑开掩模板和基板，增加了掩模板和基板之间的距离，由此可以防止基板被掩模板划伤；增加蒸镀系统蒸镀时的阴影效应的调节范围，满足大阴影场景的使用需求。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1是本发明实施例1的蒸镀系统的结构示意图；
19.图2是本发明实施例1的基板的结构示意图；
20.图3是本发明实施例2的基板的结构示意图。
21.附图标记说明：
22.100、蒸镀系统；
23.1、蒸镀源；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2、掩模板；
24.3、基板；
25.11、开口；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
21、第一支撑件；
26.31、第二支撑件；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
32、衬底层；
27.33、薄膜晶体管层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
34、平坦层；
28.35、像素电极层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
36、像素定义层。
具体实施方式
29.以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同
形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
30.本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
31.在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
32.实施例1
33.如图1所示，本实施例提供了一种蒸镀系统100。蒸镀系统100包括：蒸镀源1、掩模板2以及基板3。
34.如图1所示，蒸镀源1具有一开口11。蒸镀材料从所述开口11发出。
35.如图1所示，掩模板2设置于所述蒸镀源1设有所述开口11的一侧。所述掩模板2远离所述蒸镀源1的一侧设有第一支撑件21。在垂直于所述基板3的一截面上，所述第一支撑件21的形状包括：半圆形、半椭圆形、矩形、梯形中的一种或多种。本实施例中，所述第一支撑件的形状为半圆形。
36.其中，所述第一支撑件21的高度范围为0-1mm。第一支撑件21的高度太高将导致掩模板2形变过大，进而导致掩模板2受损；第一支撑件21的高度太小将导致无法满足防止基板3被刮伤的需求。本实施例中，所述第一支撑件21的高度为0.5mm。其他实施例中，所述第一支撑件21的高度还可以是0.6mm、0.8mm或者0.9mm。
37.本实施例中，所述第一支撑件21的材质与所述掩模板2的材质相同。由此可以通过冲压等机械加工工艺在所述掩模板2上形成第一支撑件21。由此可以降低第一支撑件21的加工难度。
38.如图1所示，基板3设置于所述掩模板2远离所述蒸镀源1的一侧。所述基板3在靠近所述掩模板2的一侧且对应于所述第一支撑件21的位置处设有第二支撑件31。在垂直于所述基板3的一截面上，所述第二支撑件31的形状包括：半圆形、半椭圆形、矩形、梯形中的一种或多种。本实施例中，所述第二支撑件31的形状为矩形。
39.其中，所述第一支撑件21远离所述掩模板2的一侧的表面抵接于所述第二支撑件31远离所述基板3的一侧的表面。本实施例中，所述第一支撑件21远离所述掩模板2的一侧的表面与所述第二支撑件31远离所述基板3的一侧的表面相切。
40.通过第一支撑件21和第二支撑件31联合撑开掩模板2和基板3，增加了掩模板2和基板3之间的距离，由此可以防止基板3被掩模板2划伤；增加蒸镀系统100蒸镀时的阴影效应的调节范围，满足大阴影场景的使用需求。具体的，可以通过降低第一支撑件21的厚度、降低第二支撑件31的厚度或者同时降低第一支撑件21和第二支撑件31的厚度，以降低掩模板2和基板3之间的距离，以实现减小阴影效应的技术效果。具体的，可以通过增加第一支撑件21的厚度、增加第二支撑件31的厚度或者同时增加第一支撑件21和第二支撑件31的厚度，以增加掩模板2和基板3之间的距离，以实现增加阴影效应的技术效果。同时可以避免第一支撑件21的高度难以控制导致掩模板2和基板3之间的距离偏大，导致掩模板2形变过大，进而导致掩模板2受损；避免第一支撑件21的高度难以控制导致掩模板2和基板3之间的距
离偏小导致无法满足防止基板3被刮伤的需求。
41.其中，所述第二支撑件31的高度范围为0-10μm。第二支撑件31的高度太高将导致基板3形变过大，进而导致基板3受损；第二支撑件31的高度太小将导致无法满足防止基板3被刮伤的需求。本实施例中，所述第二支撑件31的高度为5μm。其他实施例中，所述第二支撑件31的高度还可以是6μm、8μm或者9μm。
42.如图2所示，基板3包括显示区301及包围所述显示区301的非显示区302。所述基板3包括：衬底层32、薄膜晶体管层33、平坦层34、像素电极层35以及像素定义层36。
43.其中，衬底层32位于所述显示区301和所述非显示区302。衬底层32的材质为玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种，由此衬底层32可具有较好的抗冲击能力，可以有效保护基板3。
44.其中，薄膜晶体管层33设置于所述衬底层32靠近所述掩模板2的一侧，且位于所述显示区301。薄膜晶体管层33包括：有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层等膜层结构。
45.其中，平坦层34设置于所述薄膜晶体管层33远离所述衬底层32的一侧，且位于所述显示区301和所述非显示区302。平坦层34主要是为其上膜层的制备提供一平整的表面。
46.其中，像素电极层35设置于所述平坦层34远离所述衬底层32的一侧，且位于所述显示区301。具体的，像素电极层35还穿过平坦层电连接至所述薄膜晶体管层33的源漏极层。
47.其中，像素定义层36部分覆盖于所述像素电极层35远离所述衬底层32的一侧，且延伸覆盖于所述平坦层34上，且位于所述显示区301。
48.本实施例中，第二支撑件31在所述衬底层32上的投影位于所述显示区301，所述第二支撑件31设置于所述像素定义层36远离所述衬底层32的一侧。
49.本实施例中，所述第二支撑件31的材质与所述像素定义层36的材质相同。由此可以通过一道光罩同时制备形成像素定义层36和第二支撑件31。由此可以节省光罩，节约生产成本。例如：半色调掩膜工艺。
50.实施例2
51.如图3所示，本实施例包括了实施例1的大部分技术特征，本实施例与实施例1的区别在于：本实施例中，所述第二支撑件31在所述衬底层32上的投影位于所述非显示区302时，所述第二支撑件31设置于所述平坦层34远离所述衬底层32的一侧。
52.本实施例中，所述第二支撑件31的材质与所述平坦层34的材质相同。由此可以通过一道光罩同时制备形成平坦层34和第二支撑件31。由此可以节省光罩，节约生产成本。例如：半色调掩膜工艺。
53.通过第一支撑件21和第二支撑件31联合撑开掩模板2和基板3，增加了掩模板2和基板3之间的距离，由此可以防止基板3被掩模板2划伤；增加蒸镀系统100蒸镀时的阴影效应的调节范围，满足大阴影场景的使用需求。具体的，可以通过降低第一支撑件21的厚度、降低第二支撑件31的厚度或者同时降低第一支撑件21和第二支撑件31的厚度，以降低掩模板2和基板3之间的距离，以实现减小阴影效应的技术效果。具体的，可以通过增加第一支撑件21的厚度、增加第二支撑件31的厚度或者同时增加第一支撑件21和第二支撑件31的厚度，以增加掩模板2和基板3之间的距离，以实现增加阴影效应的技术效果。同时可以避免第
一支撑件21的高度难以控制导致掩模板2和基板3之间的距离偏大，导致掩模板2形变过大，进而导致掩模板2受损；避免第一支撑件21的高度难以控制导致掩模板2和基板3之间的距离偏小导致无法满足防止基板3被刮伤的需求。
54.进一步的，以上对本技术所提供的一种蒸镀系统进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。