掩模组件及该掩模组件的制造方法与流程

1.本发明涉及一种掩模组件及该掩模组件的制造方法，更详细而言，涉及一种包括聚酰亚胺层的掩模组件及该掩模组件的制造方法。


背景技术：

2.显示面板包括多个像素。各个像素包括诸如晶体管之类的驱动元件及诸如有机发光二极管之类的显示元件。显示元件可以通过在基板上堆叠电极和发光图案来形成。
3.发光图案利用定义有贯通部的掩模来进行图案化，以形成于预定的区域。发光图案可以形成于借由贯通部而暴露的区域。发光图案的形状可以根据贯通部的形状而受控制。近来，为了提高包括发光图案的显示面板的生产良率，正在开发与用于制造大面积掩模的材料及制造方法相关的技术。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种可实现低重量化及大型化的掩模组件及该掩模组件的制造方法。
5.一实施例提供一种掩模组件，所述掩模组件包括：掩模框架，在中央处定义有第一开口部，并包括围绕所述第一开口部且定义有至少一个凹部的外侧框架；掩模主体，与所述第一开口部对应地被布置，且定义有在平面上的面积小于所述第一开口部的多个第二开口部；第一子掩模，布置于所述掩模主体的上部，在整个表面定义有在平面上的面积小于各个所述第二开口部的多个第三开口部，并且利用金属物质形成；第二子掩模，布置于所述第一子掩模的上部，在整个表面定义有多个第四开口部，并且利用高分子物质形成；以及焊接部，在所述至少一个凹部的内部布置于所述第二子掩模的上部。
6.所述第二子掩模可以包括聚酰亚胺。
7.所述第二子掩模的热膨胀系数可以为2ppm/℃以下。
8.各个所述第四开口部可以与各个所述第三开口部对应地被定义。
9.各个所述第二开口部可以与多个所述第三开口部重叠。
10.所述第一子掩模可以包括：多个第一金属线，沿第一方向延伸，并沿与所述第一方向垂直的第二方向布置；以及多个第二金属线，沿所述第二方向延伸，并沿所述第一方向布置，其中，各个所述第一金属线与各个所述第二金属线可以彼此交叉。
11.各个所述第一金属线与所述第二金属线的上下关系可以交替，各个所述第二金属线与所述第一金属线的上下关系可以交替。
12.在平面上，各个所述第三开口部的面积可以大于或等于各个所述第四开口部的面积。
13.所述第一子掩模的厚度可以为2μm以上且5μm以下。
14.所述第二子掩模的厚度可以为5μm以上且30μm以下。
15.所述凹部的沿所述外侧框架的厚度方向的深度可以大于所述第一子掩模、所述第
二子掩模及所述焊接部的厚度之和。
16.所述凹部在截面上可以包括曲面部。
17.一实施例提供一种掩模组件，所述掩模组件包括：掩模框架，在中央处定义有第一开口部，并包括围绕所述第一开口部且定义有至少一个凹部的外侧框架；掩模主体，与所述第一开口部对应地被布置，且定义有在平面上的面积小于所述第一开口部的多个第二开口部；第一子掩模，布置于所述掩模主体的上部，在整个表面定义有在平面上的面积小于所述第二开口部的多个第三开口部，并且利用金属物质形成；第二子掩模，布置于所述第一子掩模的上部，在整个表面定义有在平面上的面积小于所述第三开口部的多个第四开口部，并且利用高分子物质形成；以及至少一个焊接部，布置于所述第二子掩模的上部，其中，所述外侧框架包括：第一部分，与所述第一子掩模、所述第二子掩模及所述焊接部重叠；以及第二部分，与所述第一子掩模及所述第二子掩模重叠且不与所述焊接部重叠，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
18.所述至少一个凹部可以为多个凹部，并且所述至少一个焊接部可以为多个焊接部，在所述第一部分可以定义有沿厚度方向凹陷的所述多个凹部，各个所述焊接部可以与各个所述凹部重叠。
19.所述第二子掩模可以包括聚酰亚胺。
20.所述掩模框架和所述掩模主体可以包括相同的金属。
21.所述金属可以是殷瓦钢。
22.一实施例提供一种掩模组件的制造方法，所述掩模组件的制造方法包括如下步骤：提供在中央处定义有第一开口部并包括围绕所述第一开口部且定义有凹部的外侧框架的掩模框架；将定义有在平面上的面积小于所述第一开口部的多个第二开口部的掩模主体与所述掩模框架的所述第一开口部对应地布置；在所述掩模主体的上部布置在整个表面定义有在平面上的面积小于所述第二开口部的多个第三开口部的第一子掩模；在所述第一子掩模的上部布置在整个表面定义有在平面上的面积小于所述第三开口部的多个第四开口部的第二子掩模；在所述凹部内部，在所述第二子掩模上布置金属棒；以及在与所述凹部重叠的区域焊接所述掩模框架、所述第一子掩模、所述第二子掩模及所述金属棒。
23.布置所述第一子掩模的步骤可以包括如下步骤：拉伸所述第一子掩模，使得所述凹部与所述第一子掩模重叠。
24.布置所述第二子掩模的步骤可以包括如下步骤：拉伸所述第二子掩模，使得所述凹部与所述第二子掩模重叠，并且各个所述第三开口部与各个所述第四开口部重叠。
25.在所述第一子掩模的上部布置所述第二子掩模的步骤可以包括如下步骤：提供玻璃基板；在所述玻璃基板的上部提供高分子层；对所述高分子层进行图案化而形成所述第四开口部，以形成所述第二子掩模；以及以使所述玻璃基板暴露于外部的方式将所述第二子掩模布置在所述第一子掩模的上部；以及去除暴露的所述玻璃基板。
26.形成所述第二子掩模的步骤可以包括如下步骤：利用激光蚀刻法或干式蚀刻法对所述高分子层进行图案化。
27.一实施例的掩模组件包括利用高分子物质形成的掩模及利用金属物质形成的掩模，从而能够提供大型的低重量掩模组件。
28.一实施例的掩模组件的制造方法包括在利用金属物质形成的掩模的上部布置利
用高分子物质形成的掩模的步骤，从而能够提供大型的低重量掩模组件的制造方法。
附图说明
29.图1是根据一实施例的掩模组件的平面图。
30.图2是根据一实施例的掩模组件的分解立体图。
31.图3是将一实施例的掩模组件沿图2所示的i-i'线截取的截面图。
32.图4是从下面观察图3所示的掩模组件的图。
33.图5是将一实施例的掩模组件沿图2所示的ii-ii'线截取的截面图。
34.图6是将一实施例的掩模组件沿图2所示的iii-iii'线截取的截面图。
35.图7是将一实施例的掩模组件沿图2所示的iii-iii'线截取的截面图。
36.图8是将一实施例的掩模组件沿图2所示的ii-ii'线截取的截面图。
37.图9是一实施例的掩模组件的制造方法的流程图。
38.图10是示意性地示出掩模组件的制造方法的一步骤的图。
39.图11是示意性地示出掩模组件的制造方法的一步骤的图。
40.图12是示意性地示出掩模组件的制造方法的一步骤的图。
41.图13是示意性地示出掩模组件的制造方法的一步骤的图。
42.图14是示意性地示出掩模组件的制造方法的一步骤的图。
43.图15是详细地示出根据一实施例的在第一子掩模的上部布置第二子掩模的步骤的流程图。
44.图16是示意性地示出图15的流程图的一步骤的图。
45.图17是示意性地示出图15的流程图的一步骤的图。
46.图18是示意性地示出图15的流程图的一步骤的图。
47.附图标记说明：
48.ma：掩模组件
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fr：掩模框架
49.o-fr：外侧框架
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op-fr：第一开口部
50.mk：掩模主体
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op-mk：第二开口部
51.ml：第一子掩模
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h-ml：第三开口部
52.rl：第二子掩模
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h-rl：第四开口部
53.ms：焊接部
具体实施方式
54.本发明可以进行多样的变更，可以具有多种形态，因此，在附图中示出特定实施例，并且在本文中进行详细说明。然而，这并不是为了将本发明限定于特定的公开形态，并且应当理解为包括包含于本发明的思想及技术范围内的所有变更、等同物及替代物。
55.在本说明书中，当提到某一构成要素(或者区域、层、部分等)在另一构成要素“之上”或者与另一构成要素“连接”或“结合”时，表示其可以直接布置在另一构成要素上或者与另一构成要素直接连接/结合，或者在它们之间也可以布置有第三构成要素。
56.另外，在本技术中“直接布置”可以表示层、膜、区域、板等的部分与另一部分之间没有追加的层、膜、区域、板等。例如，“直接布置”可以表示在不使用粘合部件等追加部件的
情况下布置于两个层或两个部件之间。
57.相同的附图标记指代相同的构成要素。并且，在附图中，构成要素的厚度、比率以及尺寸为了针对技术内容进行有效的说明而被夸大。
[0058]“和/或”包括相关的构成可以定义的一个以上的全部的组合。
[0059]
第一、第二等术语可以用于说明多样的构成要素，但所述构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。只要在语境中没有明确表示不同含义，单数的表述便包括复数的表述。
[0060]
并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成之间的相关关系。所述术语为相对概念，以附图中表示的方向为基准而被说明。在本说明中，“布置于上方”可以表示布置于任意一个部件的上部和下部的情况。
[0061]
只要没有被不同地定义，本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。并且，与通常使用的词典中所定义的术语相同的术语应当被解释为具有与在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且只要没有被解释为理想的或者过度地形式性的含义，则解释为在此明示性地定义。
[0062]“包括”或者“具有”等术语应当被理解为：用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。
[0063]
以下，参照附图，对根据一实施例的掩模组件及该掩模组件的制造方法进行说明。
[0064]
图1是根据一实施例的掩模组件ma的平面图。图2是根据一实施例的掩模组件ma的分解立体图。
[0065]
参照图1及图2，一实施例的掩模组件ma包括掩模框架fr、掩模主体mk、第一子掩模ml、第二子掩模rl及焊接部ms。
[0066]
掩模框架fr在平面上可以在中央处定义有沿厚度方向(即，第三方向dr3)贯通的第一开口部op-fr，可以包括围绕第一开口部op-fr的外侧框架o-fr(参照图5)。外侧框架o-fr可以具有四边形的形状，并且第一开口部op-fr的形状可以根据外侧框架o-fr的形状而定义。外侧框架o-fr的沿第一方向dr1延伸的边的长度可以小于沿第二方向dr2延伸的边的长度。尽管图2示出了在平面上观察时外侧框架o-fr的形状为四边形的情形，但是这仅是示例性的，实施例并不限于此。例如，外侧框架o-fr的形状可以包括曲面部。
[0067]
在掩模框架fr中，可以在外侧框架o-fr的一侧定义有至少一个凹部cu-fr。凹部cu-fr可以是从外侧框架o-fr的一侧沿厚度方向凹入的凹陷部。凹部cu-fr在平面上的形状可以是沿第一方向dr1延伸的边的长度大于沿第二方向dr2延伸的边的长度的矩形形状。然而，这仅是示例性的，本发明并不限于此，凹部cu-fr在平面上的形状可以是沿第一方向dr1延伸的边的长度与沿第二方向dr2延伸的边的长度相同的正方形形状，或者可以是沿第二方向dr2延伸的边的长度小于沿第一方向dr1延伸的边的长度的矩形形状，或者可以是包括曲面部的形状。
[0068]
掩模框架fr可以利用殷瓦钢(invar)而形成。然而，这仅是示例性的，只要是能够
收容掩模主体mk并能够支撑布置于掩模框架fr的上部的第一子掩模ml和第二子掩模rl的材料，则实施例并不受限。
[0069]
另外，在本说明书中，第一方向轴至第三方向轴dr1、dr2、dr3所指示的方向是相对概念，可以转换为其他方向。以下，第一方向至第三方向分别是第一方向轴至第三方向轴dr1、dr2、dr3所指示的方向，将参照相同的附图标记。
[0070]
掩模主体mk可以与在掩模框架fr中定义的第一开口部op-fr对应地布置。即，掩模主体mk在平面上的形状可以对应于在掩模框架fr中定义的第一开口部op-fr的形状。掩模主体mk在第一方向dr1上的宽度及掩模主体mk在第二方向dr2上的宽度可以小于外侧框架o-fr在第一方向dr1上的宽度及外侧框架o-fr在第二方向dr2上的宽度。掩模主体mk的沿第一方向dr1延伸的边的长度可以小于沿第二方向dr2延伸的边的长度。然而，这仅是示例性的，实施例并不限于此。
[0071]
掩模主体mk可以定义有沿厚度方向贯通的多个第二开口部op-mk。各个第二开口部op-mk在平面上的面积可以小于第一开口部op-fr在平面上的面积。多个第二开口部op-mk都可以与第一开口部op-fr重叠。尽管图2示出了在平面上观察时第二开口部op-mk具有矩形的形状的情形，但是这仅是示例性的，实施例并不限于此。例如，在平面上观察时，第二开口部op-mk的形状可以是圆形、正方形或多边形。
[0072]
掩模主体mk可以利用与掩模框架fr相同的材料形成。掩模主体mk可以利用殷瓦钢形成。然而，这仅是示例性的，实施例并不限于此，在一实施例中，掩模主体mk和掩模框架fr可以利用热膨胀系数相似的不同的材料形成。在掩模主体mk和掩模框架fr的热膨胀系数相似的情况下，可以降低掩模组件ma在后述的第一子掩模ml或第二子掩模rl的拉伸过程中损坏的风险。
[0073]
第一子掩模ml可以布置于掩模主体mk的上部。第一子掩模ml在第二方向dr2上的宽度可以小于掩模框架fr在第二方向dr2上的宽度。第一子掩模ml可以利用金属物质形成。例如，第一子掩模ml可以利用殷瓦钢形成。
[0074]
在第一子掩模ml中，可以在第一子掩模ml的整个表面定义有沿厚度方向贯通的多个第三开口部h-ml。各个第三开口部h-ml在平面上的面积可以小于各个第二开口部op-mk在平面上的面积。多个第三开口部h-ml可以与一个第二开口部op-mk重叠。尽管图2示出了在平面上观察时第三开口部h-ml具有四边形的形状的情形，但是这仅是示例性的，实施例并不限于此。
[0075]
第二子掩模rl可以布置于第一子掩模ml的上部。第二子掩模rl在第二方向dr2上的宽度可以小于掩模框架fr在第二方向dr2上的宽度。第二子掩模rl可以利用高分子物质形成。高分子物质的热膨胀系数可以是2ppm/℃以下。例如，第二子掩模rl可以包括聚酰亚胺(polyimide)。
[0076]
在第二子掩模rl中，可以在第二子掩模rl的整个表面定义有沿厚度方向贯通的多个第四开口部h-rl。各个第四开口部h-rl在平面上的面积可以小于各个第三开口部h-ml在平面上的面积。尽管图2示出了在平面上观察时第四开口部h-rl分别具有八边形的形状的情形，但是这仅是示例性的，实施例并不限于此。例如，在一实施例中，在平面上观察时，第四开口部h-rl可以分别具有圆形、四边形或多边形的形状。
[0077]
在掩模组件仅包括利用高分子形成的第二子掩模rl的情况下，在沉积工艺中，借
由布置于第二子掩模rl的上部的磁体部的上下移动会受限，因此在沉积工艺中的应用可能受限。尽管未图示，在一实施例的掩模组件ma中，在利用高分子形成的第二子掩模rl的下部布置有利用金属形成的第一子掩模ml，因此在沉积工艺中，第二子掩模rl借由通过布置于第二子掩模rl的上部的磁体进行上下移动的第一子掩模ml而一起移动，因此能够增加在沉积工艺中的应用度。
[0078]
焊接部ms可以布置于第二子掩模rl的上部。焊接部ms可以与第一子掩模ml、第二子掩模rl及外侧框架o-fr重叠。焊接部ms可以布置于第二子掩模rl与外侧框架o-fr的凹部cu-fr重叠的部分处。焊接部ms可以利用殷瓦钢形成。
[0079]
图3是将一实施例的掩模组件沿图2所示的i-i'线截取的截面图。图4是从下面观察图3所示的掩模组件的图。
[0080]
参照图3及图4，在一实施例中，第一子掩模ml可以包括沿第一方向dr1延伸并沿第二方向dr2排列的多个第一金属线ml1及沿第二方向dr2延伸并沿第一方向dr1排列的多个第二金属线ml2。各个第一金属线ml1可以以与第二金属线ml2的上下关系交替的方式沿第一方向dr1延伸，各个第二金属线ml2可以以与第一金属线ml1的上下关系交替的方式沿第二方向dr2延伸。即，第一金属线ml1和第二金属线ml2可以彼此交叉而形成晶格结构。在沿第一方向dr1延伸的金属线和沿第二方向dr2延伸的金属线交叉而形成的空间可以定义有第三开口部h-ml。
[0081]
在一实施例的掩模组件ma中，第二开口部op-mk、第三开口部h-ml及第四开口部h-rl可以彼此重叠。一个第二开口部op-mk可以与多个第三开口部h-ml及多个第四开口部h-rl重叠。第二子掩模rl中的与第三开口部h-ml分别对应的区域中对应地定义有各个第四开口部h-rl。即，第三开口部h-ml可以与第四开口部h-rl一对一地对应地被定义。各个第三开口部h-ml的面积可以大于或等于各个第四开口部h-rl的面积。即，在平面上可以通过第三开口部h-ml使第四开口部h-rl整体暴露。
[0082]
图5是将一实施例的掩模组件沿图2所示的ii-ii'线截取的截面图。图6是将一实施例的掩模组件沿图2所示的iii-iii'线截取的截面图。
[0083]
参照图5及图6，在一实施例中，第一子掩模ml的厚度t1可以小于第二子掩模rl的厚度t2。第一子掩模ml的厚度t1可以是2μm以上且5μm以下。第二子掩模rl的厚度t2可以是5μm以上且30μm以下。
[0084]
沿着外侧框架o-fr的厚度方向凹陷地定义的凹部cu-fr的深度t4可以大于第一子掩模ml的厚度t1、第二子掩模rl的厚度t2及焊接部ms的厚度t3之和。由于凹部cu-fr的深度t4大于第一子掩模ml的厚度t1、第二子掩模rl的厚度t2及焊接部ms的厚度t3之和，因此布置于第二子掩模rl的上部的焊接部ms可以不沿着厚度方向而凸出。即，焊接部ms可以布置于凹部cu-fr的内部。
[0085]
在一实施例中，外侧框架o-fr可以包括与焊接部ms重叠的第一部分pa1和不与焊接部ms重叠的第二部分pa2。第一部分pa1的厚度t5可以小于第二部分pa2的厚度t6。由于第一部分pa1与第二部分pa2之间的厚度差，可以在第一部分pa1定义有凹部cu-fr。在一实施例中，外侧框架o-fr可以定义有一个凹部cu-fr，并且可以与凹部cu-fr对应地布置有一个焊接部ms。然而，这仅是示例性的，实施例并不限于此。例如，在一实施例中，可以与一个凹部cu-fr对应地布置有多个焊接部。
[0086]
图7是将一实施例的掩模组件沿图2所示的iii-iii'线截取的截面图。以下，参照图7对一实施例的掩模组件进行详细说明。将不再说明与参照图1至图6而上述的内容相同的内容，以不同之处为主进行说明。
[0087]
与图1至图6所示的一实施例的掩模组件ma(图1)不同地，图7所示的一实施例的掩模组件ma-1在外侧框架o-fr-1定义有多个凹部cu1-fr-1、cu2-fr-1，并且在多个凹部cu1-fr-1、cu2-fr-1中的每一个的内部布置有多个焊接部ms1、ms2。
[0088]
参照图7，一实施例的掩模组件ma-1可以在外侧框架o-fr-1定义有多个凹部cu1-fr-1、cu2-fr-1。在多个凹部cu1-fr-1、cu2-fr-1中的每一个的内部可以分别布置有多个焊接部ms1、ms2。尽管图7示出了两个凹部cu1-fr-1、cu2-fr-1以及两个焊接部ms1、ms2，但是这仅是示例性的，实施例并不限于此，例如，在一实施例中，可以在外侧框架定义三个以上的凹部，并且可以包括布置于各个凹部的三个以上的焊接部。
[0089]
图8是将一实施例的掩模组件沿图2所示的ii-ii'线截取的截面图。以下，参照图8对一实施例的掩模组件进行详细说明。将不再说明与上文中参照图1至图6而说明的内容相同的内容，以不同之处为主进行说明。
[0090]
与图1至图6所示的一实施例的掩模组件ma(图1)不同地，图8所示的一实施例的掩模组件ma-2在平面上观察时，在外侧框架o-fr-2定义的凹部cu-fr-2具有曲面形状。
[0091]
参照图8，一实施例的掩模组件ma-2可以在外侧框架o-fr-2定义有具有曲面部cp且沿着厚度方向凹陷的凹部cu-fr-2。曲面部cp可以与外侧框架o-fr-2中的与第一开口部op-fr(图2)相邻的表面相邻。由于凹部cu-fr-2包括曲面部cp，因此与具有成角度的形状的情况相比，能够减少第一子掩模ml及第二子掩模rl的损坏。
[0092]
图9是一实施例的掩模组件的制造方法的流程图。图10至图14是示意性地示出掩模组件的制造方法的各步骤的图。以下，参照图9至图14对一实施例的掩模组件的制造方法进行详细说明。将不再说明与参照图1至图8说明的掩模组件的结构相关的特征，对掩模组件的制造方法的特征进行详细说明。
[0093]
参照图9，一实施例的掩模组件的制造方法包括如下步骤：提供掩模框架(s100)；与掩模框架的第一开口部对应地布置掩模主体(s300)；在掩模主体的上部布置第一子掩模(s500)；在第一子掩模的上部布置第二子掩模(s700)；在第二子掩模的上部布置金属棒(s900)；以及焊接掩模框架、第一子掩模、第二子掩模及金属棒(s1100)。
[0094]
图10是示意性地示出提供掩模框架(s100)的步骤的图。图11是示意性地示出与掩模框架的第一开口部对应地布置掩模主体(s300)的步骤的图。参照图10及图11，一实施例的掩模组件的制造方法可以包括与掩模框架fr的第一开口部op-fr对应地布置掩模主体mk(s300)的步骤。
[0095]
图12是示意性地示出在掩模主体的上部布置第一子掩模(s500)的步骤的图。参照图12，在掩模主体mk的上部布置第一子掩模ml的步骤可以是将第一子掩模ml布置为与整个掩模主体mk重叠的步骤。在掩模主体mk的上部布置第一子掩模ml的步骤可以是将第一子掩模ml布置为与外侧框架o-fr局部重叠的步骤。
[0096]
在掩模主体mk的上部布置第一子掩模ml的步骤可以包括拉伸第一子掩模ml以使在外侧框架o-fr定义的凹部cu-fr与第一子掩模ml重叠的步骤。拉伸第一子掩模ml的步骤可以是沿第一方向dr1及第二方向dr2拉伸第一子掩模ml以使第一子掩模ml与掩模主体mk
的整个表面重叠的步骤。尽管未图示，拉伸第一子掩模ml的步骤可以是通过加热来拉伸第一子掩模ml的步骤。然而，这仅是示例性的，拉伸第一子掩模ml的方法并不限于此。
[0097]
拉伸第一子掩模ml的步骤可以是为了执行作为后续工艺的焊接步骤而拉伸第一子掩模ml以使第一子掩模ml与掩模主体mk、掩模框架fr对齐的步骤。
[0098]
图13是示意性地示出在第一子掩模的上部布置第二子掩模的步骤的图。参照图13，并再次参照图4，在第一子掩模ml的上部布置第二子掩模rl的步骤可以是将在第一子掩模ml定义的多个第三开口部h-ml中的每一个与在第二子掩模rl定义的第四开口部h-rl中的每一个相对应地布置的步骤。
[0099]
在第一子掩模ml的上部布置第二子掩模rl的步骤可以包括拉伸第二子掩模rl以使掩模框架fr的凹部cu-fr与第二子掩模rl重叠且第三开口部h-ml中的每一个与第四开口部h-rl中的每一个重叠的步骤。拉伸第二子掩模rl的步骤可以是沿第一方向dr1和第二方向dr2全部拉伸第二子掩模rl以使第二子掩模rl与掩模主体mk的整个表面重叠的步骤。尽管未图示，但是拉伸第二子掩模rl的步骤可以是通过施加热量来拉伸第二子掩模rl的步骤。然而，这仅是示例性的，拉伸第二子掩模rl的方法并不限于此。
[0100]
为了执行作为后续工艺的焊接步骤，可以拉伸第二子掩模rl而将第二子掩模rl与掩模主体mk、掩模框架fr及第一子掩模ml对齐。
[0101]
将再次参照图5说明在第二子掩模的上部布置金属棒(s900)的步骤。
[0102]
再次参照图5，一实施例的掩模组件的制造方法可以包括在第二子掩模rl的上部布置金属棒w-ms的步骤。如图13所示，第一子掩模ml及第二子掩模rl未布置于凹部cu-fr内部，但是在第二子掩模rl的上部布置金属棒w-ms，从而可以将第一子掩模ml、第二子掩模rl和金属棒w-ms布置在凹部cu-fr内部。
[0103]
图14是示意性地示出焊接掩模框架、第一子掩模、第二子掩模及金属棒(s1100)的步骤的图。
[0104]
参照图14，在金属棒w-ms的上部利用焊接单元wu发出焊接光束wb来焊接掩模框架fr、第一子掩模ml、第二子掩模rl及金属棒w-ms。由于第二子掩模rl可能利用高分子物质形成，因此存在直接焊接时被损坏的问题。由于根据一实施例的掩模组件的制造方法包括金属棒w-ms，从而与在第二子掩模rl的上部进行焊接的情况相比，能够提高焊接强度。
[0105]
图15是详细地示出在根据一实施例的掩模组件的制造方法中在第一子掩模的上部布置第二子掩模(s700)的步骤的流程图。图16至图18是示意性地示出图15的流程图的各步骤的图。
[0106]
参照图15，根据一实施例的掩模组件的制造方法中，在第一子掩模的上部布置第二子掩模的步骤(s700)可以包括如下步骤：提供玻璃基板(s710)；在玻璃基板的上部提供高分子层(s720)；通过对高分子层进行图案化而形成第四开口部来形成第二子掩模(s730)；将第二子掩模布置在第一子掩模的上部(s740)；以及去除玻璃基板(s750)。
[0107]
图16是示意性地示出通过对高分子层进行图案化而形成第四开口部来形成第二子掩模(s730)的步骤的图。图17是示意性地示出高分子层被图案化的图。
[0108]
参照图16及图17，通过对高分子层进行图案化而形成第四开口部来形成第二子掩模(s730)的步骤可以包括利用激光单元lu向布置于玻璃基板gl的上部的高分子层w-rl照射激光束lb的步骤。高分子层w-rl可以包括聚酰亚胺。尽管图16仅示出了利用激光蚀刻法
对高分子层w-rl进行图案化的步骤，但是这仅是示例性的，实施例并不限于此。尽管未图示，但是在一实施例中，通过对高分子层w-rl进行图案化来形成第二子掩模rl(s730)的步骤可以包括利用干式蚀刻法来对高分子层w-rl进行图案化的步骤。
[0109]
图18是示意性地示出将第二子掩模布置在第一子掩模的上部(s740)的步骤的图。参照图18，可以包括以使玻璃基板gl暴露于外部的方式将第二子掩模rl布置在第一子掩模ml的上部(s740)的步骤。如果在将第二子掩模布置在第一子掩模的上部(s740)的步骤之后执行去除玻璃基板(s750)的步骤，则可以如图3所示，第二子掩模rl可以以没有玻璃基板gl的方式布置在第一子掩模ml的上部。
[0110]
一实施例能够提供一种包括掩模主体、布置于掩模主体的上部且利用金属形成的第一子掩模及布置于第一子掩模的上部且利用高分子形成的第二子掩模的低重量的大型掩模组件。
[0111]
一实施例能够提供一种包括在掩模主体的上部布置利用金属形成的第一子掩模的步骤及在第一子掩模的上部布置利用高分子形成的第二子掩模的步骤而制造低重量的大型掩模组件的方法。
[0112]
以上，虽然参照本发明的优选实施例进行了说明，但只要是本技术领域的熟练的技术人员或者具有本技术领域中的普通知识的人员，便可以理解在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想和技术领域的范围内，可以对本发明进行多样的修改和变更。
[0113]
因此，本发明的技术范围并不应该局限于说明书的详细说明中记载的内容，而应当通过权利要求范围来确定。