显示面板及电子设备的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及电子设备。


背景技术：

2.随着液晶面板的不断发展，高分辨率的产品被不断开发，但随着像素的增多，容易导致一系列的问题发生，例如：在对液晶面板进行某些压力测试或跌落测试时，容易出现亮点、雪花等亮度不均匀问题；此外，面板中的电极结构极易在制造过程中受到杂质颗粒(partical)的影响，极易形成断线等不良情况，导致像素失效，降低了产品良率，从而影响产品信赖性和产品质量。


技术实现要素：

3.本公开的目的在于提供一种显示面板及电子设备，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
4.本公开第一方面提供了一种显示面板，其包括对盒设置的阵列基板和对置基板：
5.所述阵列基板包括第一衬底及形成在所述第一衬底靠近所述对置基板一侧的扫描线、数据线、第一挡墙及第二挡墙；所述数据线在第一方向上延伸，所述扫描线在第二方向上延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；所述第一挡墙和所述第二挡墙分别位于所述扫描线在所述第一方向上的相对两侧，且所述第一挡墙和所述第二挡墙均包括与所述扫描线同层设置并相互间隔的第一阻挡层和与所述数据线同层设置并相互间隔的第二阻挡层，所述第二阻挡层在所述第一衬底上的正投影与所述第一阻挡层在所述第一衬底上的正投影存在交叠；所述第一阻挡层与所述扫描线在所述第一方向上的间距为第一间距，所述第二阻挡层与所述扫描线在所述第一方向上的间距为第二间距，所述第二间距大于所述第一间距；
6.所述对置基板包括第二衬底和位于所述第二衬底靠近所述阵列基板一侧的隔垫物，所述隔垫物靠近所述第一衬底的表面为顶表面，所述隔垫物的顶表面在所述第一衬底上的正投影位于所述扫描线在所述第一衬底的正投影内，并位于所述第一挡墙和所述第二挡墙在所述第一衬底上的正投影之间；且所述隔垫物的顶表面在所述第一方向上的尺寸大于所述第一间距。
7.在本公开的一种示例性实施例中，所述隔垫物的顶表面在所述第一方向上的尺寸与所述第一间距之间的比值大于等于2。
8.在本公开的一种示例性实施例中，所述第二阻挡层与所述隔垫物在所述第一方向上的间距为第三间距，所述第三间距与所述隔垫物的顶表面在所述第一方向上的尺寸之间的比值大于等于0.5。
9.在本公开的一种示例性实施例中，所述第三间距与所述隔垫物的顶表面在所述第一方向上的尺寸之间的比值大于等于1。
10.在本公开的一种示例性实施例中，所述第三间距与所述数据线在所述第二方向上
的尺寸之间的比值为2至4。
11.在本公开的一种示例性实施例中，所述第二阻挡层在所述第一衬底上的正投影位于所述第一阻挡层在所述第一衬底上的正投影内，且所述第一方向与所述第二方向相垂直。
12.在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括形成在所述第一衬底上并在所述第二方向延伸的第一公共线，所述第一公共线与所述扫描线同层设置并相互间隔；
13.其中，所述第二挡墙的第一阻挡层为所述第一公共线的部分结构。
14.在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括多个子像素单元，沿所述第二方向和所述第一方向阵列排布在所述第一衬底上；
15.每个所述子像素单元包括像素电极、公共电极和晶体管：所述晶体管包括栅极、第一极和第二极，所述栅极与所述扫描线连接，所述第一极与所述像素电极连接，所述第二极与所述数据线连接；
16.所述公共电极在所述第一衬底上的正投影与所述像素电极在所述第一衬底上的正投影存在交叠，且所述公共电极与所述第一公共线连接。
17.在本公开的一种示例性实施例中，所述像素电极位于所述公共电极远离所述第一衬底的一侧，所述像素电极包括：
18.第一电极部，包括在所述第一方向上延伸的第一连接条以及在所述第一方向上间隔排布的多个第一电极条，所述第一连接条具有在所述第二方向上相对的第一侧和第二侧，所述多个第一电极条位于所述第一连接条的第一侧并与所述第一连接条连接，且相邻所述第一电极条中远离所述第一连接条的端部之间呈开口状；
19.第二电极部，与所述第一电极部在所述第一方向上间隔排布，所述第二电极部包括在所述第一方向上延伸的第二连接条以及在所述第一方向上间隔排布的多个第二电极条，所述第二连接条位于所述第一侧远离所述第二侧的位置，所述第二连接条具有在所述第二方向上相对的第三侧和第四侧，所述第三侧位于所述第四侧靠近所述第一侧的位置；所述多个第二电极条位于所述第二连接条的第三侧并与所述第二连接条连接，且相邻所述第二电极条的远离所述第二连接条的端部之间呈开口状；
20.导电连接部，位于所述第一电极部与所述第二电极部之间，所述导电连接部的两端分别与所述第一连接条和所述第二连接条连接；且所述导电连接部的面积大于所述第一电极条的面积和所述第二电极条的面积。
21.在本公开的一种示例性实施例中，所述导电连接部包括在所述第二方向上间隔排布且均在所述第一方向上延伸的第一导电连接条和第二导电连接条，以及位于所述第一导电连接条和所述第二导电连接条之间并在所述第一方向上间隔排布的至少两条第三导电连接条，各所述第三导电连接条的两端分别与所述第一导电连接条和所述第二导电连接条连接；
22.其中，所述第一导电连接条与所述第一连接条连接，所述第二导电连接条与所述第二连接条连接。
23.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电极条、所述第二电极条及所述第三导电连接条均在第三方向上延伸，且所述第一电极条、所述第二电极条及所述第三导电连接条的第一宽度相等；
24.其中，所述第一宽度为在第四方向上的尺寸，所述第三方向与所述第四方向垂直，且所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向相交。
25.在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：与所述数据线同层设置并相互间隔的第二公共线，所述第二公共线在所述第一方向上延伸，且所述第二公共线的两端分别通过第一过孔结构与在所述第一方向上相邻两所述子像素单元的公共电极连接。
26.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一过孔结构包括第一过孔部、第二过孔部及过孔连接部，所述过孔连接部与所述像素电极同层设置并相互间隔，所述过孔连接部通过所述第一过孔部与所述第二公共线连接，所述过孔连接部通过所述第二过孔部与所述公共电极连接。
27.本公开第二方面提供了一种电子设备，其包括上述中任一项所述的显示面板。
28.本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
29.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
30.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1示出了相关技术中的电极结构的结构示意图；
32.图2示出了本公开一实施例所述的电极结构的结构示意图；
33.图3示出了本公开另一实施例所述的电极结构的结构示意图；
34.图4示出了本公开一实施例所述的显示面板的局部结构示意图；
35.图5示出了本公开一实施例所述的显示面板的结构示意图；
36.图6示出了图5中所示的a部的放大结构示意图；
37.图7示出了图6中沿c
‑
c方向的剖视结构示意图；
38.图8示出了图5中第一过孔结构的放大结构示意图。
39.图1中附图标记：
40.10、狭缝电极；11、狭缝；
41.图2至图8中附图标记：
42.20、第一电极部；201、第一连接条；201a、第一侧；201b、第二侧；202、第一电极条；21、第二电极部；211、第二连接条；211a、第三侧；211b、第四侧；212、第二电极条；213、信号连接部；22、导电连接部；221、第一导电连接条；222、第二导电连接条；223、第三导电连接条；
43.3、阵列基板；30、第一衬底；301、子像素区；302、第一布线区；303、第二布线区；31、扫描线；32、第一公共线；33、数据线；34、像素电极；35、公共电极；36、晶体管；360、有源层；361、栅极；362、第一极；363、第二极；37、第二公共线；38a、第一挡墙；38b、第二挡墙；381、第一阻挡层；382、第二阻挡层；
44.4、对置基板；40、遮挡层；41、第二衬底；42、隔垫物；
45.5、液晶分子。
具体实施方式
46.下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。
47.另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
48.tft
‑
lcd(thin film transistor
‑
liquid crystal display，薄膜晶体管液晶显示器)技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在si(硅基)上进行微电子精细加工的技术，再移植到大面积玻璃上进行tft阵列的加工，以形成阵列基板；再利用已成熟的lcd技术将该阵列基板与另一块带彩膜层的基板(即：对置基板)进行对盒，以形成一个液晶盒，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示面板。
49.应当理解的是，液晶盒还包括隔垫物(photo spacer，简称：ps)，其主要作用为支撑液晶盒，使液晶显示面板各个区域盒厚保持一致，保证面板的亮度均一性。但对于ads(advanced super dimension switch，高级超维场转换)或ips(in
‑
plane switching，平面转换)等水平电场偏转产品，当面板受到外部应力时，ps会发生移动，若移动较大，ps可能划伤狭缝电极(具有缝隙的电极结构)上的配向膜(即：pi膜)，使该区域液晶配向失效，导致l0时发生漏光，宏观上形成不规则的亮斑，影响产品品质。
50.相关技术中，如图1所示，液晶显示面板的狭缝电极10的图形设计为内部开设有狭缝11，且狭缝11四周闭合，但这种狭缝电极10周边光效较差，从而容易出现显示不良。
51.为解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种电极结构，此电极结构可用于液晶显示面板中，并可作为液晶显示面板的像素电极或公共电极使用；举例而言，此电极结构可为ito(氧化铟锡)电极，其呈透明状态。
52.详细说明，如图2所示，电极结构可包括在第一方向y上依次排布的第一电极部20、导电连接部22及第二电极部21；其中：
53.第一电极部20可包括在第一方向y上延伸的第一连接条201以及在第一方向y上间隔排布的多个第一电极条202，第一连接条201具有在第二方向x上相对的第一侧201a和第二侧201b，多个第一电极条202位于第一连接条201的第一侧201a并与第一连接条201连接，且相邻第一电极条202中远离第一连接条201的端部之间呈开口状，也就是说，相邻第一电极条202中远离第一连接条201的端部之间无连接。
54.需要说明的是，前述提到多个第一电极条202在第一方向y上间隔排布，也就说明，相邻第一电极条202之间具有第一缝隙s1，此第一缝隙s1呈半开放状。
55.第二电极部21包括在第一方向y上延伸的第二连接条211以及在第一方向y上间隔排布的多个第二电极条212，第二连接条211位于第一侧201a远离第二侧201b的位置，第二连接条211具有在第二方向x上相对的第三侧211a和第四侧211b，第三侧211a位于第四侧211b靠近第一侧201a的位置，需要说明的是，第二方向x与第一方向y相互垂直；多个第二电
极条212位于第二连接条211的第三侧211a并与第二连接条211连接，且相邻第二电极条212的远离第二连接条211的端部之间呈开口状，也就是说，相邻第二电极条212的远离第二连接条211的端部之间无连接。
56.需要说明的是，前述提到多个第二电极条212在第一方向y上间隔排布，也就说明，相邻第二电极条212之间具有第二缝隙s2，此第二缝隙s2呈半开放状。
57.导电连接部22位于第一电极部20与第二电极部21之间，导电连接部22的两端分别与第一连接条201和第二连接条211连接。
58.在本公开的实施例中，通过将电极结构的第一电极部20和第二电极部21分别设计有呈半开放式的第一缝隙s1和第二缝隙s2，使得第一缝隙s1和第二缝隙s2开口处也可发生液晶分子偏转；因此，相比于图1示出的缝隙周围呈闭合的电极结构，可提高电极结构周围的光效。
59.此外，如图2所示，第一电极部20的第一缝隙s1和第二电极部21的第二缝隙s2中一者开口方向朝右，另一者开口方向朝左；即：第一电极部20的第一缝隙s1和第二电极部21的第二缝隙s2的开口朝向相反，这样可均衡电极结构在第二方向x的两侧(即：图2中的左右两侧)的光效，从而使得电极结构周边光效更加均衡，以提高显示效果。
60.可选地，第一电极部20、第二电极部21与导电连接部22在参考平面上的正投影相互重合，此处提到的重合指的是在误差允许的范围内完全重合，这样设计可降低电极结构的设计难度，从而利于阵列基板中多个电极结构的排布，但不限于此，第一电极部20、第二电极部21与导电连接部22在参考平面上的正投影也可不重合，视具体情况而定。
61.需要说明的是，本公开提到的参考平面为与第一方向y相垂直的平面。
62.其中，前述提到的第一电极条202和第二电极条212可相互平行，即：第一电极条202和第二电极条212的延伸方向相互平行，以均衡第一电极部20和第二电极部21处的光效。具体地，第一电极条202和第二电极条212均在第三方向q上延伸，第三方向q与第一方向y和第二方向x相交，也就是说，第三方向q不与第一方向y和第二方向x平行或共线，这样设计可减小色偏，以提高显示效果。
63.举例而言，第三方向q与第二方向x之间所夹锐角可为5
°
至15
°
，比如：5
°
、7
°
、9
°
、11
°
、13
°
、15
°
等等。
64.可选地，第一电极条202的第一宽度可与第二电极条212的第一宽度相等；此外，第一缝隙s1的第一宽度可与第二缝隙s2的第一宽度相等，这样可进一步均衡第一电极部20和第二电极部21处的光效，以提高产品显示效果。
65.需要说明的是，本公开中提到的第一宽度指的是在第四方向p上的尺寸，此第四方向p与第三方向q相互垂直。
66.其中，为了保证第一电极部20和第二电极部21处的液晶分子偏转良好，以提高第一电极部20和第二电极部21处的光效；第一电极条202的第一宽度、第一缝隙s1的第一宽度、第二电极条212的第一宽度及第二缝隙s2的第一宽度需满足一定的要求；即：第一缝隙s1的第一宽度与第一电极条202的第一宽度之比可为1至4，比如：1、1.5、2、2.5、3、3.5、4等等。
67.具体地，本公开实施例的第一电极条202和第二电极条212的第一宽度可为1.8μm至3μm，比如：1.8μm、2μm、2.2μm、2.4μm、2.6μm、2.8μm、3μm等等；第一缝隙s1和第二缝隙s2的
第一宽度可为3μm至7μm，比如：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm、5.5μm、6μm、6.5μm、7μm等等。
68.此外，为进一步均衡第一电极部20和第二电极部21处的光效，以提高产品显示效果；第一连接条201的第二宽度与第二连接条211的第二宽度可相等。其中，第一连接条201与第二连接条211的第二宽度可与第一电极条202和第二电极条212的第一宽度相等，但不限于此，也可略大于第一电极条202和第二电极条212的第一宽度，以在提高光效的同时，还可改善由于第一连接条201和第二连接条211的第一宽度过小而导致其容易断线的情况，提高了产品良率。
69.需要说明的是，本公开实施例提到的第二宽度为在第二方向x上的尺寸。
70.其中，前述提到电极结构的第一电极部20和第二电极部21通过导电连接部22连接，为了避免在制造过程中导电连接部22受到partical(杂质颗粒)影响而发生断线的情况，本公开实施例中将导电连接部22的面积设计的较大，以避免其极易形成断线而导致像素失效的情况，具体地，本公开实施例的导电连接部22的面积大于第一电极条202的面积和第二电极条212的面积。
71.应当理解的是，此导电连接部22整体也可在第三方向q上延伸，以降低加工设计难度。举例而言，当导电连接部22在参考平面上的正投影与第一电极部20和第二电极部21在参考平面上的正投影重合时，为了使得导电连接部22的面积大于第一电极条202和第二电极条212的面积，本实施例可使第一电极条202的第一宽度和第二电极条212的第一宽度小于导电连接部22整体的第一宽度。
72.在本公开的一实施例中，如图3所示，导电连接部22可包括第一导电连接条221、第二导电连接条222及至少两条第三导电连接条223；其中，第一导电连接条221和第二导电连接条222均在第一方向y上延伸，且第一导电连接条221和第二导电连接条222在第二方向x上间隔排布，此第一导电连接条221与第一连接条201连接，第二导电连接条222与第二连接条211连接；至少两条第三导电连接条223在第一方向y上间隔排布，并位于第一导电连接条221和第二导电连接条222之间，且各第三导电连接条223的两端(即：在其延伸方向上的两端)分别与第一导电连接条221和第二导电连接条222连接，也就是说，相邻第三导电连接条223之间具有为第三缝隙s3，且此第三缝隙s3四周闭合。
73.本公开实施例中，通过在导电连接部22内部进行开缝(即：第三缝隙s3)设计，一方面可减小导电连接部22上方的光效损失，从而可提高电极结构整体光效，另一方面，可以使得第一电极部20和第二电极部21通过至少两条导线(即：第三导电连接条223)连接导通，这样即使partical导致其中一条导线断开，仍有其他导线连接导通第一电极部20和第二电极部21，从而可大大降低了像素失效的发生率，即：提高了产品良率。
74.可选地，第三导电连接条223设置两条，在保证第一电极部20和第二电极部21连接导通稳定的同时，还可适当减小导电连接部22在电极结构中的占比，即：为第一电极部20和第二电极部21提供更多的设计空间，换言之，第一电极部20和第二电极部21的面积可大于导电连接部22的面积，由于第一电极部20和第二电极部21的缝隙呈半开放设计，而导电连接部22的缝隙为封闭式设计，因此，第一电极部20和第二电极部21处的光效优于导电连接部22处的光效；这样通过使第一电极部20和第二电极部21的面积大于导电连接部22的面积，可提高电极结构整体的光效，提高产品质量。此外，由于开设第三缝隙s3，还可缓解在制作过程中partical落到导电连接部22上的情况，从而可缓解导电连接部22的阻值因
partical增加的情况，继而缓解对像素的驱动产生的影响。
75.但应当理解的是，第三导电连接条223不限于设置两条，也可设置为三条、四条等，视具体情况而定。
76.其中，为了进一步减小导电连接部22在电极结构中的占比，第一导电连接条221的长度和第二导电连接条222的长度均小于第一连接条201的长度以及小于第二连接条211的长度。应当理解的是，此处提到的长度为在第一方向y上的尺寸。
77.可选地，第一导电连接条221的第二宽度与第一连接条201的第二宽度可相等，第二导电连接条222的第二宽度与第二连接条211的第二宽度可相等。
78.在本公开的实施例中，第三导电连接条223也可在第三方向q上延伸。其中，第三导电连接条223的第一宽度可与第一电极条202的第一宽度相等；此外，且相邻第三导电连接条223之间的第三缝隙s3可与相邻第一电极条202之间的第一缝隙s1、相邻第二电极条212之间的第二缝隙s2的相等，这样可均衡导电连接部22与第一电极部20和第二电极部21处的光效，以提高产品显示效果。
79.进一步地，第三导电连接条223与第一电极条202之间的第四缝隙s4、第三导电连接条223与第二电极条212之间的第五缝隙s5与前述提到的第一缝隙s1、第二缝隙s2、第三缝隙s3均相等，以均衡导电连接部22、第一电极部20、第二电极部21处以及三者之间处的光效，从而可提高产品显示效果。
80.在本公开的另一实施例中，如图2所示，导电连接部22可为一条导电连接条，此导电连接条在第三方向q上延伸，其中，导电连接条的第一宽度与第一电极条202的第一宽度之比可为1.5至5.5，也就是说，导电连接部22相比于第一电极条202进行了加宽处理，以改善导电连接部22容易断线的情况，保证产品质量。
81.举例而言，在导电连接部22仅为一条导电连接条时，此导电连接条的第一宽度可为5μm至10μm，比如：5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm等等。
82.在本公开的一实施例中，如图2和图3所示，第二电极部21还可包括信号连接部213，此信号连接部213可位于多个第二电极条212远离导电连接部22的一侧并与第二连接条211连接。举例而言，在本公开的电极结构为公共电极时，此信号连接部213可与阵列基板中的公共线连接，也就是说，此信号连接部213处可用于接收公共信号；但不限于此，在本公开的电极结构为像素电极时，此信号连接部213还可与阵列基板中的晶体管的源漏电极连接，用于接收来自源漏电极传递过来的信号，例如：数据信号。
83.需要说明的是，图2和图3中虚线不具有实际意义，仅仅是为了将前述提到的各结构进行区分，以方便理解前述提到的各结构之间的位置关系。
84.此外，还应当理解的是，信号连接部213的形状不限于图2和图3所示，也可为其他形状，视具体情况而定。其中，还需说明的是，本公开实施例提到的电极结构整体为一体式结构。
85.本公开实施例还提供了一种显示面板，此显示面板可为液晶显示面板；如图4所示，显示面板可包括对盒设置的阵列基板3和对置基板4，以及还可包括位于对置基板4与阵列基板3之间的液晶分子5。
86.下面结合附图2至图8对本公开实施例在本公开实施例的显示面板进行详细说明。
87.结合图5至7所示，阵列基板3可包括第一衬底30及形成在第一衬底30上的多个子
像素单元、多行扫描线31、多行第一公共线32、多列数据线33，其中：
88.如图5所示，第一衬底30可具有沿行方向x和列方向y呈阵列排布的多个子像素区301、位于相邻两行子像素区301之间的第一布线区302以及位于相邻两列之间的第二布线区303，第一布线区302与第二布线区303之间存在交叠。
89.举例而言，如图7所示，此第一衬底30可为单层结构，该第一衬底30可为玻璃基板，但不限于此，此第一衬底30还可为多层结构。且第一衬底30的材料不限于玻璃，也可为其他材料，例如：聚酰亚胺(pi)等材料，视具体情况而定。
90.如图5所示，多个子像素单元形成在第一衬底30上，每个子像素单元包括至少部分位于子像素区301内的像素电极34、公共电极35以及至少部分位于第一布线区302的晶体管36。此外，子像素单元中还可包括存储电容(图中未示出)。
91.在本公开的实施例中，结合图5和图6所示，晶体管36可包括有源层360、栅极361及同层设置的第一极362和第二极363；其中，栅极361与有源层360之间还可设置绝缘层，以使栅极361与有源层360之间相互绝缘，此绝缘层可采用无机材料制作而成，例如，氧化硅、氮化硅等无机材料。需要说明的是，栅极361可与扫描线31同层设置，栅极361可属于前述提到的扫描线31的一部分。
92.其中，晶体管36可为顶栅型，也可为底栅型。在本公开的实施例中主要以晶体管36为底栅型为例进行说明。在晶体管36为底栅型时，栅极361形成在第一衬底30上，此栅极361可包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能；绝缘层形成在第一衬底30上并覆盖栅极361，此绝缘层可采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料；有源层360形成在绝缘层背离第一衬底30的一侧，第一极362和第二极363分别与有源层360的两掺杂区连接，第一极362和第二极363可包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(al/ti/al)等。
93.应当理解的是，子像素单元中晶体管36的数量可设置有多个，此晶体管36还分为n型和p型等。
94.在本公开的实施例中，结合图5和图6所示，像素电极34可与第一极362连接，其中，晶体管36的第一极362可为漏电极，第二极363可为源电极，但不限于此，也可晶体管36的第一极362为源电极，第二极363为漏电极，视具体情况而定；而公共电极35在第一衬底30上的正投影可与像素电极34在第一衬底30上的正投影存在交叠。
95.其中，像素电极34和公共电极35中的至少一者为前述任一实施例所描述的电极结构，从而可提高像素周边光效，提高产品质量。需要说明的是，本实施例中提到的行方向x可为前述提到的第二方向x，而列方向y可为前述提到的第一方向y。
96.在本公开的实施例中，如图7所示，像素电极34可位于公共电极35远离第一衬底30的一侧，也就是说，公共电极35可先于像素电极34制作在第一衬底30上；举例而言，此公共电极35可为板状电极；即：公共电极35为一整块并未开设狭缝；而像素电极34可为前述任一实施例所描述的电极结构；通过像素电极34和公共电极35之间产生的电场，使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子发生偏转，可提高液晶的工作效率，且增加了透光效率。
97.应当理解的是，本公开中像素电极34和公共电极35之间的位置关系不限于前述提到的关系，例如：也可像素电极34位于公共电极35靠近第一衬底30的一侧，且此公共电极35
为前述任一实施例所描述的电极结构；而像素电极34为板状电极。
98.在本公开的实施例中，为了保证阵列基板的透光率，像素电极34可采用ito材料制作而成，但不限于此，也可采用氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)等透明材料制作而成；也就是说，由于像素电极34采用的材料与晶体管36的栅极361、第一极362和第二极363的材料不同，因此，该像素电极34与晶体管36的栅极361、第一极362和第二极363可采用不同构图工艺制作而成。
99.举例而言，如图7所示，公共电极35可位于晶体管36的第一极362和第二极363靠近第一衬底30的一侧；其中，公共电极35可在形成晶体管36的栅极361之前形成在第一衬底30上，也就是说，在制作阵列基板时，可先采用一构图工艺在第一衬底30上形成公共电极35，然后再采用另一构图工艺在第一衬底30上形成晶体管36的栅极361。需要说明的是，公共电极35与栅极361虽然都形成在第一衬底30上，但公共电极35与栅极361之间相互断开(即：无连接)；应当理解的是，公共电极35还可在形成晶体管36的栅极361之后形成在第一衬底30上，且此公共电极35还可位于栅极361远离第一衬底30的一侧，视具体情况而定。
100.同理，为了保证阵列基板的透光率，像素电极34也可采用ito等透明导电材料制作而成；此像素电极34可形成在晶体管36的第一极362和第二极363远离第一衬底30的一侧，应当理解的是，此像素电极34和晶体管36的第一极362和第二极363之间还具有一层绝缘层，此像素电极34可通过第二过孔结构h2与晶体管的第一极362连接；具体地，在像素电极34为前述实施例提到的电极结构时，该像素电极34可通过信号连接部213经第二过孔结构h2与晶体管的第一极362连接，应当理解的是，此信号连接部213可位于第一布线区302内。
101.其中，在像素电极34为前述实施例提到的电极结构时，在第一方向y、第二方向x上相邻的两像素电极34中第一电极部20的狭缝开口方向相反，且第二电极部21的狭缝开口相反。此外，还需说明的是，阵列基板3中各电极结构的整体形状可稍有不同，例如：部分电极结构需要为阵列基板3中的其他结构做避让设计等等，但应当理解的是，虽然阵列基板3中各电极结构的整体形状可不完全相同，但整体设计构思应是相同的，即：第一电极部20、第二电极部21均为半开锋设计，且导电连接部22整体的第一宽度大于第一电极条202和第二电极条212的第一宽度。
102.如图5所示，至少一行扫描线31可位于一第一布线区302内，换言之，每一第一布线区302内可设置有至少一行扫描线31，应当理解的是，此扫描线31整体可看作在行方向x上延伸；其中，扫描线31与子像素单元中晶体管36的栅极361连接，前述提到扫描线31可与晶体管36的栅极361同层设置且为一体式结构，此扫描线31被配置为向子像素单元提供扫描信号。
103.如图5所示，至少一行第一公共线32可位于一第一布线区302内，换言之，每一第一布线区302内可设置有至少一行第一公共线32，应当理解的是，此第一公共线32整体可看作在行方向x上延伸；其中，第一公共线32可与公共电极35连接，其被配置为向子像素单元提供公共信号。
104.举例而言，第一公共线32可与扫描线31同层设置；其中，前述提到公共电极35可先于扫描线31设置在第一衬底30上，因此，为了使得第一公共线32与公共电极35连接，在制作第一公共线32的过程中，可使第一公共线32与公共电极35搭接在一起。
105.在本公开的实施例中，如图5所示，每一第一布线区302内可设置有一行扫描线31
和一行第一公共线32，应当理解的是，此扫描线31与第一公共线32之间相互断开，即：扫描线31在第一衬底30上的正投影与第一公共线32在第一衬底30上行的正投影不交叠。需要说明的是，第一布线区302内不限于设置一行扫描线31和一行第一公共线32，也可设置两行扫描线31，或不设置第一公共线32等等，视具体情况而定。本公开实施例主要以每一第一布线区302内设置有一行扫描线31和一行第一公共线32进行说明。
106.如图5所示，至少一列数据线33可位于一第二布线区303内，换言之，每一第二布线区303内设置至少一列数据线33，应当理解的是，此数据线33整体可看作在列方向y上延伸，此数据线33在第一衬底30上的正投影与扫描线31和第一公共线32在第一衬底30上的正投影存在交叠。其中，数据线33可与子像素单元中晶体管36的第二极363连接，其被配置为向子像素单元提供数据信号。
107.举例而言，本公开实施例的数据线33可与子像素单元中晶体管36的第一极362和第二极363同层设置，即：可采用同一构图工艺制作而成，以降低掩膜成本；但不限于此，也可采用不同构图工艺制作而成，视具体情况而定。
108.其中，如图5所示，每一第二布线区303内可设置一列数据线33，此数据线33可与同一列中各子像素单元的第二极363连接，也就是说，数据线33可为同一列子像素单元提供数据信号。
109.在本公开的实施例中，每列数据线33可关于其中轴线呈对称设置，需要说明的是，此处提到的中轴线为经过数据线33的中心并在列方向y上延伸的线。
110.可选地，在一列子像素单元中，各子像素单元的第一极362和与其相连的数据线33在行方向x上的间距相等，以保证每列中各子像素单元的晶体管36和数据线33之间的耦合电容接近一致，保证每列各子像素单元处的光效均一性。需要说明的是，在一列子像素单元中各子像素单元的第一极362和与其相连的数据线33在行方向x上的间距相等的同时，该列第一极362与栅极361交叠面积需要与其他列保持一致。
111.如图5所示，阵列基板还可包括第二公共线37，此第二公共线37可与数据线33同层设置并相互间隔。其中，第二公共线37在第一方向y上延伸，此第二公共线37在第一衬底30上的正投影的中间部分位于第一布线区302，其两端分别位于子像素区301内。在本公开的实施例中，第二公共线37的两端分别通过第一过孔结构h1与在第一方向y上相邻两子像素的公共电极35连接。
112.可选地，如图8所示，第一过孔结构h1包括第一过孔部h11、第二过孔部h12及过孔连接部h13，过孔连接部h13与像素电极34同层设置并相互间隔，过孔连接部h13通过第一过孔部h11与第二公共线37连接，过孔连接部h13通过第二过孔部h12与公共电极35连接。
113.在本公开的实施例中，如图5至图7所示，对置基板4还可包括第二衬底41和位于第二衬底41靠近阵列基板3一侧的隔垫物42以及位于隔垫物42靠近第二衬底41一侧的遮挡层40。其中，第二衬底41的具体结构可参考第一衬底30的描述，在此不再重复赘述；遮挡层40在第一衬底30上的正投影可完全覆盖第一布线区302、第二布线区303和覆盖至少部分子像素区30；而隔垫物42可设置有多个，此隔垫物42的设置可以提高显示面板整体厚度的均一性，并可提高显示面板对液晶分子波动的容忍度，进而提高显示面板的良率。
114.举例而言，多个隔垫物42中可包括主隔垫物和辅隔垫物，该主隔垫物在显示面板未受到外界压力时，其远离第二衬底41的一端与阵列基板3接触，其主要起到支撑作用；而
辅隔垫物在显示面板未受到外界压力时，辅隔垫物远离第二衬底41的一端与阵列基板1之间具有一定的间距，也就是说，主隔垫物与辅隔垫物之间存在段差(高度差)，通过调节主隔垫物与辅隔垫物之间的段差可以对显示面板的厚度进行微调。
115.示例地，主隔垫物的高度大于辅隔垫物的高度，当显示面板受到外界压力时，主隔垫物先承受所有压力并压缩，当主隔垫物压缩至主隔垫物与辅隔垫物之间的段差降为0时，主隔垫物和辅隔垫物共同承受外界压力。
116.需要说明的是，主隔垫物和辅隔垫物这两种可按照一定周期排布。工艺制作过程中需要对不同种类隔垫物的尺寸高度进行监控。因隔垫物尺寸较小，且主隔垫物一般较少，单独依靠尺寸，设备很难准确识别主隔垫物位置，通常将主隔垫物周围某个位置空缺隔垫物设计(即：不设置任何隔垫物)，以方便更快更准确的识别主隔垫物位置对其进行监控，例如：在设计时将主隔垫物下方不设置任何隔垫物，在监控时，可先快速确定不设置任何隔垫物的位置，然后前述提到的设计规则，可明确不设置任何隔垫物的上方位置处的隔垫物即为主隔垫物。
117.需要说明的是，本公开实施例的隔垫物42靠近第一衬底30的表面可为顶表面，其远离第一衬底30的表面为底表面，其中，如图5所示，隔垫物42的顶表面在第一衬底30上的正投影位于扫描线31在第一衬底30的正投影内，也就是说，隔垫物42的顶表面在第一衬底30上的正投影的外轮廓位于扫描线31在第一衬底30的正投影的外轮廓的内侧，确保了隔垫物42支撑处的平坦度，以保证隔垫物42稳定地支撑在阵列基板3上。需要说明的是，本公开实施例的隔垫物42在第一衬底30上的正投影不与数据线33和晶体管在第一衬底30上的正投影重叠。
118.应当理解的是，本公开实施例的隔垫物42的顶表面在第一衬底30上的正投影可位于隔垫物42的底表面在第一衬底30上的正投影内，也就是说，此隔垫物42整体可类似为锥形，但不限于此，本公开实施例的隔垫物42的顶表面在第一衬底30上的正投影也可与隔垫物42的底表面在第一衬底30上的正投影完全重合，视具体情况而定。
119.此外，还需说明的是，隔垫物42的底表面在第一衬底30上的正投影可位于扫描线31在第一衬底30的正投影内，但不限于此，隔垫物42在列方向y上的轮廓也可超出扫描线31在列方向y上的轮廓。
120.其中，为了防止隔垫物42受外力作用移动后划伤配向膜而导致红斑产生的情况，可在隔垫物42的周围设置挡墙。具体地，由于隔垫物42在第一衬底30上的正投影位于扫描线31在第一衬底30的正投影内，且扫描线31处被遮挡层40遮盖，因此，隔垫物42即使在行方向x上发生移动，仍然位于遮挡层40遮盖的范围内，基本不会影响显示效果；基于此，可不需要在隔垫物42的行方向x上的相对两侧设置挡墙，以降低设计难度。
121.此外，如图5所示，隔垫物42的行方向x上的相对两侧设置有晶体管，阵列基板3中晶体管所在区域的整体高度大于隔垫物42所在区域的整体高度，也就是说，此晶体管处可作为挡墙阻挡隔垫物42在行方向x上滑移。
122.而为了防止隔垫物42受外力作用在列方向y上过度滑移，结合图5和图6所示，可在阵列基板3上设置第一挡墙38a和第二挡墙38b，此第一挡墙38a和第二挡墙38b分别位于扫描线31在列方向y上的相对两侧，其中，隔垫物42在第一衬底30上的正投影可位于第一挡墙38a和第二挡墙38b在第一衬底30上的正投影之间；换言之，隔垫物42在列方向y上的相对两
侧可设置第一挡墙38a和第二挡墙38b。
123.需要说明的是，此第一挡墙38a和第二挡墙38b的至少部分可位于子像素区301；此第一挡墙38a和第二挡墙38b可被遮挡层40遮挡住。
124.第一挡墙38a和第二挡墙38b均包括与扫描线31同层设置并相互间隔的第一阻挡层381和与数据线33同层设置并相互间隔的第二阻挡层382，此第二阻挡层382在第一衬底30上的正投影与第一阻挡层381在第一衬底上的正投影存在交叠；其中，如图5至图7所示，第一阻挡层381与扫描线31在第一方向y上的间距为第一间距w1，第二阻挡层382与扫描线31在第一方向y上的间距为第二间距w2，此第二间距w2大于所述第一间距w1；也就是说，第一阻挡层381相比于第二阻挡层382向靠近隔垫物42的方向凸出设置，此凸出的部分可在隔垫物受力移动时起到支撑作用，以缓解隔垫物42掉入扫描线31与第一阻挡层381之间的空隙而无法恢复原状的情况；同时，本公开实施例中第二阻挡层382与隔垫物42之间的间距相比于第一阻挡层381与隔垫物42之间的间距较大，这样相比于将第二阻挡层382与隔垫物42之间的间距相比于第一阻挡层381与隔垫物42之间的间距设计为相等的方案，当隔垫物42受到的外应力相同时，可使隔垫物42翘起角度变小，这样在隔垫物42受到的外应力为水平方向(例如：第一方向y)上的力时，竖直方向上(即：显示面板的厚度方向上)阻力可减小，此时，隔垫物42更难以越过挡墙而划伤透光区(即：子像素区301中未被遮挡层40覆盖的区域)处的配向膜，即：划伤配向膜的风险降低。此外，显示面板竖向形变量降低，t
‑
dnu(touch
‑
dark non
‑
uniformity，触摸后面板暗态不均)也得到改善。
125.需要说明的是，本公开实施例的隔垫物42靠近第一衬底30的表面可为顶表面，此隔垫物42的顶表面在第一方向y上的尺寸w4可大于第一间距w1，以缓解隔垫物42在移动过程中掉入扫描线31与第一阻挡层381之间的空隙而无法恢复原状的情况。
126.可选地，隔垫物42的顶表面在第一方向y上的尺寸w4与第一间距w1之间的比值大于等于2，以进一步缓解隔垫物42在移动过程中掉入扫描线31与第一阻挡层381之间的空隙而无法恢复原状的情况。
127.其中，第二阻挡层382与隔垫物42在第一方向y上的间距为第三间距w3，第三间距w3与隔垫物42的顶表面在第一方向y上的尺寸之间的比值大于等于0.5，这样设计可降低隔垫物42越过挡墙的风险，从而可降低划伤透光区处配向膜的风险；进一步地，第三间距w3与隔垫物42的顶表面在第一方向y上的尺寸w4之间的比值可大于等于1。
128.举例而言，第三间距w3与数据线33在第二方向x上的尺寸之间的比值为2至4；其中，数据线33在第二方向x上的尺寸可为5μm至7μm，比如：5μm、5.5μm、6μm、6.5μm、7μm等等，此时，第三间距w3可为10μm至28μm，比如：10μm、13μm、17μm、21μm、25μm、28μm等等。
129.应当理解的是，前述提到的第二阻挡层382在第一衬底30上的正投影位于所述第一阻挡层381在第一衬底30上的正投影内，这样可保证第一挡墙38a、和第二挡墙38b中主要起到阻挡作用的膜层(即：第二阻挡层382)在第一方向y上具有足够的宽度，以更好地阻挡隔垫物42在第一方向y上滑动；也就是说，如图7所示，本公开实施例的第一挡墙38a和第二挡墙38b的纵截面整体可看似为“l”型，此处纵截面指的是与显示面板的厚度方向和第一方向y相平行的面。
130.其中，需要说明的是，前述提到的第二挡墙38b的第一阻挡层381可为第一公共线32的部分结构。还需说明的是，第二挡墙38b与扫描线31之间的第一间距w1、第二间距w2、第
二挡墙38b与隔垫物42之间的第三间距w3与第一挡墙38a与扫描线31之间的第一间距w1、第二间距w2、第一挡墙38a与隔垫物42之间的第三间距w3可相等，也可不相等，视具体情况而定。
131.在本公开的实施例中，前述提到遮挡层40除了完全覆盖第一布线区302、第二布线区303之外，还可覆盖部分子像素区301，具体可覆盖部分公共电极35和部分像素电极34。其中，像素电极34边缘靠近扫描线31、数据线33区域存在耦合电场，显示过程中会导致液晶排布紊乱，产生失效区，导致暗态像素边缘漏光，因此需要遮挡层40对这部分失效区进行遮挡。
132.举例而言，像素电极34与扫描线31存在耦合电场，也就是说，像素电极34靠近扫描线31的部分存在失效区，为了对此失效区进行遮挡，在列方向y上，遮挡层40可覆盖像素电极34的边缘至少5um，需要说明的是，在彩膜层位于对置基板上时，考虑上下基板对盒精度，需加宽更多，但也不得超过10μm，以避免过多影响像素开口率。
133.此外，数据线33与像素电极34边缘同样存在耦合电场，也就是说，本公开实施例的像素电极34靠近数据线33的部分存在失效区；其中，在液晶分子5为负性液晶分子，该电场不会导致液晶旋转，此遮挡层40可覆盖像素电极34的边缘大约1μm，以遮挡数据线33附近的shadow(阴暗)区；而若在液晶分子5为正性液晶分子时，数据线33与像素电极34之间的耦合电场不会导致明显的暗态漏光，但是会导致液晶分子造成crosstalk(串扰)现象加重，此时，遮挡层40可覆盖像素电极34的边缘至少6um，以遮挡耦合电场区域。
134.需要说明的是，液晶显示面板中用到的彩膜层可位于对置基板4上，也可位于阵列基板3上，视具体情况而定。
135.基于上述内容，本公开实施例的液晶显示面板可用于4k分辨率或8k分辨率的显示产品中。
136.本公开的实施例还提供了一种电子设备，其包括上述任一实施例所描述的显示面板。
137.根据本公开的实施例，该电子设备的具体类型不受特别的限制，本领域常用的电子设备类型均可，具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电脑等移动装置、手表等可穿戴设备、vr装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
138.需要说明的是，该电子设备除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，还可包括背光模组、外壳、主电路板、电源线，等等，本领域善解人意可根据该电子设备的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
139.需要说明的是，本文中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
140.用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
141.需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限
制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。
142.在本公开中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。
143.在本公开中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
144.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。