一种ALD加工设备的制作方法

技术特征：
1.一种ald加工设备，其特征在于，所述加工设备包括反应器、送料腔室以及输送装置，其中：所述反应器包括真空腔室以及反应腔室，所述反应腔室内置于所述真空腔室内，所述反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道，所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部中心线相对设置，所述反应腔室的侧壁上设置有第一料口，所述真空腔室的侧壁上设置有第二料口，所述第一料口和所述第二料口位于所述反应器的同一侧；所述送料腔室设置在所述反应器的外侧，所述送料腔室的侧面上设置有第三料口和第四料口，所述第三料口和所述第二料口连通，所述第三料口和所述第二料口之间设置有可开启的第三密封门，所述送料腔室上设置有可将所述第四料口开闭的第四密封门；所述输送装置设置在所述送料腔室内，所述输送装置包括输送机构、第一密封门以及第二密封门，通过操作所述输送机构，可推送所述第一密封门以及所述第二密封门移动，以使所述第一密封门以及所述第二密封门穿过所述第三料口，并使所述第一密封门密封所述第一料口，所述第二密封门密封所述第二料口，所述第一密封门背向所述第二密封门的侧面上设置有用于放置基体的支撑件。2.根据权利要求1所述的ald加工设备，其特征在于，所述进气通道为孔状，所述进气通道设置有多个，多个所述进气通道设置在所述反应腔室的底部的一侧；所述出气通道为孔状，所述出气通道也设置有多个，多个所述出气通道设置在所述反应腔室的底部的另一侧。3.根据权利要求2所述的ald加工设备，其特征在于，所述进气通道设置有多组，多组所述进气通道依次设置，每组所述进气通道均呈弧形，每组所述进气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线的方向依次减小；所述出气通道设置有多组，多组所述出气通道依次设置，每组所述出气通道均呈弧形，每组所述出气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线的方向依次减小。4.根据权利要求1所述的ald加工设备，其特征在于，所述反应腔室的底部固定设置有中转腔室，所述中转腔室的顶部敞口，所述反应腔室的底部覆盖在所述中转腔室的顶部上，所述中转腔室内设置有两个隔板，两个所述隔板将所述中转腔室分割成第一腔室、第二腔室以及第三腔室，所述进气通道和所述第一腔室连通，所述出气通道和所述第三腔室连通，所述第一腔室的底部设置有进气主孔，所述第三腔室的底部设置有出气主孔。5.根据权利要求1所述的ald加工设备，其特征在于，所述反应腔室内设置有两个匀气板，两个所述匀气板以所述反应腔室的底部的中心线相对设置，两个所述匀气板设置在所述进气通道及出气通道之间，两个所述匀气板将所述反应腔室分割成进气腔室、反应腔室以及出气腔室，每个所述匀气板上均设置多个通孔；所述第一料口以及所述第二料口设置在两个所述匀气板之间。6.根据权利要求1所述的ald加工设备，其特征在于，所述送料腔室上设置有抽真空孔。7.根据权利要求1所述的ald加工设备，其特征在于，所述输送机构的输出端可朝向所述第二料口的方向做直线往返移动，所述第二密封门设置在所述输送机构的输出端上，所述第一密封门通过连接件固定连接在所述第二密封门背向所述输送机构的侧面上。8.根据权利要求7所述的ald加工设备，其特征在于，所述第一密封门面向所述第二密
封门的侧面设置有第一加热器；所述反应腔室的顶部和所述真空腔室的顶部之间设置有第二加热器；所述反应腔室的底部和所述真空腔室的底部之间设置有第三加热器；所述反应腔室的侧部和所述真空腔室的侧部之间设置有第四加热器。9.根据权利要求8所述的ald加工设备，其特征在于，所述第一加热器和所述第二密封门之间设置有第一热反射组件；所述第二加热器和所述真空腔室的顶部之间设置有第二热反射组件；所述第三加热器和所述真空腔室的底部之间设置有第三热反射组件；所述第四加热器和所述真空腔室的侧部之间设置有第四热反射组件。

技术总结
本实用新型涉及一种ALD加工设备。加工设备的反应器包括真空腔室以及内置于真空腔室内的反应腔室，反应腔室的底部开设有相对设置的进气通道及出气通道，反应腔室的侧壁上设置有第一料口，真空腔室的侧壁上设置有第二料口，送料腔室设置在反应器的外侧，送料腔室的侧面上设置有第三料口和第四料口，第三料口和第二料口之间设置有可开启的第三密封门，送料腔室上设置有可将第四料口开闭的第四密封门，输送装置设置在送料腔室内，输送装置包括输送机构、第一密封门以及第二密封门，第一密封门可密封第一料口，第二密封门可密封第二料口，第一密封门背向第二密封门的侧面上设置有用于放置基体的支撑件。本实用新型保证沉积膜的成型质量和一致性。成型质量和一致性。成型质量和一致性。


技术研发人员：万军 王辉 廖海涛 王斌
受保护的技术使用者：无锡市邑晶半导体科技有限公司
技术研发日：2021.01.20
技术公布日：2021/10/15