半导体结构及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，包括：多个掺杂的硅部件，位于衬底上方；多个接触部件，设置在所述多个掺杂的硅部件上方并且电耦接至所述多个掺杂的硅部件；多个下部金属部件，设置在所述多个接触部件上方并且电耦接至所述多个接触部件；多个上部金属部件，设置在所述多个下部金属部件上方并且电耦接至所述多个下部金属部件；第一波导部件，设置在所述多个掺杂的硅部件中的两个邻近的掺杂的硅部件之间；以及第二波导部件，设置在所述第一波导部件上方，其中，所述第二波导部件的顶面高于所述多个接触部件的顶面，使得所述第二波导部件设置在：所述多个下部金属部件中的两个邻近的下部金属部件之间，以及所述多个上部金属部件中的两个邻近的上部金属部件之间。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一波导部件具有第一折射率，其中，所述第二波导部件具有不同于所述第一折射率的第二折射率。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一波导部件包括硅，其中，所述第二波导部件包括氮化硅。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一波导部件包括第一非锥形部分和从所述第一非锥形部分延伸的第一锥形部分，其中，所述第二波导部件包括第二非锥形部分、从所述第二非锥形部分延伸的第二锥形部分与从所述第二锥形部分延伸的尖端部分，并且其中，所述尖端部分与所述第一波导部件的所述第一锥形部分重叠。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：多个通孔部件，设置在所述多个上部金属部件上方并且电耦接至所述多个上部金属部件，其中，所述第一波导部件沿着第一方向纵向延伸，其中，沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述多个通孔部件中的每个的宽度大于所述多个上部金属部件中的每个的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：硅化物层，设置在所述多个掺杂的硅部件和所述多个接触部件之间。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一波导部件和所述第二波导部件配置为在具有1310nm、1550nm或两者的波长的红外的情况下操作。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述多个接触部件包括在350nm与380nm之间的厚度。9.一种半导体结构，包括：掩埋氧化物层；
第一介电层，设置在所述掩埋氧化物层上方；第一波导部件，设置在所述第一介电层中；第二介电层，设置在所述第一介电层和所述第一波导部件上方；多个接触部件，设置在所述第二介电层中；第三介电层，设置在所述第二介电层上方；以及第二波导部件，设置在所述第二介电层和所述第三介电层中，其中，所述第二波导部件的顶面高于所述多个接触部件的顶面，其中，所述第二波导部件的部分与所述第一波导部件的部分垂直地重叠。10.一种制造半导体结构的方法，包括：提供工件，所述工件包括衬底、位于所述衬底上方的掩埋氧化物层和位于所述掩埋氧化物层上方的硅层；将所述硅层图案化为第一硅部件和第二硅部件，所述第一硅部件和所述第二硅部件通过沟槽彼此分隔开；在所述沟槽中沉积填充介电层；用掺杂剂掺杂所述第二硅部件；在掺杂的第二硅部件上方形成接触部件；在所述接触部件上方形成下部金属部件；以及形成多个氮化硅部件，其中，所述多个氮化硅部件中的每个设置在两个邻近的所述接触部件之间以及两个邻近的所述下部金属部件之间。

技术总结
根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。法。法。


技术研发人员：陈建宏 卓联洲 陈焕能 徐敏翔 郭丰维 林志昌 宋巍巍 周淳朴
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.18
技术公布日：2021/10/8