一种超表面成像装置的制作方法

一种超表面成像装置
1.分案申请声明
2.本技术是2020年4月24日递交的发明名称为“一种超表面成像装置”、申请号为202010331976.2的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
3.本技术涉及光学器件的领域，更具体地，涉及一种超表面成像装置。


背景技术：

4.现有摄像领域中用于成像、透射等的镜头均是采用由树脂、塑料、玻璃等透明体材料制成镜片。由于此类镜片需通过透过厚度的渐变来引入光程差，从而使得光线产生聚焦或发散的效果，因此一般需要具有较大的尺寸。2015年3月capasso等人在science杂志347卷期号6228上发表了超表面的论文，并由此引发了全世界对于超表面透镜的研究。
5.超表面透镜与传统透镜的不同之处在于，超表面透镜采用由微纳米尺度结构引入的、与形状相关的pancharatnam-berry相位差，以使得被散射的入射光的相位可以被任意调制从而代替传统透镜所依赖的光程差。因此，超表面透镜可以形成更易于集成的实质上平面的光学器件，并且尺寸相对于传统透镜可以大大降低。由于超表面透镜在原理上所依赖的是衍射光学而非几何光学，因而可以从设计上避免球差等传统镜头的固有像差，但是相反地，会产生特定于衍射光学的新类型的像差。
6.目前的现有技术中使用超表面成像均限于傍轴成像的情况，即采用显微镜头研究平行于光轴的细光线在中心视场成像。而在实际应用场景中，镜头必须将一定视场角范围内所有的入射光线成像在像面处的传感器上，而不能限于傍轴情况，这就必须要求面向应用的超表面透镜的设计必须考虑到使多个视场角都能得到正常成像。


技术实现要素：

7.本技术的一方面提供了一种超表面成像装置。该超表面成像装置可包括光阑、至少一个超表面镜片和成像传感器，其中，光阑用于对入射的光束进行限制；至少一个超表面镜片与所述光阑对准并具有多个相位补偿结构，以对经所述光阑限制的光束进行偏折处理以对其进行相位补偿。成像传感器则将经过所述相位补偿后的光转换为与所述光的信号成比例的电信号。其中，所述多个相位补偿结构中的每一个所产生的相位补偿随着距所述光阑的中心的距离的变化而变化。
8.在一个实施方式中，所述光阑的中心与所述超表面镜片的中心在光轴方向上对准。
9.在一个实施方式中，所述相位补偿从所述超表面镜片的中心沿所述超表面镜片的径向方向呈衰减周期性的变化。
10.在一个实施方式中，位于所述超表面镜片上的所述多个相位补偿结构中的每一个相对于所述超表面镜片的任一径向方向形成的旋转角度随着距所述超表面镜片的中心的
距离的变化而改变。
11.在一个实施方式中，所述多个相位补偿结构中的每一个的所述旋转角度从所述超表面镜片的中心沿所述超表面镜片的径向方向呈衰减周期性的变化。
12.在一个实施方式中，所述超表面镜片还包括透明衬底，其中，所述相位补偿结构在所述透明衬底上通过电介质材料形成。
13.在一个实施方式中，形成所述相位补偿结构的所述电介质材料为无机电介质材料，所述无机电介质材料的折射率与形成所述衬底的材料的折射率不同。
14.在一个实施方式中，所述无机电介质材料的折射率大于形成所述透明衬底的材料的折射率。
15.在一个实施方式中，所述无机电介质材料包括硫化锌、氟化镁、二氧化钛、氧化锆、氢化硅、晶体硅、氮化硅、非晶硅、氮化镓、磷化镓、砷化镓中的至少一种。
16.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是无机材料，所述无机材料包括导电玻璃ito、氧化铝、氧化锌、氟化镁、二氧化硅中的一种。
17.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是树脂类有机透明材料。
18.在一个实施方式中，所述超表面镜片与所述成像传感器的距离小于所述超表面镜片与所述光阑的距离。
19.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体翅片。
20.在一个实施方式中，所述相位补偿结构是高200-800nm、长和宽均在30-500nm的长方体翅片。
21.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体、柱体或半球体的实心微纳结构。
22.在一个实施方式中，所述实心微纳结构上进一步形成有长方体、柱体或半球体的空心结构。
23.本技术的另一方面提供了这样一种超表面成像装置，其包括：光阑，用于对入射的光束进行限制；至少一个超表面镜片，与所述光阑对准并具有多个相位补偿结构，以对所述光阑限制后的光束进行偏折处理以对其进行相位补偿；以及成像传感器，将经过所述相位补偿后的光转换为与所述光的信号成比例的电信号。其中，每个所述超表面镜片包括：第一部分，所述第一部分位于所述超表面镜片的中央，包含第一多个相位补偿结构；以及第二部分，所述第二部分包围所述第一部分，包含第二多个相位补偿结构，其中，经所述第一多个相位补偿结构和所述第二多个相位补偿结构进行所述相位补偿的光束分别入射在所述成像传感器上的、不相重叠的第一干涉相长位置和第二干涉相长位置处。
24.在一个实施方式中，所述光阑的中心与所述超表面镜片的中心在光轴方向上对准。
25.在一个实施方式中，在所述第一部分中，所述第一多个相位补偿结构在靠近和远离所述超表面镜片的中心的方向上所引入的相移变化对称。
26.在一个实施方式中，在所述第二部分中，所述第二多个相位补偿结构在靠近和远离所述超表面镜片的中心的方向上所引入的相移变化不对称。
27.在一个实施方式中，所述超表面镜片还包括透明衬底，其中，所述相位补偿结构在所述透明衬底上通过电介质材料形成。
28.在一个实施方式中，形成所述相位补偿结构的所述电介质材料为无机电介质材料，所述无机电介质材料的折射率与形成所述透明衬底的材料的折射率不同。
29.在一个实施方式中，所述无机电介质材料的折射率大于形成所述透明衬底的材料的折射率。
30.在一个实施方式中，所述无机电介质材料包括硫化锌、氟化镁、二氧化钛、氧化锆、氢化硅、晶体硅、氮化硅、非晶硅、氮化镓、磷化镓、砷化镓中的至少一种。
31.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是无机材料，所述无机材料包括导电玻璃ito、氧化铝、氧化锌、氟化镁、二氧化硅中的一种。
32.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是树脂类有机透明材料。
33.在一个实施方式中，所述超表面镜片与所述成像传感器之间的距离小于所述超表面镜片与所述光阑之间的距离。
34.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体翅片。
35.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体、柱体或半球体的实心微纳结构。
36.在一个实施方式中，所述实心微纳结构上进一步形成有长方体、柱体或半球体的空心结构。
37.本技术的另一方面提供了这样一种超表面成像装置，其包括：光阑，用于对入射的光束进行限制；至少一个超表面镜片，与所述光阑对准并具有多个相位补偿结构，以对所述光阑限制后的光束进行偏折处理以对其进行相位补偿；以及成像传感器，将经过所述相位补偿后的光转换为与所述光的信号成比例的电信号；其中所述超表面镜片具有多个相位补偿结构，所述相位补偿结构的等效焦距在远离所述超表面镜片中心的方向上逐渐增大。
38.在一个实施方式中，所述光阑的中心与所述超表面镜片的中心在光轴方向上对准。
39.在一个实施方式中，所述相位补偿从所述超表面镜片的中心沿所述超表面镜片的径向方向呈衰减周期性的变化。
40.在一个实施方式中，位于所述超表面镜片上的所述多个相位补偿结构中的每一个相对于所述超表面镜片的任一径向方向形成的旋转角度随着距所述超表面镜片的中心的距离的变化而改变。
41.在一个实施方式中，所述多个相位补偿结构中的每一个的所述旋转角度从所述超表面镜片的中心沿所述超表面镜片的径向方向呈衰减周期性的变化。
42.在一个实施方式中，所述超表面镜片还包括透明衬底，其中，所述相位补偿结构在所述透明衬底上通过电介质材料形成。
43.在一个实施方式中，形成所述相位补偿结构的所述电介质材料为无机电介质材料，所述无机电介质材料的折射率与形成所述衬底的材料的折射率不同。
44.在一个实施方式中，所述无机电介质材料的折射率大于形成所述透明衬底的材料的折射率。
45.在一个实施方式中，所述无机电介质材料包括硫化锌、氟化镁、二氧化钛、氧化锆、氢化硅、晶体硅、氮化硅、非晶硅、氮化镓、磷化镓、砷化镓中的至少一种。
46.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是无机材料，所述无机材料包括导
电玻璃ito、氧化铝、氧化锌、氟化镁、二氧化硅中的一种。
47.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是树脂类有机透明材料。
48.在一个实施方式中，所述超表面镜片与所述成像传感器的距离小于所述超表面镜片与所述光阑的距离。
49.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体翅片。
50.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体、柱体或半球体的实心微纳结构。
51.在一个实施方式中，所述实心微纳结构上进一步形成有长方体、柱体或半球体的空心结构。
52.本技术的另一方面提供了这样一种超表面成像装置，其包括：光阑，用于对入射的光束进行限制；至少一个超表面镜片，与所述光阑对准并具有多个相位补偿结构，以对所述光阑限制后的光束进行偏折处理以对其进行相位补偿；以及成像传感器，将经过所述相位补偿后的光转换为与所述光的信号成比例的电信号；其中，所述超表面镜片具有多个相位补偿区域，每个相位补偿区域包括多个相位补偿结构，以及所述多个相位补偿区域中的至少一个的相位补偿结构在靠近和远离所述超表面镜片中心的方向上所引入的相移变化不对称。在一个实施方式中，所述光阑的中心与所述超表面镜片的中心在光轴方向上对准。
53.在一个实施方式中，所述超表面镜片还包括透明衬底，其中，所述相位补偿结构在所述透明衬底上通过电介质材料形成。
54.在一个实施方式中，形成所述相位补偿结构的所述电介质材料为无机电介质材料，所述无机电介质材料的折射率与形成所述衬底的材料的折射率不同。
55.在一个实施方式中，所述无机电介质材料的折射率大于形成所述透明衬底的材料的折射率。
56.在一个实施方式中，所述无机电介质材料包括硫化锌、氟化镁、二氧化钛、氧化锆、氢化硅、晶体硅、氮化硅、非晶硅、氮化镓、磷化镓、砷化镓中的至少一种。
57.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是无机材料，所述无机材料包括导电玻璃ito、氧化铝、氧化锌、氟化镁、二氧化硅中的一种。
58.在一个实施方式中，形成所述透明衬底的材料是树脂类有机透明材料。
59.在一个实施方式中，所述超表面镜片与所述成像传感器的距离小于所述超表面镜片与所述光阑的距离。
60.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体翅片。
61.在一个实施方式中，所述相位补偿结构是高200-800nm、长和宽均在30-500nm的长方体翅片。
62.在一个实施方式中，所述相位补偿结构被形成为长方体、柱体或半球体的实心微纳结构。
63.在一个实施方式中，所述实心微纳结构上进一步形成有长方体、柱体或半球体的空心结构。
64.现有技术中相位补偿结构的相位补偿仅根据距镜片中心的距离r变化。根据本技术，相位补偿结构的相位补偿能根据主光线角的变化而变化，而非对于主光线的入射角不做补偿而仅满足傍轴成像的要求，这样使得超透镜能具有一定的视场角，从而能够在实际
使用时与像面上包含不止一个像素的cmos传感器进行匹配。另外，本技术的优势还在于能够节省空间与cmos更靠近地进行集成。
附图说明
65.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施方式所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
66.图1示出了根据本技术实施方式的超表面成像装置；
67.图2示出了根据本技术实施方式的相位补偿结构；
68.图3示出了根据本技术实施方式的相位补偿结构的相位补偿原理图；
69.图4示出了根据本技术实施方式的镜片对cra为零的光束成像；
70.图5示出了根据本技术实施方式的镜片对cra不为零的光束成像；
71.图6示出了根据本技术实施方式的镜片被分为多个同心区域；
72.图7示出了根据本技术实施方式的在每个区域中相对于基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ的曲线图；
73.图8示出了根据本技术实施方式的长方体翅片的旋转角度φ随超表面的中心到边缘的距离r的变化的曲线图；
74.图9示出了根据本技术另一实施方式的在每个区域中相对于基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ的曲线图；
75.图10示出了根据本技术另一实施方式的长方体翅片的旋转角度φ随超表面的中心到边缘的距离r的变化的曲线图；
76.图11示出了根据本技术又一实施方式的在每个区域中相对于基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ的曲线图；
77.图12示出了根据本技术又一实施方式的长方体翅片的旋转角度φ随超表面的中心到边缘的距离r的变化的曲线图。
78.图13示出了根据本技术再一实施方式的在每个区域中相对于基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ的曲线图；
79.图14示出了根据本技术再一实施方式的长方体翅片的旋转角度φ随超表面的中心到边缘的距离r的变化的曲线图。
具体实施方式
80.为了更好地理解本技术，将参考附图对本技术的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本技术的示例性实施方式的描述，而非以任何方式限制本技术的范围。在说明书全文中，相同的附图标号指代相同的元件。表述“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。
81.应注意，在本说明书中，第一、第二等的表述仅用于将一个特征与另一个特征区分开来，而不表示对特征的任何限制。因此，在不背离本技术的教导的情况下，下文中讨论的第一介电材料也可被称作第二介电材料。
82.在附图中，为了便于说明，可能已稍微夸大了各部件的厚度、尺寸和形状。具体来讲，附图中所示的球面或非球面的形状通过示例的方式示出。即，球面或非球面的形状不限
于附图中示出的球面或非球面的形状。附图仅为示例而并非严格按比例绘制。
83.在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为位于另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，该元件可直接位于该另一元件“上”、直接“连接到”或直接“联接到”该另一元件，或者可存在介于该元件与该另一元件之间的一个或多个其它元件。相反地，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件时，则可不存在介于该元件与该另一元件之间的其它元件。
84.诸如“在
……
之上”、“较上”、“在
……
之下”和“较下”的空间相对措辞可以在本技术中为了描述便利而使用，以描述如附图中所示的一个元件相对于另一个元件的关系。除了涵盖附图中所描绘的定向之外，这些空间相对措辞旨在还涵盖设备在使用或操作中的不同的定向。例如，如果附图中的设备翻转，则描述为在另一元件“之上”或相对于该另一元件“较上”的元件将在该另一元件“之下”或相对于该另一元件“较下”。因此，根据设备的空间定向，措辞“在
……
之上”涵盖“在
……
之上”和“在
……
之下”两种定向。该设备还可以以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它定向上)，并且本技术中使用的空间相对措辞应被相应地解释。
85.还应理解的是，用语“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”，当在本说明书中使用时表示存在所陈述的特征、元件和/或部件，但不排除还存在一个或多个其它特征、元件、部件和/或它们的组合。此外，当诸如“...中的至少一个”的表述出现在所列特征的列表之后时，修饰列表中的全部特征，而不是仅仅修饰列表中的单独元件。此外，当描述本技术的实施方式时，使用“可”表示“本技术的一个或多个实施方式”。另外，词语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。
86.如在本文中使用的，词语“大致”、“大约”以及类似的词语用作表近似的词语，而不用作表程度的词语，并且旨在说明本领域普通技术人员能够认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
87.除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)均具有与本技术所属领域普通技术人员的通常理解相同的含义。还应理解的是，术语(例如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的意义进行解释，除非本文中明确如此限定。
88.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。另外，除非明确限定或与上下文相矛盾，否则本技术所记载的方法中包含的具体步骤不必限于所记载的顺序，而可以任意顺序执行或并行地执行。
89.下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本技术。
90.图1示出了根据本技术的实施方式的超表面成像装置100。参考图1，其中示出了对光轴上的物体110成像的简图，图中距离和比例仅为示意。如图所示，超表面成像装置100包括光阑120、至少一个超表面镜片130和传感器140，其中，光阑120、至少一个超表面镜片130和传感器140沿超表面成像装置100的光轴依次设置。
91.光阑120对光束起限制作用，即，对入射到成像装置100的光进行限制，以约束入射光束的大小。光阑120的中心o1与超表面镜片130的中心o2在光轴方向上大致对齐。至少一个超表面镜片130与光阑120对准并具有多个相位补偿结构220(参见图2和图3)，以对经光阑120限制后的光束进行偏折处理，从而对光束进行相位补偿。多个相位补偿结构220中的每
500nm的范围内以及w可以根据材料种类在30-500nm的范围内，从而以尽可能多地在超表面镜片130上布置相位补偿结构220。本领域技术人员应该理解，这种长方体翅片对于圆偏振的入射光可以近似于半波片起到调整相位的效果，使得旋转翅片旋转角度α的入射左旋或者右旋圆偏振光分别出射为旋转2α或者-2α的右旋或左旋偏振光，如图3所示。由此，使得长方体翅片的旋转角度各不相同而在不同的位置引入不同的pb相位差，并使得上述pb相位差在设计的聚焦点处的光线为相长干涉即可实现聚焦效果。例如，传感器140与超表面镜片130之间的距离可以定义为焦距f，则在傍轴成像的限定条件下，相位补偿结构的旋转角度α的设计应满足：
[0100][0101]
其中，λ为波长，r为每个长方体翅片距离超表面镜片130中心的距离，k为整数且优选可以是0。
[0102]
本领域技术人员还将知晓每个单个的相位补偿结构并不限于长方体翅片，而是可以采用长方体、柱体、半球体等实心微纳结构，或者进一步在其上具有长方体、柱体、半球体的凹陷或者孔洞的空心或者部分空心微纳结构来实现相位的进一步微调，以达成消除色差、偏振敏感度等进一步的效果。尤其应当注意的是，相位补偿结构可以由多个不同尺寸的上述实心或者空心微纳结构的组合来组成一个单独的相位补偿单元，并利用多个相位补偿单元的组合达成消除色差、偏振敏感度等进一步的效果。也就是说，超表面镜片130上的相位补偿结构220的大小、间距和旋转角度可以各不相同，而不限于彼此一致的图2至图3中的情况。如果使用此类复杂相位补偿结构，则难以以解析形式计算所需的相位补偿结构220的大小、间距和旋转角度等，而需要使用fdtd(时域有限差分)、有限元fem等数值模拟方法进行分析，只需满足的相位补偿即可。
[0103]
对于宽波段(或者多波长)的成像情形，则上式中λ的会变化。此时可以简单地将多个不同波长的相位补偿结构220在不同的空间位置中互相组合，例如将多个代表波长的相位补偿结构220作为一组使得不同波长的聚焦效果产生一定的均衡，或者将多个代表波长的相位补偿结构形成为超表面镜头的不同空间部分。也可以在根据某一参加波长设计的相位补偿结构基础上进一步加入引入的相移随着波长变化的色差补偿结构，如根据翅片结构等纳米结构内部的谐振模式或者纳米结构之间的组合谐振模式使得所提供的相移会随着波长变化，由于难以以解析形式计算何种纳米结构或者组合可以提供这样的随波长变化的相移，现有技术中一般通过计算机模拟的方式在穷举多种可能的结构之后选取可提供最符合的相移曲线的结构。
[0104]
在实际情况下，由于传感器140上的各个位置的像素均可用于成像，而不仅仅是用光轴附近的一小块区域进行成像，这就要求对于不同的入射光线都同时成像在传感器140所在平面的不同位置上，而不能限于以上分析中傍轴入射的特殊情况。如图1所示，虚线所示出的光束121、122、123的cra为0，符合上述傍轴成像的情况。但实线示出的光束131、132和133的cra不为零，对该cra的光束所需要的成像位置也同样要与傍轴光束121、122和123的成像位置不同，在此情况下，需要满足的相位补偿也将产生变化。如图5所示，由于透镜在多数情况下要对距离远大于焦距的外界场景成像，可以将入射的细光束等效看作平行光，
此时所需的相位补偿变为：
[0105][0106]
其中，
[0107]
其中，λ为波长，
[0108]
f为传感器140与超表面镜片130之间的距离(即焦距)，
[0109]
f’为主光线从超表面镜片130到达传感器140所经过的距离，
[0110]
δr是相位补偿结构距离主光线与超表面镜片130交点的距离，
[0111]
θ＝arccos(f/f’)。
[0112]
可以看出相位补偿与f’和cra均相关，也就是将根据光阑120的中心的距离的变化而变化。通过f’的选取可以使得超表面成像装置适应于不同尺寸的传感器。如果使用翅片形状的相位补偿结构，则翅片旋转的角度应为上式中的1/2，其中，对于左旋入射光，则旋转的角度为的正1/2，对于右旋偏振光，则旋转的角度为的负1/2。对于不同圆偏振，旋转方向是相反的。仅在cra＝0的情况下上式等价于傍轴情形，而对在0-90
°
之间的cra则与傍轴情况下所需的相位补偿的差别将不断增大。
[0113]
在一个简化的实施方式中，可以使聚焦点位于主光线延长线与传感器所在的像面相交的位置：
[0114][0115]
其中f/coscra可以定义为等效焦距，也就是在超表面镜片130径向方向上，等效焦距应逐渐增大。
[0116]
为了满足上式要求，超表面镜片130可分为多个区域，多个区域可以彼此之间互不重叠，各自按照一定范围内的cra进行设计。也可以互相部分地重叠使得对于cra的响应在镜片的径向方向上连续改变。
[0117]
如图6所示，可以将超表面镜片130按照cra分为多个同心区域，每个区域根据上述公式中不同的cra进行设计。每个区域的形状不限于上述的环形，而是可以根据超表面镜片130自身的形状进行划分，如矩形、多边形、不规则形状等。还可以将超表面镜片130在坐标系中按照区域划分为多个的网格，并在不同的网格内根据相应的cra和δr以及上述公式进行不同的相位补偿结构的布置。每个同心区域的大小或者是宽度可以根据实际微加工能力进行确定。
[0118]
实施例1
[0119]
在一个示例中，设cra最大为30
°
，波长为500纳米，共布置6个同心的环形区域，每个区域的宽度(例如，图6中的r1、r2、r3、r4和r5)以及光阑半径均为20微米，光阑与超表面镜片的距离为200微米，f为50微米，则在每个区域中相对于对应基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ相应地如表1和图7所示。
[0120]
具体地，在本示例中，对于cra＝0
°
的区域，基准位置为超表面镜片130的中心o2；对于cra＝5
°
的区域，基准位置为cra＝5
°
的区域与cra＝0
°
的区域的交界处；对于cra＝10
°
的区域，基准位置为cra＝10
°
的区域与cra＝5
°
的区域的交界处；对于cra＝15
°
的区域，基
准位置为cra＝15
°
的区域与cra＝10
°
的区域的交界处；对于cra＝20
°
的区域，基准位置为cra＝20
°
的区域与cra＝15
°
的区域的交界处；对于cra＝25
°
的区域，基准位置为cra＝25
°
的区域与cra＝20
°
的区域的交界处；对于cra＝30
°
的区域，基准位置为cra＝30
°
的区域与cra＝25
°
的区域的交界处。
[0121]
表1在每个区域中相对于中心距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ
[0122][0123][0124]
其中的一个显著区别在于，针对cra＝0
°
的情况，φ的变化在正负方向上是对称的；而针对cra不等于0
°
的情况，在距离每个区域的基准位置同样距离的情况下，正方向(也就是远离超表面镜片130的中心的方向上)的φ的变化量开始大于负方向(也就是靠近超表面镜片130的中心的方向上)的φ的变化量，且正方向和负方向上的变化量的差随着cra增大也出现增大的趋势。
[0125]
如果按照从超表面的中心到边缘的距离r为准，则对应的长方体翅片的旋转角度可从上述表中提取并列在一起如表2和图8所示。
[0126]
表2长方体翅片的旋转角度φ随r的变化
[0127][0128][0129]
实施例2
[0130]
在另一个示例中，设cra最大为30
°
，波长为700纳米，共布置6个同心的环形区域，每个区域的宽度以及光阑半径均为20微米，光阑与超表面镜片的距离为200微米，f为50微米，则在每个区域中相对于对应基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ相应地如表3和图9所示。在本实施例中，基准位置与实施例1类似定义。
[0131]
表3在每个区域中相对于中心距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ
[0132][0133][0134]
如果按照从超表面的中心到边缘的距离r为准，则对应的长方体翅片的旋转角度可从上述表中提取并列在一起如表4和图10所示。
[0135]
表4长方体翅片的旋转角度φ随r的变化
[0136]
r(μm)φ(
°
)r(μm)φ(
°
)r(μm)φ(
°
)r(μm)φ(
°
)0035-117.01870-117.13810501-2.5711736-86.358371-153.572106-1.928912-10.281637-60.231172-195.06107-7.774033-23.122138-38.709173-241.631108-17.62244-41.077239-21.861474-199.121109-31.56025-64.125840-9.7536575-162.466110-49.67226-92.240541-2.447476-129.297111-72.04187-125.38942077-99.7016112-98.75058-163.53143-2.464278-73.769113-129.8789-206.62544-9.887979-51.5871114-165.510-254.62245-22.313980-33.2439115-205.69211-247.54646-39.779781-18.8272116-152.98212-201.20447-62.31782-8.42388117-125.01513-159.49948-89.952183-2.1199118-99.653614-122.49749-122.705840119-76.973615-90.262650-160.59185-2.14733120-57.052716-62.855851-203.61686-8.64316121-39.9702
17-40.331852-251.78487-19.5666122-25.806718-22.741253-218.99288-34.9941123-14.64419-10.129654-178.48389-54.9994124-6.565620-2.5375355-141.88490-79.6531125-1.6557621056-109.2891-109.022126022-2.5463657-80.759592-143.17127-1.6846923-10.200158-56.40693-182.154128-6.7969424-22.978959-36.303294-226.031129-15.424525-40.894260-20.53395-176.782130-27.655326-63.951461-9.1747996-144.367131-43.577827-92.149862-2.305797-114.999132-63.280228-125.48263098-88.7615133-86.850429-163.93664-2.3288799-65.7396134-114.37630-207.49265-9.36001100-46.0193135-145.94331-256.12566-21.1574101-29.6875136-181.63832-235.42667-37.7808102-16.8316
ꢀꢀ
33-191.63168-59.2858103-7.53954
ꢀꢀ
34-152.13569-85.723104-1.89958
ꢀꢀ
[0137]
实施例3
[0138]
在又一个示例中，设cra最大为30
°
，波长为500纳米，共布置6个同心的环形区域，每个区域的宽度以及光阑半径均为20微米，光阑与超表面镜片的距离为200微米，f为60微米，则在每个区域中相对于对应基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ相应地如表5和图11所示。在本实施例中，基准位置与实施例1类似定义。
[0139]
表5在每个区域中相对于中心距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ
[0140]
示例1cra＝0
°
cra＝5
°
cra＝10
°
cra＝15
°
cra＝20
°
cra＝25
°
cra＝30
°
δr(μm)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)10-297.945-298.853-292.926-280.288-261.449-237.298-209.0689-241.648-242.038-236.89-226.339-210.831-191.112-168.198-191.154-191.187-186.846-178.266-165.824-150.126-131.9787-146.503-146.317-142.785-136.033-126.367-114.264-100.3476-107.731-107.438-104.693-99.6001-92.399-83.4492-73.21075-74.8702-74.5583-72.5473-68.9212-63.8542-57.6016-50.48454-47.9468-47.6777-46.3246-43.9479-40.6643-36.6403-32.08243-26.9831-26.7927-25.9949-24.6273-22.7582-20.4832-17.91852-11.9967-11.8947-11.524-10.9029-10.0628-9.04702-7.90711-2.99979-2.96998-2.87334-2.71481-2.50258-2.24755-1.9626400000000-1-2.99979-2.96139-2.85701-2.69228-2.47591-2.21904-1.93452-2-11.9967-11.8261-11.3934-10.7227-9.8496-8.819-7.68216-3-26.9831-26.5614-25.5546-24.0198-22.0391-19.7141-17.1596-4-47.9468-47.1301-45.2824-42.5097-38.9611-34.8184-30.2843
-
5-74.8702-73.4908-70.5152-66.1164-60.5318-54.0463-46.9746-6-107.731-105.598-101.188-94.762-86.6663-77.3124-67.15-7-146.503-143.401-137.234-128.367-117.279-104.532-90.7307-8-191.154-186.848-178.583-166.85-152.285-135.62-117.638-9-241.648-235.881-225.161-210.13-191.599-170.493-147.796-10-297.945-290.44-276.894-258.122-235.133-209.067-181.126
[0141]
如果按照从超表面的中心到边缘的距离r为准，则所需的长方体翅片的旋转角度可从上述表中提取并列在一起如表6和图12所示。
[0142]
表6长方体翅片的旋转角度φ随r的变化
[0143][0144][0145]
实施例4
[0146]
在再一个示例中，设cra最大为36
°
，波长为500纳米，共布置6个同心的环形区域，每个区域的宽度以及光阑半径均为20微米，光阑与超表面镜片的距离为200微米，f为50微
米，则在每个区域中相对于对应基准位置的距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ相应应如表7和图13所示。在本实施例中，基准位置与实施例1类似定义。
[0147]
表7在每个区域中相对于中心距离δr处的相位补偿结构翅片的旋转角度φ
[0148]
示例1cra＝0
°
cra＝6
°
cra＝12
°
cra＝18
°
cra＝24
°
cra＝30
°
cra＝36
°
δr(μm)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)φ(
°
)10-356.47-358.019-347.77-326.042-294.132-254.294-209.5679-289.276-289.937-281.04-262.928-236.731-204.321-168.1638-228.944-228.994-221.498-206.793-185.832-160.126-131.6247-175.544-175.219-169.125-157.574-141.335-121.591-99.82726-129.137-128.629-123.895-115.199-103.138-88.5923-72.65145-89.7761-89.2367-85.7723-79.5933-71.1319-61.0089-49.97614-57.5081-57.0431-54.7147-50.6733-45.207-38.7174-31.68243-32.3709-32.0419-30.6707-28.3504-25.2489-21.5942-17.65272-14.3942-14.2182-13.5819-12.5306-11.1412-9.51571-7.771391-3.59964-3.54819-3.38256-3.11491-2.76504-2.35856-1.9244500000000-1-3.59964-3.53347-3.35516-3.07851-2.72425-2.31806-1.88819-2-14.3942-14.1005-13.3629-12.2396-10.815-9.19183-7.48136-3-32.3709-31.6454-29.9324-27.3693-24.149-20.5017-16.6741-4-57.5081-56.105-52.9678-48.3512-42.6026-36.1293-29.3633-5-89.7761-87.4093-82.3684-75.0665-66.0522-55.9583-45.4482-6-129.137-125.481-118.029-107.395-94.3747-79.8738-64.8304-7-175.544-170.239-159.841-145.214-127.448-107.763-87.4141-8-228.944-221.592-207.693-188.402-165.15-139.515-113.106-9-289.276-279.448-261.469-236.835-207.36-175.021-141.814-10-356.47-343.706-321.052-290.39-253.959-214.175-173.451
[0149]
如果按照从超表面的中心到边缘的距离r为准，则所需的长方体翅片的旋转角度可从上述表中提取并列在一起如表8和图14所示。
[0150]
表8长方体翅片的旋转角度φ随r的变化
[0151]
r(μm)φ(
°
)r(μm)φ(
°
)r(μm)φ(
°
)r(μm)φ(
°
)0035-159.84170-157.57410501-3.5996436-118.02971-206.793106-2.358562-14.394237-82.368472-262.928107-9.515713-32.370938-52.967873-326.042108-21.59424-57.508139-29.932474-253.959109-38.71745-89.776140-13.362975-207.36110-61.00896-129.13741-3.3551676-165.15111-88.59237-175.54442077-127.448112-121.5918-228.94443-3.3825678-94.3747113-160.1269-289.27644-13.581979-66.0522114-204.32110-356.4745-30.670780-42.6026115-254.294
11-343.70646-54.714781-24.149116-173.45112-279.44847-85.772382-10.815117-141.81413-221.59248-123.89583-2.72425118-113.10614-170.23949-169.125840119-87.414115-125.48150-221.49885-2.76504120-64.830416-87.409351-281.0486-11.1412121-45.448217-56.10552-347.7787-25.2489122-29.363318-31.645453-290.3988-45.207123-16.674119-14.100554-236.83589-71.1319124-7.4813620-3.5334755-188.40290-103.138125-1.8881921056-145.21491-141.335126022-3.5481957-107.39592-185.832127-1.9244523-14.218258-75.066593-236.731128-7.7713924-32.041959-48.351294-294.132129-17.652725-57.043160-27.369395-214.175130-31.682426-89.236761-12.239696-175.021131-49.976127-128.62962-3.0785197-139.515132-72.651428-175.21963098-107.763133-99.827229-228.99464-3.1149199-79.8738134-131.62430-289.93765-12.5306100-55.9583135-168.16331-358.01966-28.3504101-36.1293136-209.56732-321.05267-50.6733102-20.5017
ꢀꢀ
33-261.46968-79.5933103-9.19183
ꢀꢀ
34-207.69369-115.199104-2.31806
ꢀꢀ
[0152]
本技术的描述是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本技术限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域技术人员而言是显然的。例如，本领域技术人员能够在本公开的教导下使用其它半导体工艺来制备超透镜。选择和描述实施方式是为了更好说明本技术的原理和实际应用，并且使本领域技术人员能够理解本技术从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施方式。