清洁处理腔室的方法与流程

技术特征：
1.一种清洁沉积腔室的方法，包含：将含氮气体流至所述沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在所述处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源；在所述远程等离子体源中产生所述清洁气体的反应物质；将所述清洁气体引入所述沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。2.如权利要求1所述的方法，其中所述含氮气体包含氮气和氧气。3.如权利要求2所述的方法，其中所述清洁气体包含氮气和氧气。4.如权利要求3所述的方法，其中所述清洁气体包含氟气。5.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁气体包含三氟化氮和氧气。6.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁气体与所述含氮气体同时流至所述沉积腔室中。7.如权利要求1所述的方法，其中在所述含氮气体流至所述沉积腔室之后，所述清洁气体流至所述沉积腔室中。8.一种清洁沉积腔室的方法，包含：将含氮气体流至所述沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在所述处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源；在所述远程等离子体源中产生所述清洁气体的反应物质；将所述清洁气体引入所述沉积腔室；以及以不同温度移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。9.如权利要求8所述的方法，其中使用所述含氮气体清洁所述沉积腔室的上部部分。10.如权利要求9所述的方法，其中使用所述清洁气体清洁所述沉积腔室的下部部分。11.如权利要求8所述的方法，其中所述含氮气体包含氮气和氧气。12.如权利要求11所述的方法，其中所述清洁气体包含氮气和氧气。13.如权利要求12所述的方法，其中所述清洁气体包含氟气。14.如权利要求8所述的方法，其中所述清洁气体与所述含氮气体同时流至所述沉积腔室中。15.一种清洁沉积腔室的方法，包含：将第一气体流至所述沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在所述处理区域中冲击所述第一气体的等离子体；将第二气体引入流体连接至所述沉积腔室的远程等离子体源；在所述远程等离子体源中产生所述第二气体的反应物质；将所述第二气体引入所述沉积腔室；以及以不同温度和蚀刻速率移除在所述沉积腔室的内部表面上的沉积物。

技术总结
本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。内部表面上的沉积物。内部表面上的沉积物。


技术研发人员：B
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.02.07
技术公布日：2021/10/11