磁控溅射镀膜装置及其工作方法与流程

技术特征：
1.一种磁控溅射镀膜装置，其特征在于，包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，与所述待镀膜工件之间具有间隙，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒；位置调节装置，用于调整所述磁控溅射源的位置，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源的相对位置由中心向边缘转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大。2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源的相对位置由边缘向中心转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐减小。3.权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述中心轴到待镀膜工件中心的距离为第一距离，所述中心轴到待镀膜工件边缘的距离为第二距离，所述待镀膜工件与所述磁控溅射源的相对位置由中心向边缘转动的过程中，所述位置调节装置使磁控溅射源移动的距离小于第二距离与第一距离差值的2倍。4.权利要求3所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀膜工件与所述磁控溅射源的相对位置由中心向边缘转动的过程中，所述位置调节装置使磁控溅射源移动的距离小于等于第二距离与第一距离的差值。5.权利要求3所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀膜工件与所述磁控溅射源的相对位置由中心向边缘转动的过程中，所述位置调节装置使磁控溅射源移动的距离大于等于第二距离与第一距离的差值的百分之八十小于等于第二距离与第一距离的差值的1.2倍。6.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述可旋转工件架沿其中心轴旋转的过程中，所述位置调节装置连续调整所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源与待镀膜工件的不同区域相对时，所述磁控溅射源到所述待镀膜工件具有相等的距离。7.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀膜工件设置于可旋转工件架的外侧壁，所述磁控溅射源设于可旋转工件架外。8.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述待镀膜工件设于可旋转工件架的内侧壁，所述磁控溅射源设于可旋转工件架内。9.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述磁控溅射源的个数大于等于2个，每个磁控溅射源的位置能够独立控制。10.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述位置调节装置用于使所述磁控溅射源朝向中心轴运动或者远离中心轴运动。11.如权利要求10所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述位置调节装置包括波纹管。12.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述位置调节装置用于使所述磁控溅射源发生摆动，所述磁控溅射源的摆动方向与所述可旋转工件架的旋转方向相同或相反。
13.如权利要求12所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述磁控溅射源摆动的角度小于等于30度。14.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，还包括：控制器，用于根据所述可旋转工件架的旋转角度确定所述磁控溅射源与待镀膜工件的位置关系，以启动所述位置调节装置。15.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，每个所述侧壁用于承载一个或者多个待镀膜工件。16.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述可旋转工件架为多面体结构，所述多面体结构包括多个侧壁；所述侧壁为平面，所述待镀膜工件为平板型工件。17.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，沿所述可旋转工件架的高度方向上，所述磁控溅射源的尺寸大于或等于待镀膜工件的尺寸。18.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，沿所述可旋转工件架的高度方向上，所述磁控溅射源的尺寸小于待镀膜工件的尺寸，所述控溅射镀膜装置还包括：高度调节装置，用于使所述磁控溅射源沿所述可旋转工件架高度方向移动。19.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，沿所述可旋转工件架的高度方向上，所述磁控溅射源的尺寸小于待镀膜工件的尺寸，还包括：摆动装置，用于使待镀膜工件靠近或远离所述磁控溅射源。20.权利要求1所述的磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述磁控溅射镀膜装置还包括至少一等离子体源，所述等离子体源的位置可调。21.一种磁控溅射镀膜装置的工作方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至权利要求20任一项所述磁控溅射镀膜装置；当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源相对设置的位置由中心向边缘转动时，利用位置调节装置调整所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大。

技术总结
一种磁控溅射镀膜装置及其工作方法，其中，磁控溅射镀膜装置包括：真空镀膜室；可旋转工件架，可沿其中心轴在所述真空镀膜室内旋转，具有若干个侧壁，所述侧壁用于承载待镀膜工件；至少一个磁控溅射源，设置于所述真空镀膜室内，与所述待镀膜工件之间具有间隙，用于向所述待镀膜工件的表面溅射镀膜材料颗粒；位置调节装置，用于调整所述磁控溅射源的位置，当所述待镀膜工件与所述磁控溅射源相对的位置由中心向边缘转动时，所述位置调节装置调节所述磁控溅射源的位置，使所述磁控溅射源到所述中心轴的距离逐渐变大。利用所述磁控溅射镀膜装置制出的镀膜均一性好。膜装置制出的镀膜均一性好。膜装置制出的镀膜均一性好。


技术研发人员：杜志游
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2020.03.19
技术公布日：2021/10/11