用于平坦光学装置的电介质填充的纳米结构化二氧化硅基板的制作方法

技术特征：
1.一种用于建立平坦光学结构的方法，包含以下步骤：在基板中蚀刻至少一个沟道；将介电材料放置于所述基板中的所述至少一个沟道中；和以膜封装所述基板的顶部。2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沟道为操作波长的一半的最大值。3.如权利要求2所述的方法，其中：所述基板由二氧化硅制成；或将所述介电材料放置于所述基板中的至少一个沟道中是通过以下项中的一者：甩胶工艺、化学气相沉积和材料沉积工艺；或以所述膜封装所述基板的所述顶部是通过sio2膜的使用。4.如权利要求2所述的方法，其中将所述介电材料放置于所述基板中的所述至少一个沟道中包括以下步骤：提供过量填充介电层。5.如权利要求1所述的方法，包含：其中所述基板具有至少一个平坦表面，其中所述基板为二氧化硅基板，其中所述介电材料放置于所述二氧化硅基板的所述至少一个平坦表面中的所述至少一个沟道中，并且其中所述封装包括以下步骤：以膜封装所述二氧化硅基板的所述至少一个平坦表面中的所述至少一个沟道中的所述介电材料。6.如权利要求5所述的方法，其中使用旋涂工艺而执行所述封装。7.如权利要求6所述的方法，其中所述旋涂工艺使用以下项中的一者：二氧化钛、gap、asi、csi和si3n4。8.如权利要求6所述的方法，其中所述材料具有大于1.8的折射率和小于0.01的吸收系数所述材料。9.一种用于建立平坦光学结构的方法，包含以下步骤：将材料沉积到基板的第一面上；在沉积于所述基板的所述第一面上的所述材料中蚀刻至少一个沟道；和以封装材料封装沉积于所述基板的所述第一面上的所述材料的顶部。10.如权利要求9所述的方法，其中所述至少一个沟道为操作波长的一半的最大值。11.如权利要求10所述的方法，其中：所述基板以sio2制成；或所述封装材料为sio2；或所述封装材料为低折射率、低k材料。12.一种布置，包含：基板，具有至少一个沟道；材料，放置于至少一个沟道中；和封装材料，与所述基板和所述材料接触而放置。13.如权利要求12所述的布置，其中放置于所述至少一个沟道中的所述材料进一步包含过量填充层。14.如权利要求12所述的布置，其中：放置于所述至少一个沟道中的所述材料为二氧化钛；或
具有至少一个沟道的所述基板由二氧化硅制成。15.如权利要求12所述的布置，其中所述材料为以下项中的一者：二氧化钛、gap、asi、csi和si3n4，或是具有大于1.8的折射率和小于0.01的吸收系数的材料。

技术总结
公开一种用于建立平坦光学结构的方法和设备。方法包括在基板中蚀刻至少一个沟道，在基板中的至少一个沟道中放置介电材料，和以膜封装基板的顶部。封装基板的顶部。封装基板的顶部。


技术研发人员：塔帕什里
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.02.09
技术公布日：2021/9/28