阵列基板及制作方法、移动终端与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；阵列驱动层，位于所述衬底上，所述阵列驱动层包括多个薄膜晶体管；公共电极层，位于所述阵列驱动层中；像素电极层，位于所述阵列驱动层上，所述像素电极层包括绝缘设置的像素电极和桥接电极，所述桥接电极连接有与所述公共电极层异层设置的恒压传输端，所述公共电极层与所述桥接电极电连接，所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接；以及降阻件，位于所述桥接电极上，所述桥接电极与所述降阻件电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列驱动层包括间隔设置的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多晶硅半导体层，所述第二薄膜晶体管包括氧化物半导体层；其中，所述像素电极与所述第二薄膜晶体管电连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述恒压传输端包括公共电极引线，所述公共电极引线与所述恒压传输端电连接；其中，所述公共电极层位于所述像素电极层与所述公共电极引线之间，所述桥接电极包括第一桥接部，所述第一桥接部将所述公共电极层与所述公共电极引线电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层和位于所述第一栅极层上的第一源漏极层，所述第一栅极层位于所述多晶硅半导体层与所述第一源漏极层之间；其中，所述公共电极引线与所述第一源漏极层同层设置。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极层和位于所述第二栅极层上的第二源漏极层，所述第二栅极层与所述第一源漏极层同层设置，所述第二源漏极层与所述氧化物半导体层同层设置；其中，所述像素电极与所述第二源漏极层电性连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括金属导通层，所述金属导通层与所述第一栅极层同层设置，所述第二栅极层与所述金属导通层电性连接。7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述桥接电极还包括第二桥接部；其中，所述第一桥接部位于所述显示区内，所述第二桥接部位于所述非显示区内；所述显示区内设置有第一导通柱和第二导通柱，所述第一导通柱连接所述第一桥接部和所述公共电极层，所述第二导通柱连接所述第一桥接部和所述公共电极引线；所述非显示区内设置有第三导通柱和第四导通柱，所述第三导通柱连接所述第二桥接部和所述第二源漏极层，所述第四导通柱连接所述第二桥接部和所述第二栅极层。8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成包括公共电极层和多个薄膜晶体管的阵列驱动层；在所述阵列驱动层上形成包括绝缘设置的像素电极和桥接电极的像素电极层，其中，所述像素电极与所述薄膜晶体管电性连接，所述桥接电极与所述公共电极层及恒压传输端电连接；在所述桥接电极上形成与所述桥接电极电连接的降阻件。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成包括公共电极层和多个薄膜晶体管的阵列驱动层的步骤包括：在衬底上制作第一薄膜晶体管，在第一薄膜晶体管上制作恒压传输端，再在恒压传输端上制作第二薄膜晶体管；在所述第二薄膜晶体管上形成公共电极层。10.一种移动终端，其特征在于，包括终端主体和如权利要求1至7任一项所述的阵列基板，所述终端主体与所述阵列基板组合为一体。

技术总结
本申请提出了一种阵列基板及制作方法、移动终端；阵列基板包括衬底、位于衬底上的阵列驱动层、位于阵列驱动层中的公共电极层、位于阵列驱动层上的像素电极层和位于像素电极层上的降阻件，像素电极层包括绝缘设置的像素电极和桥接电极，桥接电极连接有与公共电极层异层设置的恒压传输端，降阻件位于桥接电极上，公共电极层与桥接电极电连接，像素电极与薄膜晶体管电连接；本申请通过桥接电极连接公共电极层和恒压传输端，以减少或在阵列驱动层的多个膜层中逐层形成过孔时所需的光罩次数，从而简化了混合TFT基板的制程工艺。简化了混合TFT基板的制程工艺。简化了混合TFT基板的制程工艺。


技术研发人员：艾飞 罗成志 尹国恒
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2021.07.12
技术公布日：2021/9/24